一种TFT基板制造技术

本发明专利技术公开了一种TFT基板，包括基板层、薄膜晶体管、色阻层、过孔以及像素电极，其中所述过孔穿过所述色阻层使得所述像素电极与所述薄膜晶体管导通；其特征在于，所述色阻层上还设置有一凸起，所述凸起设置在所述过孔的一侧，当所述色阻层上进行PI液(聚酰亚胺液)涂布时，所述凸起能隔断所述PI液的表面张力，使其能平坦流入并填充所述过孔。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术涉及的一种TFT基板，其通过在其过孔旁设置凸起结构，来引流PI液流入所述过孔，避免PI液因其自身表面张力的问题所导致的在所述过孔的周围堆积，从而有效的避免了PI mura问题。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT基板
本专利技术涉及平面显示
，尤其是，其中的一种TFT基板。
技术介绍
现有的显示器主要包括有液晶(LiquidCrystalDisplay，LCD)显示器和OLED(OrganicLightEmittingDiode)显示器。其中的液晶显示器一般包括TFT面板，在其制造过程中，其基板上会进行PI(Polyimide，聚酰亚胺)液涂布，经过烘烤后成为配向膜，用于给液晶分子提供一个预倾角，使液晶分子的旋转方向一致。这其中所述配向膜的膜厚均一性直接影响了TFT-LCD的显示效果。随着COA(ColorfilterOnArray，彩色光阻层制备于阵列基板上)等技术的发展，TFT基板上会设置有较多的过孔(Viahole)，用于基板上设置的不同电性元件间的电性连通。这样，在所述TFT基板上进行PI液涂布时，由于所述PI液表面张力的作用，使得所述PI液无法流入过孔，进而造成所述PI液在所述过孔周围堆积，形成PImura(指显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)。当所述PI液经过烘烤成为所述配向膜后，由于所述PI液的涂布并不均匀，存在所述过孔周边堆积问题，因此，也就影响了所述配向膜的膜厚均一性，进而导致显示器亮度不均匀。因此，确有必要来开发一种新型的TFT基板，来克服现有技术中的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种TFT基板，PI液(聚酰亚胺液)能够在其上均匀涂布，进而能够形成膜厚均匀的配向膜，从而可以有效降低配向膜亮度不均匀等不良问题的发生率。为解决上述问题，本专利技术的一个实施方式提供了一种TFT基板，包括基板层、薄膜晶体管、色阻层、过孔以及像素电极，其中所述过孔穿过所述色阻层使得所述像素电极与所述薄膜晶体管导通。所述色阻层上还设置有一凸起，其设置在所述过孔的一侧，当所述色阻层上进行PI液(聚酰亚胺液)涂布时，所述凸起能隔断所述PI液的表面张力，使其能平坦流入并填充所述过孔。进一步的，其中所述凸起是由色阻材料构成，并通过曝光的方式形成。其中涉及的所述色阻材料包括R/G/B/Ps/BM等色阻材料中的一种，具体可随需要，并无限定。进一步的，其中所述曝光方式包括以半透膜光罩方式曝光。这一曝光方式优选适用于COA产品，并且是采用R/G/B等色阻材料来制备凸起的方案。进一步的，其中所述凸起的侧部向内斜向设置。例如，所述凸起可以是一个梯形构型，但不限于此。进一步的，其中所述色阻层上设置有保护层，所述凸起是单独设置在所述保护层上。其中所述凸起的单独形成只需在现有工艺增加一步制程，无需影响其他制程工艺。进一步的，其中所述凸起与所述色阻层一体成型。即，所述色阻层的局部向上凸起形成所述凸起。所述凸起与所述色阻层采用一体成型，可增加所述凸起与所述基板间的稳固性，避免其脱落。进一步的，其中所述凸起是在所述过孔制备完成后进行制备的。进一步的，其中所述基板上所述过孔对应多个凸起。进一步的，其中所述PI液(聚酰亚胺液)经过烘烤后成为配向膜。相对于现有技术，本专利技术的有益效果是：本专利技术涉及的一种TFT基板，其通过在其过孔旁设置凸起结构，来引流PI液流入所述过孔，避免PI液因其自身表面张力的问题所导致的在所述过孔的周围堆积，从而有效的避免了PImura问题。进一步的，所述PI液流入所述过孔后会将其填满，进而使得填满PI液的所述过孔与其周边的像素电极处于同一水平面。因此，在涂覆PI液以及进行取向层PI液扩散时，不会因为PI液体表面张力的原因产生扩散不均的问题，从而解决取向层PI液扩散不均的问题，提高显示质量。