一种甘薯的节水栽培方法技术

本发明专利技术提供了一种甘薯的节水栽培方法，属于农业生产技术领域。本发明专利技术的栽培方法包括：1)入冬后，将土壤翻耕，晾垡；2)在薯苗栽插前的5～7d，先将所述晾垡土地造墒施肥和起垄；3)将薯苗与水平面成40～50°栽插到垄上，栽深为5～7cm，地上部留顶部3片展开叶，其余部分连同叶片全部埋入土中，薯苗整体呈船型；4)栽插薯苗后覆盖地膜，将薯苗放出膜外，并用土覆盖封住薯苗周围的膜口。采用本发明专利技术提供的方法栽培甘薯，亩产量在5000Kg以上，相较于对比例1提高1500Kg以上，商品率提高15％左右。

【技术实现步骤摘要】
一种甘薯的节水栽培方法
本专利技术属于农业生产
，具体涉及一种甘薯的节水栽培方法。
技术介绍
甘薯(IpomoeabatatasL.)是世界上重要的粮食、饲料作物，也是重要的工业原料及新型能源材料。甘薯高产、稳产、适应性强，根据世界粮农组织统计数据，2016年我国甘薯种植面积为4922万亩，总产为7057万吨，居世界第一位。但现有技术中，甘薯栽培时多采用直接起垄覆盖栽培，覆膜后再浇水，通过侧渗将水补充到垄内，但这样需要多次浇水，易造成水的浪费，且水分补充不均匀，对薯形造成不良的影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种甘薯的节水栽培方法，为了解决上述问题，本专利技术提供了以下技术方案：本专利技术提供了一种甘薯的节水栽培方法，包括如下步骤：1)入冬后，将土壤翻耕，晾垡，得到晾垡土地；2)在薯苗栽插前的5～7d，先将所述晾垡土地造墒施肥和起垄，得到起垄后的土地；所述造墒施肥和起垄的方法为：将所述晾垡土地按40～50m3/亩的量浇水，再施入底肥后起垄；3)将薯苗与水平面成40～50°栽插到垄上，栽深为5～7cm，所述薯苗的地上部分留顶部3片展开叶，所述薯苗的其余部分全部埋入土中，栽插后的薯苗整体呈船型；4)栽插薯苗后覆盖地膜，将所述薯苗的地上部分放出膜外，并用土覆盖封住薯苗周围的膜开口。优选的，所述步骤1)中翻耕的深度为25～30cm。优选的，所述步骤2)中底肥包括三元复合肥和土杂肥；所述三元复合肥中氮磷钾的质量比为10:10:20；所述土杂肥的施肥量为900～1100Kg/亩。优选的，所述步骤2)中起垄的垄距为80～90cm，垄高为28～32cm。优选的，所述步骤3)中栽插的密度为3400～3600株/亩。优选的，所述薯苗通过以下方法得到：在薯苗在栽插的1～2d前采苗，再用350～450倍稀释的多菌灵或550～650倍稀释的甲基托布津浸泡薯苗下端10～20min；所述薯苗的下端浸泡的长度为6～10cm。优选的，在栽插薯苗时还包括在栽插薯苗的窝内撒施辛硫磷颗粒剂；所述辛硫磷颗粒剂的施用量为2～3Kg/亩。优选的，在栽插薯苗后的第1～3d内喷施50％乙草胺乳油300倍稀释液；所述50％乙草胺乳油300倍稀释液的喷施量为40～60L/亩。优选的，在生长中后期，雨后排出田间积水。优选的，当薯苗的茎叶徒长时，每亩喷施体积浓度为10％的多效唑50～80g/次，连续喷施2～3次，每次喷施的间隔为6～8d。本专利技术提供了一种节水的甘薯栽培方法，在薯苗栽植前一次底墒水，并在栽植后覆盖地膜来降低垄内水分蒸腾损耗，同时保证垄内土壤疏松，含水量均匀适中，在整个生育期不需要再浇水，实现亩节水40～50m3。