LED驱动装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种的LED驱动装置。LED驱动装置包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第四电阻、第五电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第六电阻和LED灯。利用该发明专利技术可以防止整个电路损坏或者老化加快。

【技术实现步骤摘要】
LED驱动装置
本专利技术涉及照明技术，尤其涉及到LED驱动装置。
技术介绍
在LED驱动过程中，温度过热会使得整个电路损坏或者老化加快，为此设计了带有过热调节的LED驱动装置。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种带有过热调节的LED驱动装置。LED驱动装置，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第四电阻、第五电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第六电阻和LED灯：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的基极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第三电阻的一端接所述电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一PNP管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，漏极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，源极接地；所述第四电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第五电阻的一端，另一端接地；所述第五电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第四电阻的一端，另一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第五电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第六电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第六电阻的一端接所述第二PMOS管的漏极，另一端接所述LED灯的P极；所述LED灯的P极接所述第六电阻的一端，N极接地。正常情况下，通过所述第一电阻和所述第二电阻分压使得所述第一PNP管不导通，这样所述第一NMOS管的栅极拉高到电源电压VCC而导通，所述第四电阻被短路，所述第一PMOS管、所述第五电阻和所述第一NMOS管构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管的阈值电压再除以所述第五电阻的电阻值；当温度升高时，所述第二电阻采用的负温度系数的热敏电阻NTC，这样就使得所述第一PNP管导通把所述第一NMOS管的栅极拉低而不导通，所述第一PMOS管、所述第五电阻和所述第四电阻构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管的阈值电压再除以所述第五电阻和所述第四电阻的两个电阻值之和；显然当所述第一NMOS管的栅极为低电平时的电流小些，也即是温度升高时驱动所述LED灯的电流就会小些。附图说明图1为本专利技术的LED驱动装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。LED驱动装置，如图1所示，包括第一电阻101、第二电阻102、第三电阻103、第一PNP管104、第一NMOS管105、第四电阻106、第五电阻107、第一PMOS管108、第二PMOS管109、第六电阻110和LED灯111：所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管104的基极和所述第二电阻102的一端；所述第二电阻102的一端接所述第一电阻101的一端和所述第一PNP管104的基极，另一端接地；所述第三电阻103的一端接所述电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管104的发射极和所述第一NMOS管105的栅极；所述第一PNP管104的基极接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻102的一端，集电极接地，发射极接所述第三电阻103的一端和所述第一NMOS管105的栅极；所述第一NMOS管105的栅极接所述第三电阻103的一端和所述第一PNP管104的发射极，漏极接所述第四电阻106的一端和所述第五电阻107的一端，源极接地；所述第四电阻106的一端接所述第一NMOS管105的漏极和所述第五电阻107的一端，另一端接地；所述第五电阻107的一端接所述第一NMOS管105的漏极和所述第四电阻106的一端，另一端接所述第一PMOS管108的栅极和漏极和所述第二PMOS管109的栅极；所述第一PMOS管108的栅极和漏极接在一起再接所述第五电阻107的一端和所述第二PMOS管109的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管109的栅极接所述第五电阻107的一端和所述第一PMOS管108的栅极和漏极，漏极接所述第六电阻110的一端，源极接电源电压VCC；所述第六电阻110的一端接所述第二PMOS管109的漏极，另一端接所述LED灯111的P极；所述LED灯111的P极接所述第六电阻110的一端，N极接地。正常情况下，通过所述第一电阻101和所述第二电阻102分压使得所述第一PNP管104不导通，这样所述第一NMOS管105的栅极拉高到电源电压VCC而导通，所述第四电阻106被短路，所述第一PMOS管108、所述第五电阻107和所述第一NMOS管105构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管108的阈值电压再除以所述第五电阻107的电阻值；当温度升高时，所述第二电阻102采用的负温度系数的热敏电阻NTC，这样就使得所述第一PNP管104导通把所述第一NMOS管105的栅极拉低而不导通，所述第一PMOS管108、所述第五电阻107和所述第四电阻106构成电流产生电路，该电流等于电源电压VCC减去所述第一PMOS管108的阈值电压再除以所述第五电阻107和所述第四电阻106的两个电阻值之和；显然当所述第一NMOS管105的栅极为低电平时的电流小些，也即是温度升高时驱动所述LED灯111的电流就会小些。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.LED驱动装置，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第四电阻、第五电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第六电阻和LED灯；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的基极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第三电阻的一端接所述电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一PNP管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射极，漏极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，源极接地；所述第四电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第五电阻的一端，另一端接地；所述第五电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第四电阻的一端，另一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第五电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第六电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第六电阻的一端接所述第二PMOS管的漏极，另一端接所述LED灯的P极；所述LED灯的P极接所述第六电阻的一端，N极接地。...

【技术特征摘要】
1.LED驱动装置，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PNP管、第一NMOS管、第四电阻、第五电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第六电阻和LED灯；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的基极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PNP管的基极，另一端接地；所述第三电阻的一端接所述电源电压VCC，另一端接所述第一PNP管的发射极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一PNP管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，集电极接地，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一PNP管的发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宇坤，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33