一种测试NVME SSD硬盘延迟的方法、装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种测试NVME SSD硬盘延迟的方法，在执行预写处理、读写测试后，按预设的稳态条件判断待测盘是否达到稳态，并在待测盘达到稳态后再记录延迟数据。稳态条件下的延迟数据更能反映待测盘在实际工作中的稳定表现，更能体现待测盘的实际性能，因而提高了NVMe SSD硬盘延迟测试的准确性。本发明专利技术还公开一种测试NVME SSD硬盘延迟的装置及设备，具有上述有益效果。

A Method, Device and Equipment for Testing NVME SSD Hard Disk Delay

The invention discloses a method for testing the delay of NVME SSD hard disk. After performing pre-write processing and read-write testing, the method judges whether the test disk achieves steady state according to the preset steady state condition, and records the delay data after the test disk achieves steady state. The delay data under steady state condition can better reflect the stable performance of the disk to be tested in practical work, and can better reflect the actual performance of the disk to be tested, thus improving the accuracy of the delay test of NVMe SSD hard disk. The invention also discloses a device and device for testing NVME SSD hard disk delay, which has the above beneficial effect.

【技术实现步骤摘要】
一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法、装置及设备
本专利技术涉及硬盘测试
，特别是涉及一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法、装置及设备。
技术介绍
随着信息技术的高速发展，数据呈爆炸式的增长。已经问世多年的AHCI/SATA硬盘在性能上及传输速度上渐渐力不从心，为了充分挖掘PCIe接口的性能，Intel联合多家公司开发制订了NVMe标准。NVMeSSD硬盘比SATASSD硬盘读写性能提高将近6倍。SNIA组织发布了PTS(性能测试规范)用来指导如何准确的测试出SSD的性能。FIO是常用的硬盘性能测试工具，能对硬盘进行iops、带宽、latency延迟等测试。但是，应用现有技术中的测试工具对NVMeSSD硬盘进行延迟测试时，常常发生测试结果与NVMeSSD硬盘实际应用中的延迟表现不一致的情况。如何提高NVMeSSD硬盘延迟测试的准确性，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法、装置及设备，用于提高NVMeSSD硬盘延迟测试的准确性。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法，包括：根据预设规则对待测盘进行读写测试；判断所述待测盘是否达到预设的稳态条件；如果是，则停止所述读写测试，并记录所述待测盘的延迟数据；如果否，则返回所述根据预设规则对待测盘进行读写测试的步骤。可选的，所述根据预设规则对待测盘进行读写测试，具体包括：接收设置的写参数，根据所述写参数对所述待测盘执行预写处理；接收设置的测试参数，根据所述测试参数对所述待测盘执行读写测试。可选的，所述判断所述待测盘是否达到稳态条件，具体为是否同时满足以下公式：tmax-tmin≤tave×ats＜tave×b其中，所述tmax为测量窗口内的延迟时间最大值，所述tmin所述测量窗口内的延迟时间最小值，所述tave为所述测量窗口内的延迟时间平均值，所述ts为所述测量窗口内的延迟曲线斜率，所述a和所述b均为预设的常数。可选的，所述判断所述待测盘是否达到预设的稳态条件，具体为判断所述读写测试的轮数是否达到预设轮数。可选的，所述写参数的类型具体包括写缓存功能、IO流数量、线程数、数据模式和写容量。可选的，所述测试参数的类型具体包括块容量、读写比例。可选的，在所述停止所述读写测试，并记录所述待测盘的延迟数据之后，还包括：根据预设规则处理所述延迟数据，生成数据图表。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种测试NVMESSD硬盘延迟的装置，包括：测试单元，用于根据预设规则对待测盘进行读写测试；判断单元，用于判断所述待测盘是否达到预设的稳态条件；如果是，则进入记录单元，如果否，则返回所述测试单元；所述记录单元，用于停止所述读写测试，并记录所述待测盘的延迟数据。可选的，还包括：制图单元，用于在所述记录单元停止所述读写测试，并记录所述待测盘的延迟数据之后，根据预设规则处理所述延迟数据，生成数据图表。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种测试NVMESSD硬盘延迟的设备，包括：存储器，用于存储指令，所述指令包括上述任意一项所述测试NVMESSD硬盘延迟的方法的步骤；处理器，用于执行所述指令。现有技术中的测试工具将刚拆箱的待测盘直接投入测试，并以一段时间内的测试平均值作为待测盘的延迟测试结果，但是观察延迟测试的曲线可以看到，待测盘从开箱到应用的过程中性能会有较大变化，取这段时间的测试平均值并非待测盘的实际性能。通过观察测试曲线可以看到，待测盘基本会经历三个阶段，即开箱阶段、过渡阶段和稳态阶段，之后性能保持稳定。本专利技术所提供的测试NVMESSD硬盘延迟的方法，在执行预写处理、读写测试后，按预设的稳态条件判断待测盘是否达到稳态，并在待测盘达到稳态后再记录延迟数据。稳态条件下的延迟数据更能反映待测盘在实际工作中的稳定表现，更能体现待测盘的实际性能，因而提高了NVMeSSD硬盘延迟测试的准确性。本专利技术还提供一种测试NVMESSD硬盘延迟的装置及设备，具有上述有益效果，在此不再赘述。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种步骤S10的具体实施方式的流程图；图3为本专利技术实施例提供的另一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法的流程图；图4为本专利技术实施例提供的一种测试NVMESSD硬盘延迟的装置的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种测试NVMESSD硬盘延迟的装置的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种测试NVMESSD硬盘延迟的设备的结构示意图。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法、装置及设备，用于提高NVMeSSD硬盘延迟测试的准确性。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中的测试工具将刚拆箱的待测盘直接投入测试，并以一段时间内的测试平均值作为待测盘的延迟测试结果，但是观察延迟测试的曲线可以看到，待测盘从开箱到应用的过程中性能会有较大变化，取这段时间的测试平均值并非待测盘的实际性能。通过观察测试曲线可以看到，待测盘基本会经历三个阶段，即开箱阶段、过渡阶段和稳态阶段，之后性能保持稳定。因此待测盘稳态阶段的延迟值相比于三个阶段延迟值的平均值更加贴近待测盘的真实性能。图1为本专利技术实施例提供的一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法的流程图。图2为本专利技术实施例提供的一种步骤S10的具体实施方式的流程图。如图1所示，测试NVMESSD硬盘延迟的方法包括：S10：根据预设规则对待测盘进行读写测试。根据预设的规则对待测盘进行读写测试。如图2所示，在具体实施中，根据预设规则对待测盘进行读写测试可以包括：S20：接收设置的写参数，根据写参数对待测盘执行预写处理。根据预设的写参数或者用户输入的写参数对待测盘进行预写处理，即不相关负载WIPC(WorkloadIndependentPreconditioning)处理。写参数的类型具体可以包括写缓存功能、IO流数量、线程数、数据模式和写容量等。一种写参数设置方案为：写缓存功能为disable，IO流数量为1，线程数为1，数据模式设置为随机模式，写容量为128k。对待测盘进行128k的顺序写，一直写到待测盘容量的2倍。优选的，在对待测盘进行预写处理之前，为了保证待测盘处于统一的测试条件下，对待测盘进行初始化操作，如清空缓存，安全擦除，低级格式化等，让待测盘处于一个干净统一的状态下。S21：接收设置的测试参数，根据测试参数对待测盘执行读写测试。接收预设的测试参数或者用户输入的测试参数。测试参数的类型具体可以包括块容量、读写比例等。一种测试参数设置方案为块容量分别为8K，4K，0.5K，读写比例分别为100/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试NVME SSD硬盘延迟的方法，其特征在于，包括：根据预设规则对待测盘进行读写测试；判断所述待测盘是否达到预设的稳态条件；如果是，则停止所述读写测试，并记录所述待测盘的延迟数据；如果否，则返回所述根据预设规则对待测盘进行读写测试的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种测试NVMESSD硬盘延迟的方法，其特征在于，包括：根据预设规则对待测盘进行读写测试；判断所述待测盘是否达到预设的稳态条件；如果是，则停止所述读写测试，并记录所述待测盘的延迟数据；如果否，则返回所述根据预设规则对待测盘进行读写测试的步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设规则对待测盘进行读写测试，具体包括：接收设置的写参数，根据所述写参数对所述待测盘执行预写处理；接收设置的测试参数，根据所述测试参数对所述待测盘执行读写测试。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述待测盘是否达到稳态条件，具体为是否同时满足以下公式：tmax-tmin≤tave×ats＜tave×b其中，所述tmax为测量窗口内的延迟时间最大值，所述tmin所述测量窗口内的延迟时间最小值，所述tave为所述测量窗口内的延迟时间平均值，所述ts为所述测量窗口内的延迟曲线斜率，所述a和所述b均为预设的常数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述待测盘是否达到预设的稳态条件，具体为判断所述读写测试的轮数是否达到预设轮数。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛冬玲，王朋，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41