辐射装置制造方法及图纸

本公开提出一种辐射装置，包括：一晶体管基板，一第一晶体管及一第二晶体管设置于晶体管基板上；一第一电极垫及一第二电极垫设置于晶体管基板上；以及一第一导线及一第二导线设置于晶体管基板上。第一电极垫邻近于第一晶体管设置，第二电极垫邻近于第二晶体管设置。第一晶体管透过第一导线与第一电极垫电性连接，第二晶体管透过第二导线与第二电极垫电性连接。其中第一晶体管与第一电极垫之间的距离小于第二晶体管与第二电极垫之间的距离，且第一导线的总面积和第二导线的总面积的比值介于0.8至1.2之间。

Radiation device

A radiation device is proposed, which includes a transistor substrate, a first transistor and a second transistor arranged on the transistor substrate, a first electrode pad and a second electrode pad arranged on the transistor substrate, and a first conductor and a second conductor arranged on the transistor substrate. The first electrode pad is adjacent to the first transistor setting, and the second electrode pad is adjacent to the second transistor setting. The first transistor is electrically connected with the first electrode pad through the first wire, and the second transistor is electrically connected with the second electrode pad through the second wire. The distance between the first transistor and the first electrode pad is less than that between the second transistor and the second electrode pad, and the ratio of the total area of the first conductor to the total area of the second conductor is between 0.8 and 1.2.

【技术实现步骤摘要】
辐射装置
本公开是有关于一种电子装置，且特别有关于一种包含液晶的辐射装置。
技术介绍
辐射装置中的可调制单元的分布位置并不均一，而用以控制各个可调制单元的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)却是规则地矩阵式排列，因此各个薄膜晶体管连接到可调制单元的距离都不相同。不同长度的导线所形成的耦合电容会影响输出到可调制单元的操作电压，而造成无法理想地操作可调制单元的问题。因此，目前需要解决辐射装置中各走线所产生的耦合电容不一致的问题。
技术实现思路
有鉴于上述的问题点，本公开提出一种辐射装置，包括：一晶体管基板，一第一晶体管及一第二晶体管设置于该晶体管基板上，一第一电极垫及一第二电极垫设置于该晶体管基板上，以及一第一导线及一第二导线设置于该晶体管基板上。该第一电极垫邻近于该第一晶体管设置，该第二电极垫邻近于该第二晶体管设置。该第一晶体管透过该第一导线与该第一电极垫电性连接，该第二晶体管透过该第二导线与该第二电极垫电性连接。其中该第一晶体管与该第一电极垫之间的距离小于该第二晶体管与该第二电极垫之间的距离，且该第一导线的总面积和该第二导线的总面积的比值介于0.8至1.2之间。综上所述，本公开的辐射装置对导线做各种设计，借此使导线产生的耦合电容接近，而使辐射装置的操作能更均匀稳定。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1是显示有关于本公开的辐射装置的控制面板的上视示意图。图2是显示图1的控制面板的A-A’线剖面图。图3A及图3B是显示本公开的实施例1中两组晶体管及电极垫的上视示意图。图4A及图4B是显示本公开的实施例1中两组晶体管及电极垫的部分的等效电路图。图5A及图5B是显示本公开的实施例2中两组晶体管及电极垫的上视示意图。图6A及图6B是显示本公开的实施例3中两组晶体管及电极垫的上视示意图。图7A及图7B是显示本公开的实施例4中两组晶体管及电极垫的上视示意图。图8A及图8B是显示本公开的实施例5中两组晶体管及电极垫的上视示意图。【符号说明】1控制面板11晶体管基板12对侧基板13介质层110晶体管110A第一晶体管110B第二晶体管111电极垫111A第一电极垫111B第二电极垫112开口113导线113A、113A_1、113A_2、113A_3、113A_4第一导线113B、113B_4第二导线113A1、113A_11、113A_21、113A_31、113A_41、113B1第一部分113A2、113A_12、113A_22、113A_32、113A_42第二部分113A_13第三部分113A_14第四部分113A_35第五部分114A、114B源极115A、115B漏极116A、116B栅极118A、118B半导体层121对侧电极140第一绝缘层142第二绝缘层Cst、CstA1、CstA2、CstB电容D1第一方向D2第二方向D3第三方向P可调制单元具体实施方式以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本公开的不同特征。以下特定例子所描述的组件和排列方式，仅用来精简地表达本公开，其仅作为例子，而并非用以限制本公开。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以致于第一和第二特征并不是直接接触。本说明书的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释的目的，并非用以对应于以及限制专利范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定是相同或是不同的特征。于此使用的空间上相关的词汇，例如上方或下方等，仅用以简易描述图式上的一组件或一特征相对于另一组件或特征的关系。除了图式上描述的方位外，还包括不同的方位使用或是操作的装置。图式中的形状、尺寸、以及厚度可能为了清楚说明的目的而未依照比例绘制或是被简化，仅提供说明之用。图1是显示有关于本公开的辐射装置的控制面板的上视示意图。图2是显示图1的控制面板的A-A’线剖面图。如图1所示，本公开的辐射装置中的控制面板1包括多个晶体管110以及多个可调制单元P，多个晶体管110是以矩阵状排列(示意图仅显示一部分的晶体管110)。本公开的辐射装置可为天线装置，可操作在高频率范围，例如可以是液晶天线，但不限定于此。在一实施例中，高频范围例如大于或等于1吉赫(GHz)且小于或等于80吉赫(GHz)，在另一实施例中，高频范围例如大于或等于1吉赫(GHz)且小于或等于50吉赫(GHz)。本公开中的晶体管，可例如为薄膜晶体管，但不以此为限，其他适合的晶体管亦可应用于本公开中。多个可调制单元P(示意图仅显示一部分的可调制单元P)可不均一地设置于控制面板1。可调制单元P包括电极垫111以及对侧电极121。可调制单元P的电极垫111可透过一条导线113与邻近的晶体管110电性连接。借此，可借由控制晶体管110而独立地控制各个可调制单元P，而可发射或接收无线信号。如图2所示，本公开的辐射装置中的控制面板1是由晶体管基板11、对侧基板12以及介质层13所组成，对侧基板12与晶体管基板11对应设置，介质层13设置于晶体管基板11和对侧基板12之间。在本实施例中，介质层13可包含具有高双折射特性的材料，例如液晶，但不以此为限。控制面板1中的可调制单元P可控制介质层13发射或接收高频辐射信号。在晶体管基板11侧，可形成晶体管110、导线113及电极垫111。在本实施例中，导线113可形成于第一绝缘层140上。导线113可由导电材料所形成，可例如包含金属或透明导电材料，但不以此为限。导线113的一端可电性连接晶体管110，导线113的另一端可电性连接电极垫111。详细而言，可设置第二绝缘层142于导线113上，电极垫111可设置于第二绝缘层142上。第二绝缘层142可具有通孔，电极垫111可透过通孔与导线113电性连接。在对侧基板12侧，对侧电极121可设置于对侧基板12的面向介质层13的表面上。对侧电极121可具有开口112，开口112对应电极垫111设置。在实施例中，开口112在晶体管基板11的法线方向上与电极垫111部分重叠，而电极垫111在晶体管基板11的法线方向上与对侧电极121部分重叠。对侧电极121的一部分和电极垫111形成可调制单元P。在上述结构中，电极垫111可为导电性高的金属(例如包含金、银、铜等)，或者其合金，但不以此为限。电极垫111也可以是不同的金属堆栈的结构，例如铜与钼堆栈的结构，但不以此为限。以上说明了本公开的辐射装置的控制面板1的基本结构。然而，如图1所示，由于晶体管110距离电极垫111的距离不同，使得电性连接晶体管110与电极垫111的导线113具有不同的长度。长度不同的导线113形成不同的耦合电容，会让晶体管110输送到电极垫111的电压不同，而使辐射装置的操作无法均匀稳定。图3A及图3B是显示本公开的实施例1中两组晶体管及电极垫的上视示意图。图4A及图4B是显示本公开的实施例1中两组晶体管及电极垫的部分的等效电路图。在图3A及图3B中，第一晶体管110A及第二晶体管110B是多个晶体管110中的其中两个，第一电极垫111A及第二电极垫111B是多个电极垫111中的其中两个。详细而言，辐射装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射装置，其特征在于包括：一晶体管基板；一第一晶体管及一第二晶体管，设置于该晶体管基板上；一第一电极垫及一第二电极垫，设置于该晶体管基板上，该第一电极垫邻近于该第一晶体管设置，该第二电极垫邻近于该第二晶体管设置；以及一第一导线及一第二导线，设置于该晶体管基板上，该第一晶体管透过该第一导线与该第一电极垫电性连接，该第二晶体管透过该第二导线与该第二电极垫电性连接，其中，该第一晶体管与该第一电极垫之间的距离小于该第二晶体管与该第二电极垫之间的距离，且该第一导线的总面积和该第二导线的总面积的比值介于0.8至1.2之间。

