一种像素结构、其驱动方法、电子纸及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素结构、其驱动方法、电子纸及显示装置，增加了与各像素电极对应电连接的补偿电极，且补偿电极在衬底基板的正投影与栅线在衬底基板的正投影存在交叠区域，即相当于用补偿电极增加像素电极的面积，从而可以提高开口率。并且，由于与第n行的像素电极对应的补偿电极与对应的第一开关晶体管的第二极连接，该第一开关晶体管的栅极和第一极与第n‑1条栅线连接，这样，当第n‑1条栅线扫描时，由于与其有正对面积的补偿电极与该栅线是导通的，因此增加的补偿电极虽与其存在正对面积，但是电压相同，因此栅线与补偿电极之间不产生耦合电容，从而避免了栅线扫描时由于补偿电极覆盖栅线导致的负载变大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构、其驱动方法、电子纸及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种像素结构、其驱动方法、电子纸及显示装置。
技术介绍
随着数字技术的发展，越来越多传播信息的显示设备走入人们的生活，例如液晶显示器，已广泛地应用于通讯、信息及消费性的电子产品上，然而，液晶显示器在显示过程中需要持续供电，这使得在断电情况下也能长时间保持显示的电子纸(ElectronicPaper，EP)显示了明显的优势，此外，电子纸在使用过程中比液晶显示器省电。电子纸显示的原理为电泳，借助像素电极和公共电极形成的电场驱动带电粒子上下运动，不同颜色的带电粒子反射环境光实现黑白/黑白红/彩色等多种显示方案。目前，电子纸的像素结构如图1所示，像素电极011位于数据线data和栅线gate限定的区域内，像素电极011通过连接薄膜晶体管TFT，直接驱动带电粒子。为了确保像素显示效果，像素电极011与栅线gate和数据线data会保持一定距离，一方面避免电容耦合效应扰乱像素电压，造成显示异常；另一方面，降低栅线gate和数据线data负载，确保像素充电。这样虽然满足了显示效果，但是降低了开口率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种像素结构、其驱动方法、电子纸及显示装置，用以解决现有技术中存在的像素开口率低的问题。本专利技术实施例提供的一种电子纸的像素结构，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的N行像素电极、以及与各行所述像素电极一一对应连接的N条栅线，且各所述栅线位于对应行的像素电极的上侧或下侧；还包括：与各所述像素电极对应连接的补偿电极，以及与各所述补偿电极一一对应设置的第一开关晶体管；其中，对于与第n行像素电极对应的所述补偿电极，所述补偿电极设置于第n-1行像素电极靠近第n-1条栅线的一侧，且所述补偿电极在所述衬底基板的正投影与所述第n-1条栅线在所述衬底基板的正投影存在交叠区域；n为大于1且小于或等于N的任一整数；与第n行的所述像素电极对应的所述补偿电极与对应的所述第一开关晶体管的第二极连接，所述第一开关晶体管的栅极和第一极与第n-1条栅线连接。可选地，在本专利技术实施例提供的像素结构中，所述补偿电极与所述像素电极设置为同层同材质。可选地，在本专利技术实施例提供的像素结构中，所述补偿电极与对应的所述像素电极为一体结构。可选地，在本专利技术实施例提供的像素结构中，还包括：与各所述补偿电极一一对应的的第二开关晶体管；所述补偿电极通过对应的所述第二开关晶体管与对应的像素电极连接；其中，与第n行的所述像素电极对应的所述补偿电极与对应的所述第二开关晶体管的第二极连接，所述第二开关晶体管的第一极与第n行的所述像素电极电连接，所述第二开关晶体管的栅极与第n条栅线连接。可选地，在本专利技术实施例提供的像素结构中，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管中具有相同功能的膜层为同层设置。可选地，在本专利技术实施例提供的像素结构中，所述补偿电极在列方向上的宽度完全覆盖所述栅线在列方向的宽度。可选地，在本专利技术实施例提供的像素结构中，还包括：与各所述像素电极一一对应的第三开关晶体管；以及与各列所述像素电极对应的数据线；第n行的所述像素电极与对应的所述第三开关晶体管的第二极连接，所述第三开关晶体管的栅极与第n行栅线连接，所述第三开关晶体管的第二极与对应的数据线连接。相应地，本专利技术实施例还提供了一种电子纸，包括本专利技术实施例提供的上述任一种像素结构。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述电子纸。相应地，本专利技术实施例还提供了一种上述像素结构的驱动方法，包括：依次向各行所述栅线提供扫描信号；其中，在向第n行栅线提供扫描信号时，第n行像素电极与其对应的所述补偿电极导通，与第n+1行像素电极对应的所述补偿电极与所述第n行栅线导通；n为大于1且小于或等于N的任一整数。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的像素结构、其驱动方法、电子纸及显示装置，增加了与各像素电极对应电连接的补偿电极，且补偿电极在衬底基板的正投影与栅线在衬底基板的正投影存在交叠区域，即相当于用补偿电极增加像素电极的面积，从而可以提高开口率。并且，由于与第n行的像素电极对应的补偿电极与对应的第一开关晶体管的第二极连接，该第一开关晶体管的栅极和第一极与第n-1条栅线连接，这样，当第n-1条栅线扫描时，由于与其有正对面积的补偿电极与该栅线是导通的，因此增加的补偿电极虽与其存在正对面积，但是电压相同，因此栅线与补偿电极之间不产生耦合电容，从而避免了栅线扫描时由于补偿电极覆盖栅线导致的负载变大的问题。附图说明图1为现有的电子纸的像素结构的示意图；图2为本专利技术一种实施例提供的像素结构的示意图；图3为本专利技术另一种实施例提供的像素结构的示意图；图4为本专利技术又一种实施例提供的像素结构的示意图；图5为本专利技术又一种实施例提供的像素结构的示意图；图6为图2和图3所示的像素结构对应的驱动方法的时序示意图；图7为图4和图5所示的像素结构对应的驱动方法的时序示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种电子纸的像素结构，如图2至图5所示，包括衬底基板01、位于衬底基板01上的N行像素电极011、以及与各行像素电极011一一对应连接的N条栅线gaten；如图2和图3所示，各栅线gaten位于对应行的像素电极011的下侧，或者如图4和图5所示，各栅线gaten位于对应行的像素电极011的上侧；像素结构中还包括：与各像素电极011对应连接的补偿电极012，以及与各补偿电极012一一对应设置的第一开关晶体管T1；其中，对于与第n行像素电极011对应的补偿电极012，补偿电极012设置于第n-1行像素电极011靠近第n-1条栅线gaten-1的一侧，且与第n行像素电极011对应的补偿电极012在衬底基板01的正投影与第n-1条栅线gaten-1在衬底基板01的正投影存在交叠区域；n为大于1且小于或等于N的任一整数；与第n行的像素电极011对应的补偿电极012与对应的第一开关晶体管T1的第二极连接，该第一开关晶体管T1的栅极和第一极与第n-1条栅线gaten-1连接。本专利技术实施例提供的像素结构，增加了与各像素电极对应电连接的补偿电极，且补偿电极在衬底基板的正投影与栅线在衬底基板的正投影存在交叠区域，即相当于用补偿电极增加像素电极的面积，从而可以提高开口率。并且，由于与第n行的像素电极对应的补偿电极与对应的第一开关晶体管的第二极连接，该第一开关晶体管的栅极和第一极与第n-1条栅线连接，这样，当第n-1条栅线扫描时，由于与其有正对面积的补偿电极与该栅线是导通的，因此增加的补偿电极虽与其存在正对面积，但是电压相同，因此栅线与补偿电极之间不产生耦合电容，从而避免了栅线扫描时由于补偿电极覆盖栅线导致的负载变大的问题。需要说明的是，在本专利技术实施例提供的像素结构中，如图2和图3所示，当第n行栅线gaten位于第n行像素电极011的下侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子纸的像素结构，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的N行像素电极、以及与各行所述像素电极一一对应连接的N条栅线，且各所述栅线位于对应行的像素电极的的上侧或者下侧；其特征在于，还包括：与各所述像素电极对应连接的补偿电极，以及与各所述补偿电极一一对应设置的第一开关晶体管；其中，对于与第n行像素电极对应的所述补偿电极，所述补偿电极设置于第n‑1行像素电极靠近第n‑1条栅线的一侧，且所述补偿电极在所述衬底基板的正投影与所述第n‑1条栅线在所述衬底基板的正投影存在交叠区域；n为大于1且小于或等于N的任一整数；与第n行的所述像素电极对应的所述补偿电极与对应的所述第一开关晶体管的第二极连接，所述第一开关晶体管的栅极和第一极与第n‑1条栅线连接。

【技术特征摘要】
1.一种电子纸的像素结构，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的N行像素电极、以及与各行所述像素电极一一对应连接的N条栅线，且各所述栅线位于对应行的像素电极的的上侧或者下侧；其特征在于，还包括：与各所述像素电极对应连接的补偿电极，以及与各所述补偿电极一一对应设置的第一开关晶体管；其中，对于与第n行像素电极对应的所述补偿电极，所述补偿电极设置于第n-1行像素电极靠近第n-1条栅线的一侧，且所述补偿电极在所述衬底基板的正投影与所述第n-1条栅线在所述衬底基板的正投影存在交叠区域；n为大于1且小于或等于N的任一整数；与第n行的所述像素电极对应的所述补偿电极与对应的所述第一开关晶体管的第二极连接，所述第一开关晶体管的栅极和第一极与第n-1条栅线连接。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述补偿电极与所述像素电极设置为同层同材质。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述补偿电极与对应的所述像素电极为一体结构。4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，还包括：与各所述补偿电极一一对应的的第二开关晶体管；所述补偿电极通过对应的所述第二开关晶体管与对应的像素电极连接；其中，与第n行的所述像素电极对应的所述补偿电极与对应的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯大伟，李月，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11