【技术实现步骤摘要】
低功率芯片本申请是申请日为2014年11月28日、申请号为201410709649.0、专利技术名称为“低功率芯片”的中国专利技术专利的分案申请。
本申请涉及集成电路的功耗,尤其涉及但不仅限于关闭集成电路的晶体管。
技术介绍
使用集成电路的应用或设备通常提供低功率或者待机工作模式,在该工作模式下节省电量使用。集成电路设计者也在努力提供功率高效的集成电路。为了提供这样的功率节省,可以关闭当前没有使用的集成电路的一部分。为了实现这种关闭电路的一部分的方法,创建了功率岛。功率岛是电路的一部分,可以通过移除去往该部分的电力而关闭功率岛。通常,功率岛包括执行集成电路的特定功能或者与集成电路的特定功能相关联的电路。功率岛的电路被用于移除电力的开关所包围,也被用于钳住(clamp)由功率岛输出所馈送的单元的浮空输入(因而防止漏电和不受控制的逻辑值)的隔离单元所包围。电路的大小或者覆盖面积在集成电路的一些应用中是很重要的考虑因素。在具有省电能力的集成电路中,这些开关和隔离单元对集成电路的总覆盖面积有很大贡献。
技术实现思路
一种装置,包括:功能电路,该功能电路包括一个或者多个绝缘体上硅(SOI)晶体管和一个或者多个输出端子;以及偏置电路,该偏置电路被配置为控制向功能电路供应的工作电压。偏置电路可以被配置为通过控制所提供的反向本体偏置电压以反向本体偏置一个或者多个晶体管来禁用一个或多个输出端子。绝缘体上硅晶体管可以是完全耗尽型绝缘体上硅晶体管。该装置被配置为响应于功能电路将被断电的指示而禁用输出端子。输出端子可以通过偏置电路应用反向本体偏置电压来被固定或者启用。偏置电路可以被配 ...
【技术保护点】
1.一种集成电路,包括:多个功率岛,每个功率岛包括:多个功能电路,每个功能电路包括至少一个绝缘体上硅SOI晶体管、至少一个输入端子和至少一个输出端子,以及偏置电路,被配置为控制向所述多个功能电路供应的工作电压,并且通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置所述SOI晶体管来禁用所述输出端子;所述功能电路中的至少一个功能电路被配置为使得所述至少一个输入端子耦合到来自另一功能电路的所述至少一个输出端子,在所述功能电路中的所述至少一个功能电路被关闭时所述另一功能电路被开启;以及所述功能电路中的所述至少一个功能电路被配置为使得所述至少一个输出端子被耦合到不同的功能电路的所述至少一个输入端子,在所述功能电路中的所述至少一个功能电路被关闭时所述不同的功能电路也被开启。
【技术特征摘要】
2013.11.29 GB 1321098.41.一种集成电路,包括:多个功率岛,每个功率岛包括:多个功能电路,每个功能电路包括至少一个绝缘体上硅SOI晶体管、至少一个输入端子和至少一个输出端子,以及偏置电路,被配置为控制向所述多个功能电路供应的工作电压,并且通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置所述SOI晶体管来禁用所述输出端子;所述功能电路中的至少一个功能电路被配置为使得所述至少一个输入端子耦合到来自另一功能电路的所述至少一个输出端子,在所述功能电路中的所述至少一个功能电路被关闭时所述另一功能电路被开启;以及所述功能电路中的所述至少一个功能电路被配置为使得所述至少一个输出端子被耦合到不同的功能电路的所述至少一个输入端子,在所述功能电路中的所述至少一个功能电路被关闭时所述不同的功能电路也被开启。2.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个SOI晶体管包括完全耗尽型SOI晶体管。3.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个偏置电路被配置为响应于所述多个功能电路将被断电的指示而禁用所述输出端子。4.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述输出端子通过所述偏置电路应用所述反向本体偏置电压而被启用。5.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个偏置电路被配置为将所述工作电压和所述反向本体偏置电压与所述多个功能电路耦合。6.根据权利要求5所述的集成电路,其中每个偏置电路包括第一多路复用器,所述第一多路复用器被配置为将工作源电压和反向本体偏置源电压与所述多个功能电路耦合。7.根据权利要求6所述的集成电路,其中每个偏置电路进一步包括第二多路复用器,所述第二多路复用器被配置为将工作接地和反向本体偏置源接地与所述多个功能电路耦合。8.根据权利要求1所述的集成电路,其中在被反向本体偏置时,每个晶体管的本体泄漏电流与所述多个功能电路的功率损耗相比能够忽略。9.一种集成电路,包括:多个功率岛,每个功率岛包括:多个功能电路,每个功能电路包括至少一个绝缘体上硅SOI晶体管、至少一个输入端子和至少一个输出端子;以及偏置电路,耦合到所述多个功能电路并且被配置为控制向所述多个功能电路供应的工作电压,并且通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置所述SOI晶体管来禁用所述输出端子;第一电压发生器,用于为所述多个功率岛生成所述工作电压;以及第二电压发生器,用于为所述多个功率岛生成所述反向本体偏置电压;所述功能电路中的至少一个功能电路被配置为使得所述至少一个输入端子耦合到来自另一功能电路的所述至少一个输出端子,在所述功能电路中的所述至少一个功能电路被关闭时所述另一功能电路被开启;以及所述功能电路中的所述至少一个功...
【专利技术属性】
技术研发人员:P·贝利,
申请(专利权)人:意法半导体RD有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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