The invention discloses an anti-EFT interference circuit for an external crystal clock, including a crystal oscillator circuit, which comprises a crystal driving circuit inside the chip and an external crystal circuit outside the chip. The external crystal circuit connects to the crystal driving circuit inside the chip through two IO ports, XHIN ports and XHOUT ports; and the IO port outside the XHIN port is provided with Rext electricity. An ESD circuit including PMOS and NMOS is arranged inside the IO port of the XHIN port. The parasitic capacitors Cp1 and Cp2 generated by the PMOS and NMOS constitute a parasitic low-pass filter. The anti-EFT interference circuit of the external crystal clock of the invention can effectively suppress the interference and ensure that the related products can be verified, thereby improving the reliability and stability of the products.
【技术实现步骤摘要】
一种外挂晶体时钟的抗EFT干扰电路
本专利技术涉及电子电路
,特别涉及一种外挂晶体时钟的抗EFT干扰电路。
技术介绍
MCU芯片在实际的量产并且推广至大规模应用到公司产品的过程中需要通过一系列的测试验证,从而保证芯片应用于空调等产品之后具有极强的安全和稳定特性。EFT实验是众多EMC实验中的重要一项,是目前电子产品在“3C”认证中比较难以通过的一项实验。EFT(ElectricalFastTransient)是指电快速瞬变脉冲群,它是一种电磁骚扰源。闪电、接地故障或切换电感性负载等都会对电子系统产生电快速瞬变脉冲群骚扰。它的特点是骚扰信号不是单个脉冲,而是一连串的脉冲群。一方面由于脉冲群可以在电路的输入端产生积累效应,使骚扰电平的幅度最终可能超过电路的噪声容限。另一方面脉冲群的周期较短,每个脉冲波的间隔时间较短,当第一个脉冲波还未消失时,第二个脉冲波紧跟而来。对于电路中的输入电容来说,在未完成放电时又开始充电,因此容易达到较高的电压,这样对电路的正常工作影响甚大。从原理上分析,每次冲击包括金属弧区、气体击穿区以及振荡区三个阶段的存在,其中金属弧和震荡区都属于低频部分,气体击穿区属于高频部分,根据各方面的特性,都会有不同的解决办法。其中气体击穿区在振荡频率超过20M附近,在实际的应用过程的PCB板的设计中,主要是防护气体击穿区域的冲击。在实际的应用过程中,外挂晶体时钟具有极高的准确度和极低的电源电压、外部环境相关性。通过外部晶体时钟作为内部时钟源的基准,能够较好的保证芯片具有较高的稳定性。但是由于晶体属于外部模块,需要通过IO引脚与外面电路相关联,在外 ...
【技术保护点】
1.一种外挂晶体时钟的抗EFT干扰电路,包括晶振电路,所述晶振电路包括芯片内部的晶体驱动电路和芯片外部的外部晶体电路,外部晶体电路通过两个IO端口,XHIN端口和XHOUT端口,连接到芯片内部的晶体驱动电路;其特征在于:在所述XHIN端口的IO端口外部设置有Rext电阻,在所述XHIN端口的IO端口内部设置有包括PMOS和NMOS的ESD电路,所述PMOS和NMOS产生的寄生电容Cp1、Cp2共同组成寄生的低通滤波器。
【技术特征摘要】
1.一种外挂晶体时钟的抗EFT干扰电路,包括晶振电路,所述晶振电路包括芯片内部的晶体驱动电路和芯片外部的外部晶体电路,外部晶体电路通过两个IO端口,XHIN端口和XHOUT端口,连接到芯片内部的晶体驱动电路;其特征在于:在所述XHIN端口的IO端口外部设置有Rext电阻,在所述XHIN端口的IO端口内部设置有包括PMOS和NMOS的ESD电路,所述PMOS和NMOS产生的寄生电容Cp1、Cp2共同组成寄生的低通滤波器。2.根据权利要求1所述的外挂晶体时钟的抗EFT干扰电路,其特征在于:所述XHIN端口在芯片内部无驱动能力,所述XHOUT端口能够提供能量。3.根据权利要求1所述的外挂晶体时钟的抗EFT干扰电路,其特征在于:在实际的物理版图中...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐以军,陈俊超,伍衍亮,蓝杨,彭新朝,王静,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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