显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统技术方案

本发明专利技术提供一种显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统，在利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理之后，在真空条件下将第一等离子体蚀刻后的基板搬入第二等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理；这样将金属膜层表面的AlClX替换为AlFX，因为AlFX不会与空气中的水分和氧气产生化学反应，进而就不会对Al层产生腐蚀，解决了现有等离子体蚀刻技术存在Al层腐蚀的技术问题。

Display panel, plasma etching method and system

The invention provides a display panel, a plasma etching method and a system. After the first plasma etching of the metal film on the substrate with chlorine gas to form a patterned conductive circuit, the substrate etched by the first plasma is moved into the treatment container of the second plasma etching device under vacuum condition, and the oxygen gas and hydrogen are used. Fluorine gas plasma is used for post-treatment of corrosion inhibition; AlClX on the surface of metal film is replaced by AlFX, because AlFX will not react with water and oxygen in the air, and then will not corrode Al layer, which solves the technical problem of Al layer corrosion in existing plasma etching technology.

【技术实现步骤摘要】
显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统
本专利技术涉及蚀刻领域，尤其涉及一种显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统。
技术介绍
用于低温多晶硅(LTPS)或主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)阵列基板上的薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)通过在玻璃基板等基板上一边对栅极或栅绝缘膜、半导体层等进行图案化，一边依次层叠而形成。例如，在制造沟道蚀刻的底栅侧结构的TFT时，在玻璃基板上依次形成栅极、栅绝缘膜、氧化物半导体膜后，在氧化物半导体膜上形成金属膜，然后，对该金属膜层进行等离子体蚀刻形成源极和漏极。作为成为源极和漏极的金属膜，通常使用Ti/Al/Ti膜层，使用含氯气体，例如氯气作为蚀刻气体。在使用氯气(Cl2)对Ti/Al/Ti膜层进行干蚀刻后，Cl与Al会以AlClX(以AlCl3为主)的形式附着在Ti/Al/Ti膜层的表面。在移出蚀刻系统之后，Ti/Al/Ti膜层表面的AlClX将接触到空气，会与空气中的水分和氧气产生化学反应，对Al层产生腐蚀。即，现有等离子体蚀刻存在Al层腐蚀的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统，以解决现有等离子体蚀刻存在的Al层腐蚀的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种显示面板，其包括：基板；金属膜层，形成于所述基板上；所述金属膜层包括至少一层铝层；其中，至少一层铝层被离子体蚀刻所形成的蚀刻表面覆盖有含铝离子晶体。根据本专利技术一优选实施例，所述至少一层铝层的蚀刻表面为平整的平面。根据本专利技术一优选实施例，所述含铝离子晶体为氟化铝。根据本专利技术一优选实施例，所述金属膜层为钛铝钛层。本专利技术实施例提供了一种等离子体蚀刻方法，其包括：将基板搬入第一等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理步骤；所述金属膜层包括至少一层铝层；将所述第一等离子体蚀刻后的基板搬入第二等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理步骤。根据本专利技术一优选实施例，所述含氯气体为氯气。根据本专利技术一优选实施例，所述含氧气体为氧气。根据本专利技术一优选实施例，所述含氢氟气体为CxHyFZ气体，其中，x≥1、y≥1、z≥1，且xyz均为整数。根据本专利技术一优选实施例，所述CxHyFZ气体为CHF3、C2HF5中的一种。本专利技术实施例提供了一种等离子体蚀刻系统，其包括：第一等离子体蚀刻装置，其具有收纳基板的处理容器，用于在所述处理容器内利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理；所述金属膜层包括至少一层铝层利；第二等离子体蚀刻装置，其具有收纳所述基板的处理容器，用于利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理；和真空搬送室，其与所述第一等离子体蚀刻装置以及所述第二等离子体蚀刻装置连接，用于在保持真空的状态下由设置在所述真空搬送室中的搬送机构在所述第一等离子体蚀刻装置与所述第二等离子体蚀刻装置之间搬送所述基板。