【技术实现步骤摘要】
一类基于咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料的开发与应用
本专利技术涉及有机电子领域,具体来说涉及一类基于咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料的开发及在有机电子领域中的应用。
技术介绍
在有机电子发展过程中,利用有机材料代替传统半导体材料制备有机电子器件是现代电子工业发展的一个巨大变革;有机电子器件重量轻、成本低、可弯曲、适于大面积制备,与无机半导体器件,具有明显的优势,在曲面显示、无线射频识别、光检测、新能源获取与存储等领域有已经有了广阔的应用。有机电子器件包括有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、有机存储等。这些器件由各种功能材料构成,空穴传输材料具有空穴传输性能,是将空穴载流子向电极传入或从电极传出,是制约电子器件性能的关键材料之一。尽管国内外已开发不同类型的空穴传输材料,但是,稳定性好、溶解性能好、高载流子迁移率、能级易调控的空穴传输材料仍需要大力开发。
技术实现思路
解决的技术问题:针对现有的空穴传输材料存在稳定性差、溶解性差、载流子迁移率低、能级不易调的缺点,本专利技术设计了一类基于咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料,该材料具有稳定性好、溶解性能好、高载流子迁移率、能级易调控等优点。技术方案:一类基于咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料,所述材料的化学结构式为:其中n的值为1-100;A为具有π共轭结构的单元,选自下列单元中的一种:R1为下列基团中的一种:R2为下列基团中的一种:上面所述的A为R1为R2为空穴传输聚合物材料为Cbz-Ant,其结构式为:其中n的值为1-100。本专利技术提供上述聚合物材料Cbz-Ant的合成方法。本专利技术提供上述聚合物 ...
【技术保护点】
1.一类基于咔唑‑蒽结构的空穴传输聚合物材料,其化学结构如下:
【技术特征摘要】
1.一类基于咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料,其化学结构如下:其中n的值为1-100;A为具有π共轭结构的单元,选自下列单元中的一种:R1为下列基团中的一种:R2为下列基团中的一种:2.根据权利要求1中所述的咔唑-蒽结构的空穴传输聚合物材料,其特征在于:A为R1为R2为空穴传输聚合物材料为Cbz-Ant,其结构式为:3.根据权利要求2所述聚合物材料Cbz-Ant的合成方法,其合成路线如下:其合成步骤如下:(1)化合物1的合成:在4,4′-二溴-1,1′-联苯(10.00g,32.00mmol)溶于醋酸中(300ml),100℃时缓慢加入HNO3和水(7.5ml)的混合物。100℃加热30分钟后,一开始形成的沉淀溶解。反应结束后待溶液冷却,过滤后得到黄色粉末,在乙醇中重结晶得到化合物1,产率81%;(2)化合物2的合成:1(10.00g,28.00mmol)和磷酸三乙酯(50ml)的混合物加热回流18小时,多余的磷酸三乙酯蒸馏除去,柱层析法纯化产物(淋洗剂:乙酸乙酯∶正己烷=5∶95),得到化合物2,产率87%;(3)化合物3的合成:2(4.00g,12.31mmol)溶于DMF(200ml)中,加入NaOH(0.49g,12.31mmol)和1-溴辛烷(2.31ml,13.29mmol)。反应物在N2保护下室温下搅拌过夜。反应结束后加水淬灭反应。反应物用氯仿萃取,用MgSO4干燥。除去溶剂后柱层析法纯化(淋洗剂:正己烷),得到化合物3,产率88%;(4)化合物4的合成:3(3.99g,12.16mmol)和三丁基(2-噻吩基)锡(9.95g,26.74mmol)在N2保护下溶于无水甲苯(56ml)和DMF(14ml)中。加入四(三苯基膦)钯(O)(1.70g,1.49mmol),然后加热至100℃。反应在黑暗中反应回流过夜。除去大部分溶剂后,加入二氯甲烷与水,进行萃取;有机相用稀盐酸、饱和NaHCO3与盐水洗,然后用MgSO4干燥,在正己烷中重结晶两次得到化合物4,产率70%;(5)单体M1的合成:4(2.50g,5.63mmol)、NBS(4.11g,23.10mmol)和氯仿(250ml)在黑暗中0℃下搅拌过夜。反应结束后加入水与二氯甲烷进行萃取,有机相经MgSO4干燥。用柱层析法进行纯化(淋洗液:二氯甲烷∶正己烷=1∶4),得到单体M1,产率34%;(5)化合物5的合成:2,6-二氨基-9,10-蒽醌(5g,20.99mmol)、亚硝酸特丁酯(6.20ml,52.00mmol)、溴化铜(11.72g,52.50mmol)与乙腈(300ml)加到反应瓶中,在65℃反应2h。加入20%盐酸进行淬灭,沉淀过滤,用二氯甲烷与盐水进行洗涤。用1,4-二氧六环进行重结晶,得到化合物5,产率30%;(6)化合物6...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:苏州和颂生化科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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