A thyristor-based temperature controller consists of a comparator A1, a transistor T1, a T2, a thermistor RT, a variable resistor R1, a resistor R2_R8, and an electrolytic capacitor C1; an operational amplifier A2, a resistor R9_R10, a transistor T3, a transistor T4, a resistor R11_R12, a capacitor C2_C3, and a time-based integrated circuit IC1. Square wave generator circuit; power amplifier circuit composed of optocoupler GE1 and bidirectional thyristor KG1; temperature detection circuit compares heating temperature with setting value; when heating temperature is equal to setting value, the voltage of electrolytic capacitor C1 will be maintained at a suitable value; the voltage of electrolytic capacitor C1 controls the duty cycle of square wave generator To adjust the heating power of the bidirectional thyristor KG1, when the heating temperature is equal to the set value, the heating amount is close to the heat dissipation, so that the fluctuation range of the control temperature is greatly reduced and the temperature is constant.
【技术实现步骤摘要】
基于可控硅的温度控制器
本专利技术涉及一种温度控制器,其由电子元件组成。
技术介绍
温度控制器一般包括感应温度的热敏电阻、比较器,比较器将温度信号与设定值进行比较,当温度信号小于设定值时比较器输出加热信号电热器通电;当温度信号等于或大于设定值时比较器输出停止加热信号电热器断电;其不足之处是,电热器无稳态(即无一维持温度的持续功率),被控温度的波动范围较大,恒温性能较差。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提出一种基于可控硅的温度控制器,该温度控制器控温波动小,被控温度与设定温度的误差小。本专利技术的技术方案是,一种基于可控硅的温度控制器,其包括温度检测电路、方波发生器电路、功率放大电路;其特征是,所述的温度检测电路包括正温度系数的热敏电阻RT、比较器A1、三极管T1、三极管T2,热敏电阻RT的一端接比较器A1的同相输入端,热敏电阻RT的另一端接地,比较器A1的同相输入端通过可变电阻R1接稳压电源V+,比较器A1的反相输入端通过电阻R2接稳压电源V+,比较器A1的反相输入端通过电阻R3接地;比较器A1的输出端通过电阻R5接三极管T1的基极,三极管T1的基极通过电阻R4接稳压电源V+,三极管T1的发射极接稳压电源V+,三极管T1的集电极通过电阻R8接电解电容C1的正极,电解电容C1的负极接地;比较器A1的输出端通过电阻R6接三极管T2的基极,三极管T2的基极通过电阻R7接地,三极管T2的发射极接地,三极管T2的集电极接三极管T1的集电极;稳压电源V+接比较器A1的一电源输入端,稳压电源V-接比较器A1的另一电源输入端;所述的方波发生器电路包括运算放大器A ...
【技术保护点】
1.一种基于可控硅的温度控制器,其包括温度检测电路、方波发生器电路、功率放大电路;其特征是,所述的温度检测电路包括正温度系数的热敏电阻RT、比较器A1、三极管T1、三极管T2,热敏电阻RT的一端接比较器A1的同相输入端,热敏电阻RT的另一端接地,比较器A1的同相输入端通过可变电阻R1接稳压电源V+,比较器A1的反相输入端通过电阻R2接稳压电源V+,比较器A1的反相输入端通过电阻R3接地;比较器A1的输出端通过电阻R5接三极管T1的基极,三极管T1的基极通过电阻R4接稳压电源V+,三极管T1的发射极接稳压电源V+,三极管T1的集电极通过电阻R8接电解电容C1的正极,电解电容C1的负极接地;比较器A1的输出端通过电阻R6接三极管T2的基极,三极管T2的基极通过电阻R7接地,三极管T2的发射极接地,三极管T2的集电极接三极管T1的集电极;稳压电源V+接比较器A1的一电源输入端,稳压电源V‑接比较器A1的另一电源输入端;所述的方波发生器电路包括运算放大器A2、三极管T3、时基集成电路IC1,运算放大器A2的同相输入端接电解电容C1的正极,运算放大器A2的反相输入端通过电阻R9接地,运算放大器A ...
【技术特征摘要】
1.一种基于可控硅的温度控制器,其包括温度检测电路、方波发生器电路、功率放大电路;其特征是,所述的温度检测电路包括正温度系数的热敏电阻RT、比较器A1、三极管T1、三极管T2,热敏电阻RT的一端接比较器A1的同相输入端,热敏电阻RT的另一端接地,比较器A1的同相输入端通过可变电阻R1接稳压电源V+,比较器A1的反相输入端通过电阻R2接稳压电源V+,比较器A1的反相输入端通过电阻R3接地;比较器A1的输出端通过电阻R5接三极管T1的基极,三极管T1的基极通过电阻R4接稳压电源V+,三极管T1的发射极接稳压电源V+,三极管T1的集电极通过电阻R8接电解电容C1的正极,电解电容C1的负极接地;比较器A1的输出端通过电阻R6接三极管T2的基极,三极管T2的基极通过电阻R7接地,三极管T2的发射极接地,三极管T2的集电极接三极管T1的集电极;稳压电源V+接比较器A1的一电源输入端,稳压电源V-接比较器A1的另一电源输入端;所述的方波发生器电路包括运算放大器A2、三极管T3、时基集成电路IC1,运算放大器A2的同相输入端接电解电容C1的正极,运算放大器A2的反相输入端通过电阻R9接地,运算放大器A2的反相输入端与输出端之间接有电阻R10;三极管T3的基极接运算放大器A2的输出端,三极管T3的发射极通过电阻R11接稳压电源V+,三极管T3的集电极接电容C2的一端,电容C2的另一端接地,电容C2的一端接时基集成电路IC1的引脚2和引脚6,时基集成电路IC1的引脚7接三极管T3的发射极,三极管T4的基极接运算放大器A2的输出端,三极管T4的集电极...
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