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种新的显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统，在利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理之后，在真空条件下将第一等离子体蚀刻后的基板搬入第二等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理；这样将金属膜层表面的AlClX替换为AlFX，因为AlFX属于离子晶体，不会与空气中的水分和氧气产生化学反应，进而也不会对Al层产生腐蚀，解决了现有等离子体蚀刻存在Al层腐蚀的技术问题。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的等离子体蚀刻系统的示意图；图2为本专利技术提供的第一等离子体蚀刻装置的示意图；图3为本专利技术提供的第二等离子体蚀刻装置的示意图；图4为本专利技术提供的等离子体蚀刻方法的流程图；图5为本专利技术提供的金属膜层的界面示意图；图6为本专利技术提供的导电线路制作方法的流程图；图7为本专利技术提供的显示面板的剖面结构示意图；图8为本专利技术提供的导电线路的剖面结构示意图；图9为现有导电线路的剖面结构示意图。附图标记说明1：玻璃基体2：栅极3：栅绝缘膜4：半导体膜5：Ti/Al/Ti层叠膜5a：上层Ti膜5b：Al膜5c：下层Ti膜6：光刻胶膜10：真空搬送室20：真空进样室30：第一等离子体蚀刻装置40：第二等离子体蚀刻装置50；运载器60：搬送机构70：真空搬送机构80：控制部100：等离子体蚀刻系统101：处理容器102：电介质壁104：腔室111：喷淋壳体113；高频天线115：高频电源120、220：处理气体供给机构130：基板载置台132：静电吸盘133：屏蔽环160：排气机构S：基板。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。针对如图9所示的现有等离子体蚀刻存在的Al层腐蚀的技术问题，本专利技术通过在利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理之后，在真空条件下将第一等离子体蚀刻后的基板搬入第二等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理；这样将金属膜层表面的AlClX替换为AlFX，因为AlFX属于离子晶体，不会与空气中的水分和氧气产生化学反应，进而也不会对Al层产生腐蚀，进而能够解决该缺陷。本专利技术涉及的金属膜层包括至少一层铝层，例如Ti/Al/Ti、Ti/Al、Al/Ti等，下文以Ti/Al/Ti为例进行说明。本专利技术涉及的含氧气体可以是氧气、水蒸气等，下文以氧气为例进行说明。本专利技术涉及的含氢氟气体可以是CxHyFZ气体，如CHF3、C2HF5等，也可以是SxHyFZ气体，或者NxHyFZ气体等，其中，x≥1、y≥1、z≥1，且xyz均为整数。首先对本专利技术提供的等离子体蚀刻系统进行说明。图1为本专利技术提供的等离子体蚀刻系统的示意图，如图1所示，等离子体蚀刻系统100为多腔室型，包括：真空搬送室10、真空进样室20、三个第一等离子体蚀刻装置30和两个第二等离子体蚀刻装置40，其中，第一等离子体蚀刻装置30和第二等离子体蚀刻装置40在规定的减压气氛下进行处理。真空搬送室10具有六边形的平面形状，真空进样室20、三个第一等离子体蚀刻装置30和两个第二等离子体蚀刻装置40通过闸阀G与真空搬送室10的各壁部连接。真空进样室20的外侧配置有收纳矩形的基板S的运载器50。这两个运载器50之间设置有搬送机构60，该搬送机构60具有设置成上下两层的拾取器61(仅图示一个)和以能够一体地使它们进入退出和旋转的方式支承它们的基座6本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；金属膜层，形成于所述基板上；所述金属膜层包括至少一层铝层；其中，至少一层铝层被离子体蚀刻所形成的蚀刻表面覆盖有含铝离子晶体。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；金属膜层，形成于所述基板上；所述金属膜层包括至少一层铝层；其中，至少一层铝层被离子体蚀刻所形成的蚀刻表面覆盖有含铝离子晶体。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少一层铝层的蚀刻表面为平整的平面。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述含铝离子晶体为氟化铝。4.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述金属膜层为钛铝钛层。5.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：将基板搬入第一等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氯气体对所述基板上的金属膜层进行第一等离子体蚀刻以形成导电线路的图案化处理步骤；所述金属膜层包括至少一层铝层；将所述第一等离子体蚀刻后的基板搬入第二等离子体蚀刻装置的处理容器内，利用含氧气体和含氢氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理步骤。6.根据权利要求5所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，所述含氯气体为氯气。7.根据权利要求5所述的等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朋宾，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42