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种TFT基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种TFT基板的结构示意图。图中部件标识如下：1、基板层，2、薄膜晶体管，3、色阻层，4、过孔，5、像素电极，6、凸起，7、保护层。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。附图中各膜层的厚度和区域的大小形状不反映阵列基板各部件的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。实施例1如图1所示，本专利技术的一实施例提供了一种TFT基板，包括基板层1、薄膜晶体管2、色阻层3、过孔4以及像素电极5，其中过孔4穿过色阻层3使得像素电极5与薄膜晶体管2导通。其中所述色阻层3上还设置有一凸起6，其设置在过孔4的一侧，当色阻层3上进行PI液(聚酰亚胺液)涂布时，凸起6能隔断PI液的表面张力，使其能平坦流入并填充过孔4。在本实施例中，其中凸起6是由色阻材料构成，并通过曝光的方式形成。其中涉及的色阻材料包括R/G/B/Ps/BM等色阻材料中的一种，具体可随需要，并无限定。在本实施例中，其中曝光方式包括以半透膜光罩方式曝光。这一曝光方式优选适用于COA产品，并且是采用R/G/B等色阻材料来制备凸起6的方案。在本实施例中，其中凸起6的侧部向内斜向设置。例如，凸起6可以是一个梯形构型，但不限于此。其中，凸起6当然还可以为其他的多边形为了更好的实现上述效果，在本专利技术的一些具体实施例中，可将凸起6部分设计为宽度沿背离的基板层1向外延伸方向逐渐减小的多边形。如多边形为梯形，或者也可以为圆形、三角形、四边形、矩形、正方形等，只要起到破坏PI液体表面张力引流PI液流入过孔4的作用即可。在本实施例中，其中色阻层3上设置有保护层7，凸起6是单独设置在保护层7上。其中凸起6的单独形成只需在现有工艺增加一步制程，无需影响其他制程工艺。在本实施例中，其中凸起6是在过孔4制备完成后进行制备的。在本实施例中，为防止因凸起6数量不足造成PI液在过孔4周围堆积，形成PIMura，过孔4对应多个凸起6。在本实施例中，其中PI液(聚酰亚胺液)经过烘烤后成为配向膜。实施例2如图2所示，本专利技术的另一实施例提供了包括实施例1的TFT基板的所有技术方案，其区别在于，其中凸起6与色阻层3一体成型。即，色阻层3的局部向上凸起形成凸起6。凸起6与色阻层3采用一体成型，可增加凸起6与基板间的稳固性，避免其脱落。本专利技术的有益效果是：本专利技术涉及的一种TFT基板，其通过在其过孔4旁设置凸起6结构，来引流PI液流入过孔4，避免PI液因其自身表面张力的问题所导致的在过孔4的周围堆积，从而有效的避免了PImura问题。进一步的，所述PI液流入所述过孔4后会将其填满，进而使得填满PI液的所述过孔4与其周边的像素电极5处于同一水平面。因此，在涂覆PI液以及进行取向层PI液扩散时，不会因为PI液体表面张力的原因产生扩散不均的问题，从而解决取向层PI液扩散不均的问题，提高显示质量。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板，包括基板层、薄膜晶体管、色阻层、过孔以及像素电极，其中所述过孔穿过所述色阻层使得所述像素电极与所述薄膜晶体管导通；其特征在于，所述色阻层上还设置有一凸起，所述凸起设置在所述过孔的一侧，当所述色阻层上进行PI液(聚酰亚胺液)涂布时，所述凸起能隔断所述PI液的表面张力，使其能平坦流入并填充所述过孔。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，包括基板层、薄膜晶体管、色阻层、过孔以及像素电极，其中所述过孔穿过所述色阻层使得所述像素电极与所述薄膜晶体管导通；其特征在于，所述色阻层上还设置有一凸起，所述凸起设置在所述过孔的一侧，当所述色阻层上进行PI液(聚酰亚胺液)涂布时，所述凸起能隔断所述PI液的表面张力，使其能平坦流入并填充所述过孔。2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述凸起是由色阻材料构成，并通过曝光的方式形成。3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述色阻材料包括R/G/B/Ps/BM等色阻材料中的一种。4.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱清永，程全，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44