导电性薄膜、触摸面板传感器及触摸面板制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种可见性优异的导电性薄膜。并且，本发明专利技术的课题还在于提供一种触摸面板传感器及触摸面板。本发明专利技术的导电性薄膜具有导电部，所述导电部配置于基板上，且由线宽0.5μm以上且小于2μm的金属细线构成，其中上述金属细线形成网格图案，上述金属细线的线宽Lμm与上述网格图案的开口率A％满足式(I)的关系，在波长550nm处的上述金属细线的反射率为80％以下，式(I)：70≤A＜(10‑L/15)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性薄膜、触摸面板传感器及触摸面板
本专利技术涉及一种导电性薄膜、触摸面板传感器及触摸面板。
技术介绍
在基板上配置有由金属细线构成的导电部的导电性薄膜被使用于各种用途中。例如，近年来，伴随触摸面板在移动电话或移动游戏设备等中的搭载率的上升，作为能够多点检测的静电容量方式的触摸面板传感器用，导电性薄膜的需求迅速扩大。对如上所述的导电性薄膜要求优异的导电性及透明性，因此广泛使用利用铟锡氧化物(ITO)来制作的ITO薄膜。此时，从电阻较低、低成本等观点考虑，作为ITO薄膜的替代，具有金属细线的导电性薄膜受到瞩目。作为如上所述的具有金属细线的导电性薄膜，例如专利文献1中公开有如下内容：导电部的线宽(conductortracewidth)为0.5～5μm，具有开口率(openareafraction)90.5～99.5％的图案(权利要求1)。并且，专利文献2中公开有如下内容：“一种导电片，其特征在于，具有沿一方向排列的多个导电图案，上述导电图案是由以金属细线所形成的多个第1格子和以尺寸大于上述第1格子的金属细线所形成的多个第2格子组合而构成，由上述第2格子构成的第2格子部沿上述一方向排列，由上述第1格子构成的第1格子部与上述第2格子部以非连接的状态配置，所述第1格子部沿与上述一方向大致正交的方向排列，且以规定间隔进行设置。”(权利要求1)。以往技术文献专利文献专利文献1：美国专利8179381号说明书专利文献2：日本专利第5839541号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题形成有金属细线的导电性薄膜具有上述优点，另一方面，适用于触摸面板时，金属细线的网格图案容易被观察者视觉辨认(可见性的下降)。如此，金属细线被观察者视觉辨认的现象有时被称作为“线可见”或“图案可见”。因此，为了提高金属细线的可见性，可以考虑将金属细线的线宽减小至专利文献1及2中所记载的程度的方法。本专利技术人等对如专利文献1及2中所记载的形成有线宽小的金属细线的导电性薄膜进行了研究，其结果，得到了金属细线的可见性无法充分得到改善而有改良的余地的见解。本专利技术的目的在于提供一种可见性优异的导电性薄膜。并且，本专利技术的目的还在于提供一种触摸面板传感器及触摸面板。用于解决技术课题的手段本专利技术人对上述课题进行了深入研究，其结果，发现通过金属细线的线宽与以金属细线所形成的网格图案的开口率满足规定的关系，且金属细线的反射率为规定值以下，可得到可见性优异的导电性薄膜，并实现了本专利技术。即，本专利技术人发现通过以下结构能够解决上述课题。[1]一种导电性薄膜，其具有导电部，所述导电部配置于基板上且由线宽0.5μm以上且小于2μm的金属细线构成，其中，上述金属细线形成网格图案，上述金属细线的线宽Lμm与上述网格图案的开口率A％满足式(I)的关系，在波长550nm处的上述金属细线的反射率为80％以下。式(I)：70≤A＜(10-L/15)2[2]根据上述[1]所述的导电性薄膜，其中，上述开口率A为95.0～99.6％。[3]根据上述[1]或[2]所述的导电性薄膜，其中，在波长550nm处的上述金属细线的反射率为20～40％。[4]一种触摸面板传感器，其具有上述[1]至[3]中任一项所述的导电性薄膜。[5]一种触摸面板，其具有上述[4]所述的触摸面板传感器。专利技术效果如以下所示，根据本专利技术，能够提供可见性优异的导电性薄膜。并且，根据本专利技术，还能够提供触摸面板传感器及触摸面板。附图说明图1是表示导电性薄膜的剖面的局部剖视图。图2是放大了导电性薄膜的导电部的局部放大俯视图。图3是放大了金属细线的局部放大剖视图。图4A是用于说明第1金属膜形成工序的概略剖视图。图4B是用于说明抗蚀剂膜形成工序的概略剖视图。图4C是用于说明第2金属膜形成工序的概略剖视图。图4D是用于说明抗蚀剂膜去除工序的概略剖视图。图4E是用于说明导电部形成工序的概略剖视图。