【技术特征摘要】
2017.07.06 US 62/528,9991.一种辐射装置，其特征在于包括：一晶体管基板；一第一晶体管及一第二晶体管，设置于该晶体管基板上；一第一电极垫及一第二电极垫，设置于该晶体管基板上，该第一电极垫邻近于该第一晶体管设置，该第二电极垫邻近于该第二晶体管设置；以及一第一导线及一第二导线，设置于该晶体管基板上，该第一晶体管透过该第一导线与该第一电极垫电性连接，该第二晶体管透过该第二导线与该第二电极垫电性连接，其中，该第一晶体管与该第一电极垫之间的距离小于该第二晶体管与该第二电极垫之间的距离，且该第一导线的总面积和该第二导线的总面积的比值介于0.8至1.2之间。2.如权利要求1所述的辐射装置，其特征在于：该第一导线的长度和该第二导线的长度的比值介于0.8至1.2之间。3.如权利要求1所述的辐射装置，其特征在于：该第一导线具有一第一部分沿一第一方向延伸，该第二导线具有一第一部分沿一第二方向延伸，且该第一导线的该第一部分的宽度大于该第二导线的该第一部分的宽度。4.如权利要求1所述的辐射装置，其特征在于：该第一导线具有一第一部分和一第二部分，该第一导线的该第一部分连接该第二部分，该第一导线的该第一部分沿一第一方向延伸，该第一导线的该第二部分沿一第三方向延伸，且该第一方向和该第三方向不同。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宜宏，丁景隆，何家齐，李宜音，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71