The utility model discloses a high voltage current source circuit and an optical component of an optical component, which comprises a high voltage power input terminal, a first resistance, a second resistance, a third resistance, a triode pair tube and a photodiode; a triode pair tube comprises a first PNP triode and a second PNP triode; a first end of the first resistance and a first end of the second resistance and a high voltage. The power input terminal is connected, the second end of the first resistance is connected with the emitter of the first PNP transistor, the collector of the first PNP transistor is connected with the first end of the third resistance, the base of the first PNP transistor and the base of the second PNP transistor, the second end of the second resistance is connected with the emitter of the second PNP transistor, and the collector of the second PNP transistor is connected with the cathode of the photodiode. The anode of the photodiode and the second end of the third resistance are grounded. The utility model has the advantages of high current precision and good consistency of aging conditions.
【技术实现步骤摘要】
光组件的高压电流源电路及光组件
本技术涉及光组件领域,尤其涉及一种光组件的高压电流源电路及光组件。
技术介绍
光组件的高压电流源电路应用于光组件在高压条件下,给光组件提供一定的电流或提供可调的电流,电流的大小可根据实际需求进行调节。图1为现有技术中光组件的高压电流源电路一实施例的电路结构图,参照图1,该光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端VIN01、光电二极管D01和电阻R01。具体地,所述光电二极管D01的阴极与所述高压电源输入端VIN01连接,所述光电二极管D01的阳极经所述电阻R01接地。本实施例中,所述光电二极管D01正常工作的电压在其反向击穿电压电压VBR的附近,通常是比反向击穿电压电压VBR少3V左右,反向击穿电压电压VBR一般在30V到50V之间,若将所述光电二极管D01的消耗电压记为Vapd,则Vapd=VBR-3V。本实施例中的所述电阻R01用于调节所述光电二极管D01的电流I1,具体地,电流I1的计算公式如下:I1=(VIN01-Vapd)/R01,即本实施例可以通过改变所述电阻R01的阻值来改变流过所述光电二极管D01的电流I1的大小。但是,图1所示的光组件的高压电流源电路存在以下缺陷:电流精度差。当固定输出一定的电流(例如100uA)给所述光电二极管D01时,由于所述光电二极管D01本身会消耗电压Vapd,由于Vapd与反向击穿电压电压VBR紧密相关,而反向击穿电压电压VBR在30V到50V不等,这样会导致所述电阻R01两端的实际电压与理论计算值有一定的误差,当所述电阻R01的阻值一定时,流过所述光电二极管D01的电流I1的大小 ...
【技术保护点】
1.一种光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;其中:所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。
【技术特征摘要】
1.一种光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、三极管对管及光电二极管;所述三极管对管包括第一PNP三极管和第二PNP三极管;其中:所述第一电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第一电阻的第二端与所述三极管对管中的所述第一PNP三极管的发射极连接,所述第一PNP三极管的集电极分别与所述第三电阻的第一端及所述第二PNP三极管的基极连接,所述第二PNP三极管的基极还与所述第一PNP三极管的基极连接,所述第三电阻的第二端接地;所述第二电阻的第一端与所述高压电源输入端连接,所述第二电阻的第二端与所述第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极与所述光电二极管的阴极连接,所述光电二极管的阳极接地。2.如权利要求1所述的光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述高压电源输入端的电压大于或等于50V且小于或等于80V。3.一种光组件的高压电流源电路,其特征在于,所述光组件的高压电流源电路包括高压电源输入端、第一电阻、第二电阻、第三电阻、光电二极管、第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄礼杰,李丽,
申请(专利权)人:深圳市亚派光电器件有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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