同时本专利技术提供的栽培方法，由于土壤疏松，含水量适中，薯苗易扎根，而且在栽苗前一次底墒水，土壤中水分均匀，避免采用罐沟补水时，由于水只能从沟底侧渗至垄内，使垄内靠近垄顶的土壤无法得到水分补充，导致甘薯根系下扎，薯形出现畸形，从而提供薯形品质。实施例结果表明，采用本专利技术提供的方法栽培甘薯，亩产量在5000Kg以上，相较于对比例1提高1500Kg以上，商品率提高15％左右。具体实施方式本专利技术提供了一种节水的甘薯栽培方法，包括如下步骤：1)入冬后，将土壤翻耕，晾垡，得到晾垡土地；2)在薯苗栽插前的5～7d，先将所述晾垡土地造墒施肥和起垄，得到起垄后的土地；所述造墒施肥和起垄的方法为：将所述晾垡土地按40～50m3/亩的量浇水，再施入底肥后起垄；3)将薯苗与水平面成40～50°栽插到垄上，栽深为5～7cm，所述薯苗的地上部分留顶部3片展开叶，所述薯苗的其余部分全部埋入土中，栽插后的薯苗整体呈船型；4)栽插薯苗后覆盖地膜，将所述薯苗的地上部分放出膜外，并用土覆盖封住薯苗周围的膜开口。本专利技术在入冬后，将土壤翻耕，晾垡，得到晾垡土地。本专利技术中，所述翻耕的深度优先为25～30cm，更优选为28cm。本专利技术在薯苗栽插前的5～7d，先将所述晾垡土地造墒施肥和起垄，得到起垄后的土地；所述造墒施肥和起垄的方法为：将所述晾垡土地按40～50m3/亩的量浇水，再施入底肥后起垄。本专利技术中，所述造墒施肥和起垄的方法优选为：按45m3/亩浇水后晾晒6d，再施入底肥后起垄。本专利技术中，所述底肥优选为三元复合肥和土杂肥。所述三元复合肥中氮磷钾的质量比优选为10:10:20。所述三元复合肥的施用量优选为45～55Kg/亩，更优选为50Kg/亩。所述土杂肥的施肥量优选为900～1100Kg，更优选为1000Kg。本专利技术对所述三元复合肥和土杂肥的来源没有特殊限定，采用本领域常规市售产品即可。本专利技术实施例中购买自河北卓峰化肥有限公司。本专利技术中，所述起垄的垄距优选为80～90cm，更优选为85cm。所述起垄的垄高优选为28～32cm，更优选为30cm。所述垄的走向优选为南北走向。本专利技术将薯苗与水平面成40～50°栽插到垄上，栽深为5～7cm，所述薯苗的地上部分留顶部3片展开叶，所述薯苗的其余部分全部埋入土中，栽插后的薯苗整体呈船型。本专利技术中，栽插薯苗的时期优选为4月下旬。本专利技术中，所述薯苗的高度优选为23～28cm，更优选为25cm。本专利技术对所述薯苗的来源没有特殊限定，采用本领域常规市售产品即可。本专利技术实施例中采用济薯26。本专利技术中，所述薯苗优选通过以下方法得到：在薯苗栽插前的1～2d采苗。采苗后，优选用350～450倍的多菌灵或550～650倍的甲基托布津将薯苗下端浸泡10～20min。本专利技术中，所述多菌灵优选为400倍。所述甲基托布津优选为600倍。本专利技术中所述浸泡的时间优选为15min。本专利技术中，薯苗的下端浸入的长度优选为6～10cm，更优选为8cm。本专利技术中，将薯苗下端浸泡350～450倍的多菌灵或550～650倍的甲基托布津可以将薯苗根部伤口进行杀菌处理。本专利技术对所述多菌灵和甲基托布津的来源没有特殊限定，采用本领域常规市售产品即可。本专利技术实施例中购买自江苏龙灯化学有限公司。本专利技术中，在栽插薯苗时优选还包括在栽插薯苗的窝内撒施辛硫磷颗粒剂。本专利技术中，所述辛硫磷颗粒剂的施用量优选为2～3Kg/亩，更优选为2.5Kg/亩。本专利技术中，在栽插薯苗时撒施辛硫磷颗粒剂可以防治茎线虫病。本专利技术对所述辛硫磷颗粒的来源没有特殊限定，采用本领域常规市售产品即可。本专利技术实施例中所述辛硫磷颗粒购买自河南倍尔农化有限公司。本专利技术，栽插薯苗后覆盖地膜，将所述薯苗的地上部分放出膜外，并用土覆盖封住薯苗周围的膜开口。本专利技术中，在栽插薯苗后的1～3d内优选喷施50％乙草胺乳油280～320倍稀释液，更优选为喷施50％乙草胺乳油300倍稀释液。本专利技术中，所述50％乙草胺乳油280～320倍稀释液的喷施量优选为40～60L/亩，更优选为45L/亩。本专利技术中，喷施50％乙草胺乳油280～320倍稀释液可以防除杂草。本专利技术中，在栽插薯苗4～5d后优选进行查苗，补栽缺苗。本专利技术中，在生长中后期，雨后优选排出田间积水。本专利技术中，当薯苗的茎叶徒长时，优选每亩喷施体积浓度为10％的多效唑50～80g，更优选为每亩喷施70g。所述喷施的次数优选为2～3次。每次喷施的间隔优选为6～8d，更优选为7d。本专利技术中，待季节气温降至18℃以下，霜降前收获甘薯。为了进一步说明本专利技术，下面结合实施例对本专利技术提供的技术方案进行详细本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种甘薯的节水栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：1)入冬后，将土壤翻耕，晾垡，得到晾垡土地；2)在薯苗栽插前的5～7d，先将所述晾垡土地造墒施肥和起垄，得到起垄后的土地；所述造墒施肥和起垄的方法为：将所述晾垡土地按40～50m3/亩的量浇水，晾晒5～7d，再施入底肥后起垄；3)将薯苗与水平面成40～50°栽插到垄上，栽深为5～7cm，所述薯苗的地上部分留顶部3片展开叶，所述薯苗的其余部分全部埋入土中，栽插后的薯苗整体呈船型；4)栽插薯苗后覆盖地膜，将所述薯苗的地上部分放出膜外，并用土覆盖封住薯苗周围的膜口。

【技术特征摘要】
1.一种甘薯的节水栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：1)入冬后，将土壤翻耕，晾垡，得到晾垡土地；2)在薯苗栽插前的5～7d，先将所述晾垡土地造墒施肥和起垄，得到起垄后的土地；所述造墒施肥和起垄的方法为：将所述晾垡土地按40～50m3/亩的量浇水，晾晒5～7d，再施入底肥后起垄；3)将薯苗与水平面成40～50°栽插到垄上，栽深为5～7cm，所述薯苗的地上部分留顶部3片展开叶，所述薯苗的其余部分全部埋入土中，栽插后的薯苗整体呈船型；4)栽插薯苗后覆盖地膜，将所述薯苗的地上部分放出膜外，并用土覆盖封住薯苗周围的膜口。2.根据权利要求1所述的节水栽培方法，其特在在于，所述步骤1)中翻耕的深度为25～30cm。3.根据权利要求1所述的节水栽培方法，其特征在于，所述步骤2)中底肥包括三元复合肥和土杂肥；所述三元复合肥中氮磷钾的质量比为10:10:20；所述三元复合肥的施用量为45～55Kg/亩；所述土杂肥的施肥量为900～1100Kg/亩。4.根据权利要求1或3所述的节水栽培方法，其特征在于，所述步骤2)中起垄的垄距为80～90cm，垄高为28～32cm。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：马志民，韩美坤，刘兰服，胡亚亚，胡阿丽，王亚楠，焦伟静，高志远，
申请(专利权)人：河北省农林科学院粮油作物研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13