一种用电流差值来判断IDDQ测试的方法技术

本文公开了一种用电流差值△IDDQ(MAX(IDDQ_1，IDDQ_N)‑MIN(IDDQ_1，IDDQ_N))来判断IDDQ测试结果，用于提高IDDQ故障以及桥接故障的测试覆盖率。本方法可以改进现有只用两个测试点的差值判断IDDQ，拓宽到任意个测试点。从而通过追加测试点提高IDDQ测试的测试覆盖率。同时使用电流差值作为判断IDDQ测试的依据，可以减轻IDDQ测试单纯判断电流大小，在深亚微米工艺条件下背景电流大的缺点。进而保证在芯片量产时存在工艺偏差的背景下能够稳定量产。

A method of judging IDDQ test with current difference value

This paper presents an IDDQ test result judged by current difference (Delta IDDQ_1, IDDQ_N) MIN (IDDQ_1, IDDQ_N). It is used to improve the test coverage of IDDQ faults and bridge faults. This method can improve the existing difference between two test points to judge IDDQ and extend it to any test point. The test coverage of IDDQ test is improved by adding test points. At the same time, using current difference as the basis of IDDQ test can alleviate the shortcomings of IDDQ test which only judges the current magnitude and the large background current in deep submicron process. Thus, it is possible to stabilize mass production in the context of technological deviation when chips are mass-produced.

【技术实现步骤摘要】
一种用电流差值来判断IDDQ测试的方法
本专利技术属于集成电路芯片的筛选测试领域。通过判断芯片的数字部分在不同状态下的漏电变化，来检出芯片的IDDQ故障以及桥接故障，进而提高筛选测试覆盖率。
技术介绍
随着市场对半导体产品的质量需求提高，需要产业在筛选测试领域提高测试覆盖率。特别是针对高可靠性市场(车规级产品)，标准(如AECQ100)中明确希望引入IDDQ测试。但是随着工艺尺寸的进步，芯片的静态功耗一直在不断增加，单纯的IDDQ测试时的电流随着工艺的进步越来越大，故障引入的电流变化却很小，在量产阶段加工工艺会有偏差，工艺偏差引入的批次间的电流变化已经比故障引入的电流变化要大，所以在工艺不断进步的背景下，IDDQ的测试能力越来越差。而本专利技术并不以IDDQ为主要的测试对象，而是以芯片自己的IDDQ差值作为判断依据，成功的避免了工艺进步带来的原来单纯IDDQ测试的瓶颈。并且对既有专利：《一种用电流差值来检测互联线全开路缺陷的方法(CN102645604)》记载的电路差值判断方法进行升级，相对于原专利此种方法从两个测试点的差值增大到任意测试点(IDDQ_1～IDDQ_N)，这样可以极大的提高IDDQ的测试覆盖率。
技术实现思路
IDDQ测试过程中，不单纯的以电流测试绝对值作为判断IDDQPASS/FAIL的唯一标准。在所有IDDQ测试完成以后，追加△IDDQ的计算以及判断PASS/FAIL。这样测试的情况下需要两个测试SPEC：1电流绝对值IDDQ。这个电流的SPEC就是传统的IDDQ测试，对这个电流进行判断来得到IDDQ测试结果。2电流差值△IDDQ这个电流差值是每颗芯片IDDQ测试结果经过计算获得，△IDDQ＝MAX(IDDQ_1，IDDQ_N)-MIN(IDDQ_1，IDDQ_N)。对这个电流差值进行判断来得到IDDQ测试结果。通过以下步骤来实现本专利技术：步骤1，在测试IDDQ测试过程中，分别在不同的测试图形下测得IDDQ电流(IDDQ_1～IDDQ_N)，并根据测试上下限对IDDQ_1～IDD_N分别进行绝对值的判断，如果IDDQ电流的绝对值位于测试所规定的上下限内，则进入步骤2),如果IDDQ电流的绝对值超出测试所规定的上下限，则芯片存在缺陷，终止测试。步骤2，在这N个电流值中找到最大电流和最小电流，把这两个电流值做差记做△IDDQ，判断△IDDQ是否符合预期，如果△IDDQ位于测试所规定的上下限内，则芯片为良品，完成测试；否则判断芯片是存在缺陷。附图说明图1IDDQ测试流程图具体实施方式以下结合说明书附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。IDDQ的测试可以概括为图1所示流程图。首先对芯片的数字部分进行配置，使其满足第一个测试图形。然后对芯片的电源电流进行测试，标记为IDDQ_1，对测试结果是否在SPEC范围内进行判断。在测试中都会在测试规范中根据每个测试项给出测试上限和下限，即以此判断是否在测试SPEC范围内。这里推荐对FF拉偏的圆片的整片测试平均值+3倍Σ作为测试上限。对SS拉偏的圆片的整片测试平均值-3倍Σ作为测试下限。这样获得的SPEC可以保证量产的稳定。同时把IDDQ_1记录到测试机内存，以备后面使用。按照上面的步骤分别对IDDQ_2～N进行测试，并记录到测试机内存。N取决于产品对覆盖率的需求，以及测试图形的质量。原则上N越大测试覆盖率约高。最后把每颗芯片的N个测试结果进行计算。计算方法：MAX(IDDQ_1，IDDQ_N)-MIN(IDDQ_1，IDDQ_N)，得到△IDDQ值，测试机对测试结果是否在SPEC范围内进行判断。由于△IDDQ是不依赖于工艺偏差的，所以只需要统计一枚任意圆片的△IDDQ测试结果，把平均值±3倍Σ作为测试SPEC就可以。完全PASS(包括IDDQ1～N以及△IDDQ)的芯片认为是良品，其中任意一个电流不符合预期认为是不良品。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用电流差值来判断IDDQ测试的方法,其特征在于，包括以下步骤：1)在测试IDDQ测试过程中，分别在不同的测试图形下测得IDDQ电流(IDDQ_1～IDDQ_N)，并根据测试上下限对IDDQ_1～IDD_N分别进行绝对值的判断，如果IDDQ电流的绝对值位于测试所规定的上下限内，则进入步骤2),如果IDDQ电流的绝对值超出测试所规定的上下限，则芯片存在缺陷，终止测试；2)然后在这N个电流值中找到最大电流和最小电流，把这两个电流值做差记做△IDDQ，判断△IDDQ是否符合预期，如果△IDDQ位于测试所规定的上下限内，则芯片为良品，完成测试；否则判断芯片是存在缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种用电流差值来判断IDDQ测试的方法,其特征在于，包括以下步骤：1)在测试IDDQ测试过程中，分别在不同的测试图形下测得IDDQ电流(IDDQ_1～IDDQ_N)，并根据测试上下限对IDDQ_1～IDD_N分别进行绝对值的判断，如果IDDQ电流的绝对值位于测试所规定的上下限内，则进入步骤2),如果IDDQ电流的绝对值超出测试所规定的上下限，则芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵来钖，
申请(专利权)人：北京中电华大电子设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11