光组件的高压电流源电路及光组件制造技术

技术编号:20492634 阅读:39 留言:0更新日期:2019-03-02 22:53
本实用新型专利技术公开了一种光组件的高压电流源电路及光组件,该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;第一电阻的第一端及第二电阻的第一端与高压电源输入端连接,第一电阻的第二端与第一PNP三极管的发射极连接,第一PNP三极管的集电极与第三电阻的第一端、第一PNP三极管的基极及第二PNP三极管的基极连接,第二电阻的第二端与第二PNP三极管的发射极连接,第二PNP三极管的集电极与光电二极管的阴极连接,光电二极管的阳极及第三电阻的第二端均接地。本实用新型专利技术具有电流精度高和老化条件一致性好的优点。

High Voltage Current Source Circuit and Optical Module of Optical Module

The utility model discloses a high voltage current source circuit and an optical component of an optical component, which comprises a high voltage power input terminal, a first resistance, a second resistance, a third resistance, a triode pair tube and a photodiode; a triode pair tube comprises a first PNP triode and a second PNP triode; a first end of the first resistance and a first end of the second resistance and a high voltage. The power input terminal is connected, the second end of the first resistance is connected with the emitter of the first PNP transistor, the collector of the first PNP transistor is connected with the first end of the third resistance, the base of the first PNP transistor and the base of the second PNP transistor, the second end of the second resistance is connected with the emitter of the second PNP transistor, and the collector of the second PNP transistor is connected with the cathode of the photodiode. The anode of the photodiode and the second end of the third resistance are grounded. The utility model has the advantages of high current precision and good consistency of aging conditions.

【技术实现步骤摘要】
光组件的高压电流源电路及光组件
本技术涉及光组件领域,尤其涉及一种光组件的高压电流源电路及光组件。
技术介绍
光组件的高压电流源电路应用于光组件在高压条件下,给光组件提供一定的电流或提供可调的电流,电流的大小可根据实际需求进行调节。图1为现有技术中光组件的高压电流源电路一实施例的电路结构图,参照图1,该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端VIN01、光电二极管D01和电阻R01。具体地,所述光电二极管D01的阴极与所述高压电源输入端VIN01连接,所述光电二极管D01的阳极经所述电阻R01接地。本实施例中,所述光电二极管D01正常工作的电压在其反向击穿电压电压VBR的附近,通常是比反向击穿电压电压VBR少3V左右,反向击穿电压电压VBR一般在30V到50V之间,若将所述光电二极管D01的消耗电压记为Vapd,则Vapd=VBR-3V。本实施例中的所述电阻R01用于调节所述光电二极管D01的电流I1,具体地,电流I1的计算公式如下:I1=(VIN01-Vapd)/R01,即本实施例可以通过改变所述电阻R01的阻值来改变流过所述光电二极管D01的电流I1的大小。但是,图1所示的光组件的高压电流源电路存在以下缺陷:电流精度差。当固定输出一定的电流(例如100uA)给所述光电二极管D01时,由于所述光电二极管D01本身会消耗电压Vapd,由于Vapd与反向击穿电压电压VBR紧密相关,而反向击穿电压电压VBR在30V到50V不等,这样会导致所述电阻R01两端的实际电压与理论计算值有一定的误差,当所述电阻R01的阻值一定时,流过所述光电二极管D01的电流I1的大小会随着所述电阻R01两端的实际电压而发生变化,从而存在误差,使得该电路的电流精度差;(二)老化条件一致性差。当固定输出一定的电流(例如100uA)给所述光电二极管D01时,在高压电源输入端VIN01输入一定电压的情况下,通过选取合适阻值的所述电阻R01,即可使得流过所述光电二极管D01的电流达到100uA。在此基础上,若同时老化同一款或者几款光电二极管,所需电流均为100uA,但是由于光电二极管的消耗电压不同,之前设置好的输入高压和电阻的阻值不会改变,当对不同型号的光电二极管进行老化时,光电二极管的消耗电压Vpad的电压值不一样,导致流过光电二极管的电流不一样,从而导致其他不同型号的光电二极管达不到100uA的老化条件,即图1所示的光组件的高压电流源电路会对光电二极管的老化结果有影响,老化条件一致性差。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种光组件的高压电流源电路,旨在解决现有光组件的高压电流源电路的电流精度差和老化条件一致性差的问题。为了实现上述目的,本技术提供一种光组件的高压电流源电路,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;其中:所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。优选地,所述高压电源输入端的电压大于或等于50V且小于或等于80V。此外,为实现上述目的,本技术还提供一种光组件的高压电流源电路,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、光电二极管、第一PNP三极管及第二PNP三极管;其中:所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。优选地,所述第一PNP三极管的参数与所述第二PNP三极管的参数相同。优选地,所述高压电源输入端的电压大于或等于50V且小于或等于80V。此外,为实现上述目的,本技术还提供一种光组件,所述光组件包括光组件的高压电流源电路,所述光组件的高压电流源电路为如上所述的光组件的高压电流源电路。本技术提供一种光组件的高压电流源电路,该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。本技术解决了现有光组件的高压电流源电路的电流精度差和老化条件一致性差的问题,从而提高了对光电二极管进行老化时的老化准确性和效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为现有技术中光组件的高压电流源电路一实施例的电路结构图;图2本技术光组件的高压电流源电路第一实施例的电路结构图;图3本技术光组件的高压电流源电路第二实施例的电路结构图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。需要说明,若在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;其中:所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。

【技术特征摘要】
1.一种光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;其中:所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。2.如权利要求1所述的光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述高压电源输入端的电压大于或等于50V且小于或等于80V。3.一种光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、光电二极管、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:庄礼杰李丽
申请(专利权)人:深圳市亚派光电器件有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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