一种鳄嘴花组织培养快速繁殖方法技术

技术编号:18767992 阅读:7 留言:0更新日期:2018-08-29 01:16
本发明专利技术公开了一种鳄嘴花组织培养快速繁殖方法。本发明专利技术能在短期内获得大量的鳄嘴花栽培苗,以实现对该物种的有效保护和繁殖,且本发明专利技术方法操作简单,易于实施,所用的培养基和试剂易配置,成本低,易大范围推广。

A tissue culture and rapid propagation method for crocodile flower

The invention discloses a rapid propagation method of crocodile flower tissue culture. The method has the advantages of simple operation, easy implementation, easy disposition of medium and reagent, low cost and wide application.

【技术实现步骤摘要】
一种鳄嘴花组织培养快速繁殖方法
本专利技术属于植物繁殖领域,具体涉及一种鳄嘴花组织培养快速繁殖方法。
技术介绍
鳄嘴花(Clinacanthusnutans)系爵床科(Acanthaceae)鳄嘴花属高大草本植物,目前分布在广东、广西、云南等地,其使用方法也呈现一定的地域性,在云南主要作为一种传统傣药,用于治疗跌打损伤,在广东、广西地区则多作为一种野生蔬菜,药食同源,治疗肝病、风湿等。现代研究表明,鳄嘴花具有很好的抗癌、消炎、免疫调节、降血脂等功效。利用植物外植体在固体培养基上培养,获得愈伤组织或完整植株,即为植物组织培养,也称离体培养或外植体培养。由于不同类型的植物在离体培养所需要的培养条件及方法等方面存在很大的不同,根据具体的植物,调整培养基类型、培养光照及温度、不同培养阶段培养基生长调节剂配比,分别诱导不定芽的形成,在此基础上建立有效的芽繁殖体系和植株再生体系。目前运用植物组织培养技术开展植物的保护和繁殖在很多植物种上已获得成功。但是,到目前为止,鳄嘴花的组织培养方面的研究,国内尚未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能在短期内获得大量鳄嘴花栽培苗的快速繁殖方法。本专利技术的鳄嘴花组织培养快速繁殖方法,包括以下步骤:S1、腋芽的诱导:选取鳄嘴花茎段作为外植体,灭菌消毒后接种于诱导培养基中,直至诱导出腋芽;S2、不定芽的诱导:将所得腋芽接入诱导培养基中培养,直至诱导出不定芽;S3、继代增殖:将所得不定芽接入增殖培养基中进行增殖培养进行不定芽的增殖;S4、壮苗培养:将所得增殖的不定芽接入壮苗培养基中培养得到无根壮苗;S5、生根培养:将所得无根壮苗接入生根培养基中培养得到组培苗;S6、将所得组培苗进行移栽培养;其中,S1~S5中的培养条件均为22~28℃,光强50~80μmolm-2s-1,光照14h/d;每升所述诱导培养基的pH为5.9,含有:1.0mgTDZ或1.0~2.0mgBAP、0.1mgNAA,余量为MS培养基;每升所述增殖培养基的pH为5.9,含有:1.0~3.0mgTDZ或1.0~3.0mgBAP、0.1mgNAA或0.1mgIBA,余量为MS培养基;每升所述壮苗培养基的pH为5.9,含有:蛋白胨0.5g/L或椰汁30g/L或香蕉30g/L,余量为MS培养基;每升所述生根培养基的pH为5.9,含有:1g活性炭和2.0~4.0mgIBA或0.1~0.5mgNAA,余量为MS培养基。所述外植体灭菌消毒是将作为外植体的茎段用自来水洗净,先以体积分数为75%的酒精溶液表面擦洗消毒10s,然后无菌水冲洗2次,再在质量体积浓度为0.1%的升汞溶液中浸泡8min,然后用无菌水冲洗3次,最后将茎段切成1cm长,得到灭菌处理的外植体。所述移栽培养是将组培苗移植到泥炭土:椰糠:珍珠岩:河沙以3:2:1:1的体积比组成的基质中,置于湿润遮荫(相对湿度为30~50%、透光率为40~50%)、20~25℃的环境下培养,每星期施用1wt‰的复合肥一次,以满足组培苗生长所学的水分和营养,获得栽培苗;所述复合肥中N:P:K的质量比为1:1:1。本专利技术中的MS培养基为国际通用的培养基,其成分和配制方法可参看谭文澄、戴策刚主编,《观赏植物组织培养技术》,北京:中国林业出版社,1991。由于鳄嘴花茎段分化能力较差,诱导不定芽的能力较差。因此本专利技术将带位点的茎段诱导出的腋芽作为诱导不定芽的材料,效果十分理想。将带位点的茎段接种于诱导培养基中,大概10d就可以诱导出腋芽。将腋芽接种于诱导培养基中,大概30d就可以诱导出不定芽,转入继代增殖,一般一个月可以继代一次,增殖的不定芽在壮苗培养基中进行壮苗培养,20d后转入生根培养基中,20d就可以生根形成组培苗,组培苗移栽至基质中一般一个月后就可以长至5~6cm高,获得栽培苗。由于鳄嘴花的组培苗很小,一般不超过3cm,在移植到室外后很容易失水或养分缺乏而死亡。因此本专利技术将组培苗移植至泥炭土:椰糠:珍珠岩:河沙体积比为3:2:1:1的混合基质中,置于湿润、荫蔽的环境下培养,浇水,施肥以满足组培苗生长所需的水分和营养需要,保证组培苗有较高的成活率。与现有的技术相比,本专利技术的具有以下优点:本专利技术从外植体的诱导到获得栽培苗只需要140d,大大加快了鳄嘴花的繁殖速度,通过继代增殖,每个月可以增殖6.07倍左右,因此可以在短时期内获得大量的组培苗,组培苗经移栽后,其成活率高达97%以上,从而能够使鳄嘴花这一传统的中草药和新型的蔬菜得以保存和发展,为今后更进一步利用该物种奠定良好的基础。本专利技术方法操作简单,易于实施,所用的培养基和试剂易配置,成本低,易大范围推广。附图说明图1为实施例1中鳄嘴花茎段的离体快繁照片。其中,A:鳄嘴花茎段在MS+1.0mg/LTDZ培养基上培养20d左右;B:腋芽在MS+1.0mg/LTDZ培养基上培养30d后的芽丛;D:腋芽在有机添加物蛋白胨和MS培养基上培养30d后形成的芽丛;E:腋芽在MS+1.0mg/LBAP+0.1mg/LNAA培养基上增殖;G:芽苗在改良MS+3.0mg/LIBA培养基上培养30d后,根系形成;H:鳄嘴花幼苗移栽至混合基质中(泥炭土:椰糠:珍珠岩:河沙3:2:2:1)中;I:田间管理120d后的鳄嘴花植株。具体实施方式以下实施例是对本专利技术的进一步说明,而不是对本专利技术的限制。实施例1:以从中国科学院华南植物园采集的鳄嘴花植株的茎段作为外植体,将茎段外植体用自来水清洗干净后,先以体积分数为75%酒精水溶液表面擦洗消毒10s,无菌水洗脱2次,之后在质量体积百分比浓度为0.1%升汞溶液中浸泡8min,并以无菌水洗涤3次,最后将茎段切成1cm大小,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,光强为50μmolm-2s-1,光照14h/d的条件下培养10d后诱导出腋芽,然后将腋芽转到诱导培养基继续培养,30d后诱导出不定芽;然后将此不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为50μmolm-2s-1,光照14h/d,一个月为一个继代周期,每个继代周期增殖6.07倍。将增殖的不定芽转入壮苗培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为50μmolm-2s-1,光照14h/d,20d后转入生根培养基中,使其生根,20d后长成试管苗。将该试管苗移植到含有泥炭土:椰糠:珍珠岩:河沙体积比为3:2:2:1的混合基质中,置于湿润、遮荫的环境下培养,室外温度介于20~25℃,经浇水,施肥,每星期施用1‰的复合肥(N:P:K为1:1:1)一次,以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养,一个月后试管苗长到4~5cm高,成活率高达97%,此时将此试管苗作为栽培苗栽到以火灰作为基质的盆中培养(图1)。其中,诱导培养基为每升培养基中含有N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲(TDZ)1.0mg和α-萘乙酸(NAA)0.1mg,其余成份为MS;增殖培养基为每升培养基中含有6-苄氨基嘌呤(BAP)1.0mg、α-萘乙酸(NAA)0.1mg,其余成份为MS;壮苗培养基为每升培养基中含有蛋白胨0.5gL-1,其余成份为MS;生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和吲哚-3-丁酸(IBA)3.0mg,其余成份为MS。实施例2以从中国科学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳄嘴花组织培养快速繁殖方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、腋芽的诱导:选取鳄嘴花茎段作为外植体,灭菌消毒后接种于诱导培养基中,直至诱导出腋芽;S2、不定芽的诱导:将所得腋芽接入诱导培养基中培养,直至诱导出不定芽;S3、继代增殖:将所得不定芽接入增殖培养基中进行增殖培养进行不定芽的增殖;S4、壮苗培养:将所得增殖的不定芽接入壮苗培养基中培养得到无根壮苗;S5、生根培养:将所得无根壮苗接入生根培养基中培养得到组培苗;S6、将所得组培苗进行移栽培养;其中,S1~S5中的培养条件均为22~28℃,光强50~80μmol m‑2s‑1,光照14h/d;每升所述诱导培养基的pH为5.9,含有:1.0mg TDZ或1.0~2.0mg BAP、0.1mg NAA,余量为MS培养基;每升所述增殖培养基的pH为5.9,含有:1.0~3.0mg TDZ或1.0~3.0mg BAP、0.1mg NAA或0.1mg IBA,余量为MS培养基;每升所述壮苗培养基的pH为5.9,含有:蛋白胨0.5g/L或椰汁30g/L或香蕉30g/L,余量为MS培养基;每升所述生根培养基的pH为5.9,含有:1g活性炭和2.0~4.0mg IBA或0.1~0.5mg NAA,余量为MS培养基。...

【技术特征摘要】
1.一种鳄嘴花组织培养快速繁殖方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、腋芽的诱导:选取鳄嘴花茎段作为外植体,灭菌消毒后接种于诱导培养基中,直至诱导出腋芽;S2、不定芽的诱导:将所得腋芽接入诱导培养基中培养,直至诱导出不定芽;S3、继代增殖:将所得不定芽接入增殖培养基中进行增殖培养进行不定芽的增殖;S4、壮苗培养:将所得增殖的不定芽接入壮苗培养基中培养得到无根壮苗;S5、生根培养:将所得无根壮苗接入生根培养基中培养得到组培苗;S6、将所得组培苗进行移栽培养;其中,S1~S5中的培养条件均为22~28℃,光强50~80μmolm-2s-1,光照14h/d;每升所述诱导培养基的pH为5.9,含有:1.0mgTDZ或1.0~2.0mgBAP、0.1mgNAA,余量为MS培养基;每升所述增殖培养基的pH为5.9,含有:1.0~3.0mgTDZ或1.0~3.0mgBAP、0.1mgNAA或0.1mgIBA,余量为MS培养基;每升所述壮苗培养基...

【专利技术属性】
技术研发人员:王强陈国华陈冬怡杨国陈红锋
申请(专利权)人:中国科学院华南植物园
类型:发明
国别省市:广东,44

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