The invention discloses a dimming control circuit and method, which permits power transistors to work at high level of PWM dimming signal, prohibits power transistors to work at low level of PWM dimming signal with a delay time, and reduces the frequency reduction of circuits in deep dimming application by setting a delay time. Noise of the system. At the same time, it can also improve the efficiency of the system when the LED driver circuit is in deep dimming.
【技术实现步骤摘要】
调光控制电路、方法及应用其的LED驱动电路
本专利技术涉及一种电力电子技术,更具体地说,涉及一种应用于LED驱动电路中的调光控制电路及控制方法。
技术介绍
在LED调光应用中,当负载较轻时,LED驱动电路中的功率变换器的转换效率会很低。因此,为了提高效率,在LED驱动电路的设计中,一般会对调光深度较深时的控制方式做特殊的处理。当需要调光至1%甚至更低时,单纯减小电感的峰值电流很难实现这么低的深度,通常的做法是通过降低工作频率,以实现能量的减小。但是采用这种方式,降频可能降至音频,尤其10kHz附近,声音很大,难以满足噪声测试标准。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种调光控制电路,以解决现有调光深度较深时难以实现以及噪声大的问题。第一方面,提供一种,调光控制电路,应用于一LED驱动电路中,其特征在于,所述调光控制电路包括:调节电路,用以当所述PWM调光信号的占空比不大于第一阈值时,生成具有第一占空比的调节信号,以控制所述LED驱动电路中的功率晶体管的开关状态,所述调节信号的第一占空比大于所述PWM调光信号的占空比,且所述第一阈值根据所述PWM调光信号的频率和音频噪声范围来确定。优选地,还包括:恒流控制电路,用以根据所述PWM调光信号和反馈信号,生成恒流控制信号,逻辑电路,用以根据所述恒流控制信号以及所述调节信号,生成所述LED驱动电路中的功率晶体管的控制信号,其中,当所述PWM调光信号的占空比大于所述第一阈值时,所述调节信号的占空比为100%。优选地,根据所述PWM调光信号的占空比的数值,调节所述第一占空比的数值。优选地,所述调节信号,在所述PWM信号 ...
【技术保护点】
1.一种调光控制电路,应用于一LED驱动电路中,其特征在于,所述调光控制电路包括:调节电路,用以当所述PWM调光信号的占空比不大于第一阈值时,生成具有第一占空比的调节信号,以控制所述LED驱动电路中的功率晶体管的开关状态,所述调节信号的第一占空比大于所述PWM调光信号的占空比,且所述第一阈值根据所述PWM调光信号的频率和音频噪声范围来确定。
【技术特征摘要】
1.一种调光控制电路,应用于一LED驱动电路中,其特征在于,所述调光控制电路包括:调节电路,用以当所述PWM调光信号的占空比不大于第一阈值时,生成具有第一占空比的调节信号,以控制所述LED驱动电路中的功率晶体管的开关状态,所述调节信号的第一占空比大于所述PWM调光信号的占空比,且所述第一阈值根据所述PWM调光信号的频率和音频噪声范围来确定。2.根据权利要求1所述的调光控制电路,其特征在于,还包括:恒流控制电路,用以根据所述PWM调光信号和反馈信号,生成恒流控制信号,逻辑电路,用以根据所述恒流控制信号以及所述调节信号,生成所述LED驱动电路中的功率晶体管的控制信号,其中,当所述PWM调光信号的占空比大于所述第一阈值时,所述调节信号的占空比为100%。3.根据权利要求1所述的调光控制电路,其特征在于,根据所述PWM调光信号的占空比的数值,调节所述第一占空比的数值。4.根据权利要求3所述的调光控制电路,其特征在于,所述调节信号,在所述PWM信号为高电平时,被置为高电平,此时允许所述功率晶体管工作;在所述PWM信号跳变为低电平后,延时一段延时时间后跳变为低电平,此时禁止所述功率晶体管工作。5.根据权利要求4所述的调光控制电路,其特征在于,所述延时时间与所述PWM调光信号的占空比呈正相关关系。6.根据权利要求4所述的调光控制电路,其特征在于,调节所述延时时间的时长,可以改变所述第一阈值的数值。7.根据权利要求1所述的调光控制电路,其特征在于,所述调节电路包括:电流源电路,其电流值与所述PWM调光信号的占空比呈负相关关系;第一开关,与所述电流源...
【专利技术属性】
技术研发人员:王龙奇,王建新,
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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