一种圆片间纸基再布线方法技术

本发明专利技术公开了一种圆片间纸基再布线方法。1)在硅片上淀积介质层，在介质层上开口；2)介质层开口电镀金属焊盘；3)用水溶性铅笔在纸上涂抹形成图案，然后贴装到带有金属焊盘的介质层上；4)再次淀积介质层，并光刻开孔；5)利用微波炉摧毁纸基牺牲层，并且填充导电填料6)植入焊球。本发明专利技术采用纸作为牺牲层，并利用纳米银浆作为导电填料，避免了常规的溅射金属层等昂贵的微加工手段，降低了加工成本。

【技术实现步骤摘要】
一种圆片间纸基再布线方法
本专利技术属于微电子机械系统，具体为一种圆片间纸基再布线方法。
技术介绍
再布线是圆片级封装的关键工艺步骤。通常来说,IC芯片与外部的电气连接是用金属引线键合的方式把芯片上的i/o(输入端口、输出端口)与封装载体连接并经封装引脚来实现的。在这一模式下，IC芯片上的I/O通常分布在周边上。但是,随着IC芯片特征尺寸的减小和集成规模的扩大,引脚之间的间距不断减小、数量不断增大。当I/O间距减小，引线键合技术就不再适用，必须寻求新的技术途径。为了解决这一问题,圆片级封装采用了再布线技术。再分布技术是指在IC上,将各个芯片按周边分布的I/O招煌区,通过再布线层(RedistributionLayer,RDL)，变换成阵列分布区或其他需要的分布图形旳捧区并最终形成焊料凸点的技术。然而，目前已有的再布线技术工艺较为复杂(例如需要用到金属溅射工艺)，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种圆片间纸基再布线方法本专利技术的技术方案如下：一种圆片间纸基再布线方法包括如下步骤：1)在硅片上淀积介质层，在介质层上开口；2)介质层开口电镀金属焊盘；3)用水溶性铅笔在纸上涂抹再布线图案得到纸基牺牲层，然后贴装到带有金属焊盘的介质层上；4)再次淀积介质层，并在得到的介质层上开口；5)利用微波摧毁纸上涂抹有再布线图案的部分，并且在摧毁部分填充导电填料；6)在步骤4)光刻开孔处植入焊球。普通的纸张很难吸收微波，用水溶性铅笔在纸上涂抹形成图案，该图案能够吸收微波，进而摧毁纸张上画图案的部分(牺牲层)。而具体画什么样的图案(牺牲层的布线过程)，则是要根据芯片的设计，以及布放位置来确定。优选的，所述的步骤5)的导电填料为纳米银浆。优选的，所述的步骤1)的介质层为二氧化硅介质层，厚度为0.8-1.2μm。优选的，所述的步骤1)和步骤4)中的开口方式均为采用深刻蚀的方式刻蚀出开口作为金属焊盘窗口。优选的，所述的步骤4)的介质层为二氧化硅介质层，厚度为0.5μm。本专利技术与现有技术相比，所具有的有益效果为：采用纸作为牺牲层，并利用纳米银浆作为导电填料，避免了常规的溅射金属层等昂贵的微加工手段，降低了加工成本。附图说明图1为硅片表面设置介质层示意图；图2为介质层开口电镀金属焊盘示意图；图3为贴装纸基示意图；图4为纸基上淀积介质层示意图；图5为填充导电填料示意图；图6为植入焊球示意图。图7为典型WLP中再布线结构示意图。具体实施方式本专利技术公开了一种圆片间纸基再布线方法，其步骤如下：一种圆片间纸基再布线方法包括如下步骤：1)在硅片上淀积介质层，在介质层上开口；2)介质层开口电镀金属焊盘；3)用水溶性铅笔在纸上涂抹再布线图案得到纸基牺牲层，然后贴装到带有金属焊盘的介质层上；4)再次淀积介质层，并在得到的介质层上开口；5)利用微波摧毁纸上涂抹有再布线图案的部分，并且在摧毁部分填充导电填料；6)在步骤4)光刻开孔处植入焊球。在本专利技术的一个具体实施例中，所述的步骤5)的导电填料为纳米银浆。在本专利技术的一个具体实施例中，所述的步骤1)的介质层为二氧化硅介质层，厚度为0.8-1.2μm。在本专利技术的一个具体实施例中，所述的步骤1)和步骤4)中的开口方式均为采用深刻蚀的方式刻蚀出开口作为金属焊盘窗口。在本专利技术的一个具体实施例中，所述的步骤4)的介质层为二氧化硅介质层，厚度为0.5μm。本专利技术利用纸张的特性，采用纸作为牺牲层，普通的纸张很难吸收微波，用水溶性铅笔在纸上涂抹形成图案，该图案能够吸收微波，进而摧毁纸张上画图案的部分(牺牲层)，避免了常规的溅射金属层等昂贵的微加工手段，降低了加工成本。而具体画什么样的图案(牺牲层的布线过程)，则是要根据芯片的设计，以及布放位置来确定。在本专利技术的一个具体实施案例中，过程具体如下：1)用干氧-湿氧-干氧的方式，在硅片上生长一层厚度约为1μm的介质层，光刻，采用深刻蚀的方式刻蚀出金属焊盘窗口，如图1所示。2)采用电镀的方式制作金属焊盘，如图2所示3)用水溶性铅笔在纸上涂抹形成再布线图案，然后贴装到带有金属焊盘的介质层上，如图3所示；4)采用原子层沉积技术在低温环境下生长0.5μm的二氧化硅介质层，光刻，采用深刻蚀的方式刻蚀出外露的金属焊盘窗口，如图4所示；5)利用微波(如微波炉)摧毁纸基牺牲层，利用丙酮清洗除去残留物后，填充纳米银浆导电填料并固化，如图5所示6)在外露的金属焊盘窗口处，制作金属焊球，如图6所示。水溶性铅笔也称，水溶性彩色铅笔属于彩色铅笔中的一种。本专利技术实施例过程中的干氧-湿氧-干氧的方式是指硅片清洗--烘干--干氧氧化--湿氧氧化--干氧氧化—氧化完成的过程；光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺，是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔。原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法。上述技术均是本领域中的常用技术，而纳米银浆是本领域常用的材料。如图7为典型WLP中再布线结构示意图，与现有技术相比，本专利技术用纸作为牺牲层，并利用纳米银浆作为导电填料，避免了常规的溅射金属层等昂贵的微加工手段，且本专利技术操作简便，降低了加工成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种圆片间纸基再布线方法，其特征在于包括如下步骤：1)在硅片上淀积介质层，在介质层上开口；2)介质层开口电镀金属焊盘；3)用水溶性铅笔在纸上涂抹再布线图案得到纸基牺牲层，然后贴装到带有金属焊盘的介质层上；4)再次淀积介质层，并在得到的介质层上开口；5)利用微波摧毁纸上涂抹有再布线图案的部分，并且在摧毁部分填充导电填料；6)在步骤4)光刻开孔处植入焊球。

【技术特征摘要】
1.一种圆片间纸基再布线方法，其特征在于包括如下步骤：1)在硅片上淀积介质层，在介质层上开口；2)介质层开口电镀金属焊盘；3)用水溶性铅笔在纸上涂抹再布线图案得到纸基牺牲层，然后贴装到带有金属焊盘的介质层上；4)再次淀积介质层，并在得到的介质层上开口；5)利用微波摧毁纸上涂抹有再布线图案的部分，并且在摧毁部分填充导电填料；6)在步骤4)光刻开孔处植入焊球。2.根据权利要求1所述的圆片间纸基再布线方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱智源，夏克泉，徐志伟，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33