具体实施方式以下，对本专利技术进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时基于本专利技术的代表性实施方式而进行，但本专利技术并不限定于该种实施方式。另外，本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。并且，本说明书中的“活性光线”或“放射线”例如是指水银灯的亮线光谱及以准分子激光为代表的远紫外线、极紫外线(EUV：Extremeultravioletlithography光)、X射线、以及电子束等。并且，本说明书中，光是指活性光线及放射线。本说明书中的“曝光”只要没有特别指定，则不仅包含使用水银灯及以准分子激光为代表的远紫外线、X射线、以及EUV光等进行的曝光，而且还包含使用电子束及离子束等粒子束进行的描绘。[导电性薄膜]参考附图对本专利技术的导电性薄膜进行说明。另外，以下说明中所使用的各附图中，为了将各构成要件(构件)在附图上设为能够识别的程度的大小，按每个构成要件适当变更比例尺。本专利技术的导电性薄膜并不仅限于该等附图中所记载的构成要件的数量、形状及大小的比率、以及各构成要件的相对位置关系。图1是表示导电性薄膜3的剖面的局部剖视图。如图1所示，导电性薄膜3具有基板31和配置于基板上的导电部32。图1的例子中，在基板31的一个表面上配置有导电部32，但并不限定于此，也可以在基板31的两个表面上分别配置有导电部32。并且，图1的例子中，在基板31的表面上的一部分上配置有导电部32，但并不限定于此，也可以在基板31的整个表面上配置有导电部32。基板31的种类并没有特别限制，优选具有可挠性的基板(优选为绝缘基板)，更优选树脂基板。作为基板31，优选使可见光(波长400～800nm)的光透射60％以上，更优选透射80％以上，进一步优选透射90％以上，尤其优选透射95％以上。作为构成基板31的材料，例如可以举出聚醚砜系树脂、聚丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、聚酯系树脂(聚对苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯等)、聚碳酸酯系树脂、聚砜系树脂、聚酰胺系树脂、聚芳酯系树脂、聚烯烃系树脂、纤维素系树脂、聚氯乙烯系树脂及环烯烃系树脂等。其中，优选环烯烃系树脂。作为基板31的厚度并没有特别限制，从处理性及薄型化的平衡的观点考虑，优选0.05～2mm，更优选0.1～1mm。并且，基板31可以是多层结构，例如作为其中1个层，可以具有功能性薄膜。另外，也可以是基板31本身为功能性薄膜。作为基板31，从能够达成适合于显示装置的低双折射的观点考虑，优选使用延迟较低的薄膜，具体而言，优选延迟为0.1～20nm。作为该种基板31，可以举出ARTON薄膜(商品名称，JSRCorporation制，环烯烃系树脂薄膜)、ZEONOR薄膜(商品名称，ZeonCorporation制，环烯烃系树脂薄膜)。图2是放大了导电性薄膜3的导电部32的局部放大俯视图。如图2所示，导电部32根据由金属细线38构成的网格图案形成。具体而言，金属细线38配置成网格状(格子状)，网格图案的开口39通过金属细线38分隔。开口39的一边的长度X表示相邻的金属细线38的配置间隔，本说明书中，也称为间距尺寸X。如图2所示，平面观察导电部32时，间距尺寸X表示位于正对的金属细线38之间的开口39的最短宽度。图2中，网格图案的开口39具有大致菱形的形状。但是，除此以外，开口39的形状也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性薄膜，其具有导电部，所述导电部配置于基板上且由线宽0.5μm以上且小于2μm的金属细线构成，所述金属细线形成网格图案，所述金属细线的线宽Lμm与所述网格图案的开口率A％满足式(I)的关系，在波长550nm处的所述金属细线的反射率为80％以下，式(I)：70≤A＜(10‑L/15)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.12 JP 2016-1776161.一种导电性薄膜，其具有导电部，所述导电部配置于基板上且由线宽0.5μm以上且小于2μm的金属细线构成，所述金属细线形成网格图案，所述金属细线的线宽Lμm与所述网格图案的开口率A％满足式(I)的关系，在波长550nm处的所述金属细线的反射率为80％以...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部昭子，大津晓彦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP