卡盘台颗粒检测装置制造方法及图纸

一种颗粒检测装置，包括：卡盘台，晶片被配置为落座在卡盘台上；穿过卡盘台的成形为闭合同心曲线的第一吸附孔和第二吸附孔；第一吸附模块，其在卡盘台下方连接到第一吸附孔并被配置为提供真空压力；第二吸附模块，其在卡盘台下方连接到第二吸附孔并被配置为提供真空压力；压力计，其被配置为测量第一吸附孔和第二吸附孔的真空压力；以及检测模块，其被配置为从压力计接收第一吸附孔和第二吸附孔的真空压力，并基于接收到的真空压力检测晶片是否被固定以及是否存在颗粒。第一吸附模块和第二吸附模块顺序地将真空压力提供到第一吸附孔和第二吸附孔。

【技术实现步骤摘要】
卡盘台颗粒检测装置
本公开涉及卡盘台(chuckstage)颗粒检测装置。
技术介绍
用于测试晶片的探针设备将晶片装载在卡盘台上，并使探针卡与晶片接触以执行测试。当颗粒位于晶片与卡盘台之间时，晶片会在探针卡具有尖锐边缘时被损坏。特别是当来自线加工的颗粒在晶片的装载期间附着到晶片的下端并且被引入时，或者当设备内部产生的颗粒附着到卡盘台的上表面时，会存在这样的颗粒。就是说，由于引入在卡盘台与晶片之间的颗粒，晶片会在探针卡和晶片彼此接触时破裂，或者形成在晶片上的半导体图案的质量会劣化。因此，用于检测卡盘台上的颗粒的操作是必要的。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一示例性实施方式，提供了一种卡盘台颗粒检测装置，其包括：卡盘台，晶片被配置为落座在卡盘台上；第一吸附孔，其穿过卡盘台，其中第一吸附孔的平面剖面为第一闭合曲线；第二吸附孔，其穿过卡盘台，其中第二吸附孔的平面剖面为第二闭合曲线，第一闭合曲线位于第二闭合曲线内；第一吸附模块，其在卡盘台下方连接到第一吸附孔，并被配置为提供真空压力；第二吸附模块，其在卡盘台下方连接到第二吸附孔，并被配置为提供真空压力；压力计，其被配置为测量第一吸附孔和第二吸附孔的真空压力；以及检测模块，其被配置为从压力计接收第一吸附孔和第二吸附孔的真空压力，并基于接收到的真空压力检测晶片是否被固定以及是否存在颗粒，其中第一吸附模块和第二吸附模块顺序地将真空压力提供到第一吸附孔和第二吸附孔。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，提供了一种卡盘台颗粒检测装置，其包括：卡盘台，晶片被配置为落座在卡盘台上，并且卡盘台具有中央区域；多个吸附孔，所述多个吸附孔穿过卡盘台，暴露于卡盘台的上表面，并将晶片吸附在卡盘台的上表面上，其中所述多个吸附孔位于离卡盘台的中央区域不同的距离处；压力计，其被配置为测量所述多个吸附孔的吸附压力；吸附模块，其被配置为向吸附孔提供真空压力，其中吸附模块按照从离中央区域更近定位的吸附孔到离中央区域更远定位的吸附孔的次序顺序地将真空压力提供到所述多个吸附孔；以及检测模块，其被配置为从压力计接收吸附压力，并基于接收到的测得的吸附压力检测颗粒的存在或不存在。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，提供了一种卡盘台颗粒检测装置，其包括：卡盘台，晶片落座在卡盘台上，并且卡盘台具有设置在彼此不同的位置的第一区域和第二区域；第一吸附孔，其穿过卡盘台并位于第一区域中；第二吸附孔，其穿过卡盘台并位于第二区域中；压力计，其被配置为测量第一吸附孔和第二吸附孔的吸附压力；吸附模块，其被配置为顺序地将真空压力提供到第一吸附孔和第二吸附孔；以及检测模块，其被配置为从压力计接收吸附压力，并由接收到的测得的吸附压力检测颗粒的存在或不存在。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，提供了一种卡盘台颗粒检测装置，其包括：卡盘台，晶片被构造为落座在卡盘台上；穿过卡盘台的多个同心环形吸附孔；吸附模块，其被配置为顺序地将真空压力提供到吸附孔；压力计，其被配置为测量吸附孔处的压力；以及检测模块，其被配置为当测得压力中的第一测得压力大于测得压力中的第二测得压力时检测到晶片与卡盘台之间的颗粒，第一测得压力和第二测得压力小于阈值。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施方式，本专利技术对本领域普通技术人员将变得更加明显。图1是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的透视图。图2是提供为说明晶片落座于图1的卡盘台上的透视图。图3是提供为详细说明图1的卡盘台颗粒检测装置的顶视图。图4是提供为详细说明图1的卡盘台颗粒检测装置的沿线A-A'截取的局部剖视图。图5是提供为详细说明图4的圈出部分B的放大剖视图。图6是提供为说明图1的卡盘台颗粒检测装置的框图。图7是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的窗口分段模式(windowsegmentationmode)的曲线图。图8是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的迟滞模式(hysteresismode)的曲线图。图9是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的框图。图10是提供为详细说明图9的卡盘台颗粒检测装置的局部剖视图。图11是提供为详细说明图10的圈出部分C的放大剖视图。图12是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的剖视图。图13是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的剖视图。图14是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的剖视图。图15是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的顶视图。图16是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的顶视图。图17是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的顶视图。具体实施方式将参照图1至图7描述根据本专利技术构思的一示例性实施方式的制造卡盘台颗粒检测装置的方法。图1是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的透视图，图2是提供为说明晶片落座(例如设置)在图1的卡盘台上的透视图。图3是提供为详细说明图1的卡盘台颗粒检测装置的顶视图，图4是提供为详细说明图1的卡盘台颗粒检测装置的沿线A-A'截取的局部剖视图。图5是提供为详细说明图4的圈出部分B的放大剖视图，图6是提供为说明图1的卡盘台颗粒检测装置的框图。图7是提供为说明根据本专利技术构思的一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置的窗口分段模式的曲线图。参照图1至图7，根据一示例性实施方式的卡盘台颗粒检测装置包括卡盘台100、吸附孔110、吸附模块120(例如配置为提供真空压力的装置)、压力计140和检测模块130(例如检测电路)。晶片W可以落座在卡盘台100的上表面上。卡盘台100用于对晶片W执行测试。在一实施方式中，卡盘台100具有平坦的上表面，使得晶片W能被稳定地落座。虽然图1示出了卡盘台100具有圆筒形外表面，但本专利技术构思的实施方式不限于此。卡盘台100包括吸附孔110、吸附模块120、压力计140和检测模块130。然而，本专利技术构思的示例性实施方式不限于此。例如，在本专利技术构思的替代实施方式中，上述元件中的一些不直接位于卡盘台100内部，而是位于卡盘台100外部并连接到卡盘台100。当晶片W落座在卡盘台的上表面上时，卡盘台可以在顺时针或逆时针方向上旋转。或者，卡盘台100可以在三个轴(XYZ)上移动以调节晶片的位置用于后续测试过程。卡盘台100包括中央区域CR。中央区域CR可以具有圆形或椭圆形。中央区域CR可以指卡盘台100的平面形状上的中央。在一替代实施方式中，当卡盘台100不具有圆形或椭圆形时，中央区域CR仍被限定。吸附孔110穿过卡盘台100。当真空压力由吸附模块120提供时，吸附孔110可以协助将晶片W固定到卡盘台100的上表面上。多个吸附孔110可以被提供。例如，吸附孔110可以包括第一吸附孔110a至第八吸附孔110h。然而，本专利技术构思的示例性实施方式不限于以上给出的示例。就是说，虽然示出了存在8个吸附孔110，但在替代实施方式中可以存在少于或多于8个吸附孔。在一实施方式中，每个吸附孔110的平面形状是闭合曲线。此外，每个吸附孔110的平面形状可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种卡盘台颗粒检测装置，包括：卡盘台，晶片被配置为落座在所述卡盘台上；第一吸附孔，其穿过所述卡盘台，其中所述第一吸附孔的平面剖面为第一闭合曲线；第二吸附孔，其穿过所述卡盘台，其中所述第二吸附孔的平面剖面为第二闭合曲线，所述第一闭合曲线位于所述第二闭合曲线内；第一吸附模块，其在所述卡盘台下方连接到所述第一吸附孔，并且被配置为提供真空压力；第二吸附模块，其在所述卡盘台下方连接到所述第二吸附孔，并且被配置为提供真空压力；压力计，其被配置为测量所述第一吸附孔和所述第二吸附孔的真空压力；以及检测模块，其被配置为从所述压力计接收所述第一吸附孔和所述第二吸附孔的所述真空压力，并且基于接收到的真空压力检测所述晶片是否被固定以及是否存在颗粒；其中所述第一吸附模块和所述第二吸附模块顺序地将所述真空压力提供到所述第一吸附孔和所述第二吸附孔。

【技术特征摘要】
2017.05.02 KR 10-2017-00561071.一种卡盘台颗粒检测装置，包括：卡盘台，晶片被配置为落座在所述卡盘台上；第一吸附孔，其穿过所述卡盘台，其中所述第一吸附孔的平面剖面为第一闭合曲线；第二吸附孔，其穿过所述卡盘台，其中所述第二吸附孔的平面剖面为第二闭合曲线，所述第一闭合曲线位于所述第二闭合曲线内；第一吸附模块，其在所述卡盘台下方连接到所述第一吸附孔，并且被配置为提供真空压力；第二吸附模块，其在所述卡盘台下方连接到所述第二吸附孔，并且被配置为提供真空压力；压力计，其被配置为测量所述第一吸附孔和所述第二吸附孔的真空压力；以及检测模块，其被配置为从所述压力计接收所述第一吸附孔和所述第二吸附孔的所述真空压力，并且基于接收到的真空压力检测所述晶片是否被固定以及是否存在颗粒；其中所述第一吸附模块和所述第二吸附模块顺序地将所述真空压力提供到所述第一吸附孔和所述第二吸附孔。2.根据权利要求1所述的卡盘台颗粒检测装置，其中所述检测模块通过将预先确定的参考压力与所述第一吸附孔和所述第二吸附孔的所述真空压力进行比较而检测所述颗粒的存在或不存在。3.根据权利要求2所述的卡盘台颗粒检测装置，其中所述检测模块被配置为以窗口分段模式和迟滞模式中的一个操作，以及其中所述窗口分段模式和所述迟滞模式的每个基于所述接收到的真空压力而提供用于确定所述晶片是否被固定以及所述颗粒是否存在的不同方法。4.根据权利要求3所述的卡盘台颗粒检测装置，其中，在所述窗口分段模式下，所述参考压力包括第一参考压力和第二参考压力，以及当所述真空压力在所述第一参考压力与所述第二参考压力之间时，所述检测模块确定所述晶片被固定到所述卡盘台上并且不存在所述颗粒。5.根据权利要求3所述的卡盘台颗粒检测装置，其中，在所述迟滞模式下，所述参考压力包括第一参考压力和第二参考压力，所述第一参考压力大于所述第二参考压力，当所述真空压力变得大于所述第一参考压力时，所述检测模块从关模式切换至开模式，当所述真空压力变得小于所述第二参考压力时，所述检测模块从所述开模式切换至所述关模式，所述检测模块在所述开模式下确定所述晶片固定到所述卡盘台上和不存在所述颗粒，以及所述检测模块在所述关模式下确定所述晶片未固定到所述卡盘台上和存在所述颗粒。6.根据权利要求5所述的卡盘台颗粒检测装置，其中所述第一参考压力和所述第二参考压力是可调节的。7.根据权利要求1所述的卡盘台颗粒检测装置，其中所述压力计包括配置为测量所述第一吸附孔的所述真空压力的第一压力计，以及配置为测量所述第二吸附孔的所述真空压力的第二压力计。8.根据权利要求7所述的卡盘台颗粒检测装置，其中所述检测模块被配置为基于所述接收到的真空压力而检测所述颗粒的存在或不存在以及所述颗粒的位置。9.根据权利要求8所述的卡盘台颗粒检测装置，其中所述参考压力包括第一参考压力和第二参考压力，以及其中所述检测模块通过以下步骤检测所述颗粒的存在或不存在以及所述颗粒的位置：将所述第一参考压力与所述第一吸附孔的所述真空压力进行比较，以及将所述第二参考压力与所述第二吸附孔的所述真空压力进行比较。10.根据权利要求9所述的卡盘台颗粒检测装置，其中当所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茂列，姜孝范，李俊成，丁载樑，许荣珉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR