The invention discloses a quantum dot light emitting diode device and a preparation method thereof. The device in turn comprises a first electrode, an electron transport layer, a quantum dot light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer and a second electrode. The device is characterized in that a first halogen element is arranged between the electron transport layer and the quantum dot light emitting layer. Layer. By setting the first halogen monolayer between the electron transport layer and the quantum dot luminous layer, the halogen monolayer can replace the hanging bond and the OH bond on the surface of the electron transport layer and the quantum dot luminous layer, thereby passivating the surface defect of the metal oxide and reducing the capture of the electron hole by hanging bond and OH bond. Thus, the effective recombination efficiency of excitons is increased, and the luminous efficiency of QLED devices is improved.
【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管器件及其制备方法
本专利技术涉及量子点
,尤其涉及一种量子点发光二极管器件及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质,已经被广泛地应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记。量子点合成技术经过二十多年的发展,人们已经可以合成各种高质量的纳米材料,其光致发光效率可以达到85%以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点,因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点,近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。然而,由于金属氧化物在空气中表面含有大量的-OH键,当金属氧化物作为电子传输层或者电子注入层时,其表面的这些-OH键会成为激子复合的淬灭中心,从而严重影响量子点发光二极管器件的发光效率。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管器件及其制备方法,旨在解决现有的量子点发光二极管器件中,其电子传输层表面存在大量的-OH键形成了激子复合的猝灭中心,从而严重影响量子点发光二极管器件发光效率的问题。本专利技术的技术方案如下:一种量子点发光二极管器件,依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极,其中,所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。较佳地,所述的量子点发光二极管器件,其中,所述卤素单质层的厚度为10-40nm。较佳地,所述的量子点发光二 ...
【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管器件,依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极,其特征在于,所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管器件,依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极,其特征在于,所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件,其特征在于,所述第一卤素单质层的厚度为10-40nm。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件,其特征在于,所述第一卤素单质层的材料为氟、氯、溴、碘中的一种。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点发光二极管器件为正型器件结构,从上至下依次包括第一电极、电子传输层、第一卤素单质层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极;所述第一电极为阴极,第二电极为阳极。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点发光二极管器件为反型器件结构,从下至上依次包括第一电极、电子传输层、第一卤素单质层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极;所述第一电极为阴极,第二电极为阳极。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管器件,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳,曹蔚然,钱磊,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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