有源矩阵基板和多路分配电路制造技术

减小形成于有源矩阵基板的多路分配电路的TFT的尺寸。多路分配电路的各单位电路具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到1个视频信号线，各TFT具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在第1层间绝缘层上，第1电极配置在第1层间绝缘层与第2层间绝缘层之间并且在形成于第1层间绝缘层的第1接触孔内与氧化物半导体层接触，第2电极配置在第2层间绝缘层上并且在形成于第1层间绝缘层和第2层间绝缘层的第2接触孔内与氧化物半导体层接触。

Active Matrix Substrate and Multiplex Distribution Circuit

Reduce the size of the TFT of the multiplex distribution circuit formed on the active matrix substrate. Each unit circuit of the multiplex distribution circuit has at least n TFTs; and N branch wiring, which are connected to a video signal line, each TFT has: oxide semiconductor layer; upper gate electrode, which is arranged on the oxide semiconductor layer separated by the gate insulating layer; and the first and second electrodes, which also have: the first interlayer insulating layer, which covers the oxide semiconductor layer and the upper gate. The first electrode is arranged between the first interlayer insulating layer and the second interlayer insulating layer, and contacts the oxide semiconductor layer in the first contact hole formed in the first interlayer insulating layer, and the second electrode is arranged on the second interlayer insulating layer and on the second contact hole formed in the first interlayer insulating layer and the second interlayer insulating layer. Contact with oxide semiconductor layer inside.

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板和多路分配电路
本专利技术涉及具备多路分配电路(DemultiplexerCircuit)的有源矩阵基板和多路分配电路。
技术介绍
液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：具有多个像素的显示区域；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中，多个像素在行方向和列方向上2维地排列。各像素具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下，称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。有时在有源矩阵基板的非显示区域单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路，实现由非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如，在非显示区域中，有时单片地形成栅极驱动器电路，以COG(ChiponGlass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动器电路。在智能手机等窄边框化要求高的设备中，已提出不仅单片地形成栅极驱动器而且还单片地形成源极切换(SourceSharedDriving：SSD)电路等多路分配电路(例如专利文献1)。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极配线分配视频数据的电路。通过搭载SSD电路，能使非显示区域的配置端子部的区域(端子部形成区域)更窄。另外，来自源极驱动器的输出数量减小，能减小电路规模，因此能减少驱动器IC的成本。驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT中的在多路分配电路(或SSD电路)中作为开关元件使用的TFT称为“DMX电路用TFT”(或“SSD电路用TFT”)。在使用氧化物半导体TFT作为像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工序的观点来说，优选形成使用与像素TFT相同的氧化物半导体膜的氧化物半导体TFT作为电路TFT。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2011/118079号
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于比较大的电流流过SSD电路用TFT等DMX电路用TFT，因此TFT尺寸(沟道宽度)变大。特别是，在使用氧化物半导体TFT作为DMX电路用TFT的情况下，氧化物半导体与多晶硅相比迁移率小约1个数量级，因此与使用多晶硅TFT的情况相比沟道宽度较大。这成为使多路分配电路的面积(或边框区域)增大的重要因素。因此，要求进一步减小DMX电路用TFT的尺寸(例如沟道长度方向的宽度)。本专利技术的实施方式是鉴于上述情况而完成的，其目的在于在单片地形成有多路分配电路的有源矩阵基板中，减小构成多路分配电路的TFT的尺寸。用于解决问题的方案本专利技术的一实施方式的有源矩阵基板具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，具备：基板；多路分配电路，其配置在上述非显示区域，并且支撑于上述基板；以及多个源极总线和多个栅极总线，在上述显示区域中，上述多个源极总线在第1方向上延伸，上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，在上述有源矩阵基板中，上述多路分配电路具有多个单位电路，上述多个单位电路各自从多个视频信号线中的1个视频信号线向多个源极总线中的n个源极总线分配视频信号，其中，n为2以上的整数，上述多个单位电路各自具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到上述1个视频信号线，上述至少n个TFT各自具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，其电连接到上述氧化物半导体层，上述第1电极和上述第2电极中的一方是电连接到上述n个源极总线中的1个源极总线的漏极电极，另一方是电连接到上述n个分支配线中的1个分支配线的源极电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层和上述上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在上述第1层间绝缘层上，上述第1电极配置在上述第1层间绝缘层与上述第2层间绝缘层之间，并且在形成于上述第1层间绝缘层的第1接触孔内与上述氧化物半导体层接触，上述第2电极配置在上述第2层间绝缘层上，并且在形成于上述第2层间绝缘层和上述第1层间绝缘层的第2接触孔内与上述氧化物半导体层接触。在某实施方式中，在上述至少n个TFT中的每个TFT中，上述第1电极隔着上述第1层间绝缘层与上述上部栅极电极部分地重叠，上述第2电极隔着上述第1层间绝缘层和上述第2层间绝缘层与上述上部栅极电极部分地重叠。在某实施方式中，上述至少n个TFT的沟道长度方向是上述第1方向，上述至少n个TFT的沟道宽度方向是上述第2方向。在某实施方式中，上述至少n个TFT各自还具有配置在上述氧化物半导体层的上述基板侧的下部电极。在某实施方式中，上述下部电极是接地的。在某实施方式中，上述下部电极电连接到上述上部栅极电极。在某实施方式中，上述下部电极与上述上部栅极电极设定为不同的电位。在某实施方式中，上述多路分配电路包含上述第1电极是源极电极且上述第2电极是漏极电极的第1TFT以及上述第1电极是漏极电极且上述第2电极是源极电极的第2TFT。在某实施方式中，上述多路分配电路包含多个子电路，各子电路包含上述多个单位电路中的至少第1单位电路和第2单位电路，在上述各子电路中，上述第1单位电路的上述n个源极总线与上述第2单位电路的上述n个源极总线在上述第2方向上各1个地交替排列。在某实施方式中，在上述第1单位电路和上述第2单位电路中的每个单位电路中，上述至少n个TFT在上述第1方向上排列，在上述各子电路中，配置有上述第1单位电路的上述至少n个TFT的第1单位电路形成区域位于配置有上述第2单位电路的上述至少n个TFT的第2单位电路形成区域与上述显示区域之间。在某实施方式中，上述第1单位电路和上述第2单位电路中的每个单位电路的上述至少n个TFT包含上述第1电极是源极电极且上述第2电极是漏极电极的第1TFT以及上述第1电极是漏极电极且上述第2电极是源极电极的第2TFT。在某实施方式中，上述至少n个TFT各自的沟道长度方向的宽度小于上述多个源极总线的排列间距。在某实施方式中，还具备配置在上述多个像素中的每个像素中的像素TFT，上述像素TFT具有：其它氧化物半导体层；其它源极电极；其它漏极电极；以及其它上部栅极电极，其隔着绝缘膜配置在上述其它氧化物半导体层的与上述基板相反的一侧，上述其它源极电极与上述多个源极总线形成在同一导电层内，上述其它漏极电极形成在位于比上述导电层靠上的位置的其它导电层内。在某实施方式中，上述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。在某实施方式中，上述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。本专利技术的一实施方式的多路分配电路具有多个单位电路，上述多个单位电路各自从多个视频信号线中的1个视频信号线向多个源极总线中的n个源极总线分配视频信号，其中，n为2以上的整数，上述多个单位电路各自具有：至少n个TF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，具备：基板；多路分配电路，其配置在上述非显示区域，并且支撑于上述基板；以及多个源极总线和多个栅极总线，在上述显示区域中，上述多个源极总线在第1方向上延伸，上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，上述有源矩阵基板的特征在于，上述多路分配电路具有多个单位电路，上述多个单位电路各自从多个视频信号线中的1个视频信号线向多个源极总线中的n个源极总线分配视频信号，其中，n为2以上的整数，上述多个单位电路各自具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到上述1个视频信号线，上述至少n个TFT各自具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，其电连接到上述氧化物半导体层，上述第1电极和上述第2电极中的一方是电连接到上述n个源极总线中的1个源极总线的漏极电极，另一方是电连接到上述n个分支配线中的1个分支配线的源极电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层和上述上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在上述第1层间绝缘层上，上述第1电极配置在上述第1层间绝缘层与上述第2层间绝缘层之间，并且在形成于上述第1层间绝缘层的第1接触孔内与上述氧化物半导体层接触，上述第2电极配置在上述第2层间绝缘层上，并且在形成于上述第2层间绝缘层和上述第1层间绝缘层的第2接触孔内与上述氧化物半导体层接触。...

【技术特征摘要】
2017.09.12 JP 2017-1745441.一种有源矩阵基板，具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，具备：基板；多路分配电路，其配置在上述非显示区域，并且支撑于上述基板；以及多个源极总线和多个栅极总线，在上述显示区域中，上述多个源极总线在第1方向上延伸，上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，上述有源矩阵基板的特征在于，上述多路分配电路具有多个单位电路，上述多个单位电路各自从多个视频信号线中的1个视频信号线向多个源极总线中的n个源极总线分配视频信号，其中，n为2以上的整数，上述多个单位电路各自具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到上述1个视频信号线，上述至少n个TFT各自具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，其电连接到上述氧化物半导体层，上述第1电极和上述第2电极中的一方是电连接到上述n个源极总线中的1个源极总线的漏极电极，另一方是电连接到上述n个分支配线中的1个分支配线的源极电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层和上述上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在上述第1层间绝缘层上，上述第1电极配置在上述第1层间绝缘层与上述第2层间绝缘层之间，并且在形成于上述第1层间绝缘层的第1接触孔内与上述氧化物半导体层接触，上述第2电极配置在上述第2层间绝缘层上，并且在形成于上述第2层间绝缘层和上述第1层间绝缘层的第2接触孔内与上述氧化物半导体层接触。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，在上述至少n个TFT中的每个TFT中，上述第1电极隔着上述第1层间绝缘层与上述上部栅极电极部分地重叠，上述第2电极隔着上述第1层间绝缘层和上述第2层间绝缘层与上述上部栅极电极部分地重叠。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，上述至少n个TFT的沟道长度方向是上述第1方向，上述至少n个TFT的沟道宽度方向是上述第2方向。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的有源矩阵基板，上述至少n个TFT各自还具有配置在上述氧化物半导体层的上述基板侧的下部电极。5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，上述下部电极是接地的。6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，上述下部电极电连接到上述上部栅极电极。7.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，上述下部电极与上述上部栅极电极设定为不同的电位。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的有源矩阵基板，上述多路分配电路包含上述第1电极是源极电极且上述第2电极是漏极电极的第1TFT以及上述第1电极是漏极电极且上述第2电极是源极电极的第2TFT。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的有源矩阵基板，上述多路分配电路包含多个子电路，各子电路包含上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本忠芳，中村好伸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP