液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及液晶介质，其包含一种或多种选自式I化合物的化合物，

【技术实现步骤摘要】
液晶介质
本专利技术涉及液晶介质和涉及含有这些介质的液晶显示器，尤其涉及通过有源矩阵寻址的显示器，和特别涉及平面转换(IPS)或边缘场开关(FFS)型的显示器。本专利技术进一步涉及制造液晶显示器的方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)在许多领域中用于信息显示。LCD用于直视型显示器和用于投射型显示器二者。使用的电光模式例如是扭曲向列(TN)、超扭曲向列(STN)、光学补偿弯曲(OCB)和电控双折射(ECB)模式以及它们的各种变型，以及其它模式。所有这些模式采用基本上垂直于基板或液晶层的电场。除了这些模式外，还存在采用基本上平行于基板或液晶层的电场的电光模式，例如平面转换(IPS)模式(例如公开在DE4000451和EP0588568中的那些)和边缘场开关(FFS)模式，在该模式中存在强的“边缘场”，即接近于电极边缘的强电场，和遍布液晶盒的具有强垂直分量和强水平分量二者的电场。这后两种电光模式特别用于在现代桌面监视器中的LCD和用于电视机和多媒体应用的显示器。在这种类型的显示器中优选使用根据本专利技术的液晶。通常，在FFS显示器中使用具有相当较低介电各向异性值的介电正性液晶介质，但在一些情况下，在IPS显示器中也使用具有仅约3或甚至更低的介电各向异性的液晶介质。对于这些显示器，需要具有改进性能的新型液晶介质。对于许多类型的应用，特别必须改进寻址时间。因此，需要具有较低粘度(η)，尤其具有较低旋转粘度(γ1)的液晶介质。除了这些粘度参数外，所述介质必须具有合适宽度和位置的向列相范围和合适的双折射(△n)，和所述介电各向异性(△ε)应当足够高以允许合理低的工作电压。根据本专利技术的显示器优选通过有源矩阵寻址(有源矩阵LCD，缩写为AMD)，优选通过薄膜晶体管(TFT)的矩阵寻址。然而，根据本专利技术的液晶还可以有利地在具有其它已知寻址方式的显示器中使用。适合于LCD和尤其适合于IPS显示器的液晶组合物是例如从以下文献中已知的：JP07-181439(A)、EP0667555、EP0673986、DE19509410、DE19528106、DE19528107、WO96/23851和WO96/28521。然而，这些组合物具有某些缺点。除其它缺点外，它们大部分导致不利地长的寻址时间，具有不足的电阻率值和/或需要过高的工作电压。另外，需要改进LCD的低温特性。在操作性能以及在保存期两个方面的改进在此处都是必要的。在制造显示器面板的过程中产生特殊的问题。典型地通过使用密封剂将具有像素电极、薄膜晶体管(TFT)和其它组件的第一基板粘结到含有公共电极的第二基板而制备LCD显示器。借助于毛细管力或真空，经由填充孔用液晶填充由所述基板包封的空间；随后用密封剂密封所述填充孔。随着近年来液晶显示器尺寸的增加，为了缩短在生产过程中的周期时间，所谓的“液晶滴下式注入”方法(ODF方法)已经被提出作为用于批量生产液晶显示器的方法(参见例如JPS63-179323和JPH10-239694)。这是用于生产液晶显示器的方法，在该方法中将一滴或多滴液晶施加到基板上，所述基板配备有电极并具有环绕边缘的密封剂。随后在真空中安装第二基板并将所述密封剂固化。然而，所述“液晶滴下式注入”带有的风险是导致被称为“ODF显示不匀(mura)”或“滴下式显示不匀(dropmura)”的显示器缺陷，其中与在所述ODF方法中已经分配的各个滴的布置相关的对称图案在所述面板的组装之后仍保持可见。取决于它们的尺寸和形状，可见到小圆点(“打点(dotting)显示不匀”)或更大的、相当方形的区域(国际象棋图案显示不匀)。因此，相当需要具有适合于实际应用的性能的液晶介质，所述性能例如宽向列相范围、对应于使用的显示器类型的合适的光学各向异性△n、高的△ε和用于特别短的响应时间的特别低的粘度。另外，为了避免显示器缺陷，例如滴下式显示不匀，重要的是提供混合物构思，其使得ODF-方法相关参数的灵活适应调节是可能的。
技术实现思路
令人惊奇地，已经发现可以实现具有适当高的△ε、合适的相范围和△n的液晶介质，其不表现出现有技术的材料的缺点，或者至少仅以显著较少的程度表现出所述缺点，和其允许接触角的灵活调整，从而影响在所述ODF方法过程中所述液晶介质的铺展特性，其出人意料地证明了可用于至少部分地或完全避免“滴下式显示不匀”。根据本专利技术的这些改进的液晶介质包含一种或多种选自式I化合物的化合物，和式CV的化合物其浓度为30重量％或更低，和一种或多种，优选一种，式OT的化合物和式PV的化合物其中R1指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，彼此独立地指Z11和Z12彼此独立地指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-C(O)O-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-、-CH2O-、-CF2O-或单键，L11和L12彼此独立地指H、F或Cl，ROT指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个碳原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，和R2和R3优选指烷基或烯基，优选具有最高至7个C原子的烷基或烯基。在一个优选实施方案中，根据本专利技术的介质进一步包含一种或多种选自式IA、IB和IC化合物的化合物，其中R1、A11、A12、Z11、Z12、L11和L12具有如上对于式I给出的含义，和彼此独立地指优选指优选特别优选指优选Z13至Z16彼此独立地指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-、-CH2O-、-CF2O-或单键，优选-CH2CH2-、-C(O)O-、反式-CH＝CH-或单键，特别优选-CF2O-或单键，和非常优选单键，X1指H或F。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述介质包含一种或多种选自式II和III化合物的化合物：其中R2和R3彼此独立地指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，和R2和R3优选指烷基或烯基，至在每次出现时彼此独立地指优选L21、L22、L31和L32彼此独立地指H或F，L21和/或L31优选指F，X2和X3彼此独立地指卤素、具有1至3个C原子的卤代烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基，优选F、Cl、-OCF3或-CF3，非常优选F、Cl或-OCF3，Z3指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或单键，优选-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-或单键，和非常优选-COO-、反式-CH＝CH-或单键，和m指0、1或3，优选1或3，和特别优选1，和n指0、1、2或3，优选1、2或3，和特别优选1，和在其中X2不指F的情况下，m也可以指2，和其中从式III及其子式的化合物中排除式OT的化合物。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述介质包含一种或多种式IV的化合物其中R41和R42彼此独立地具有如上在式II下对R2指出的含义，优选R41指烷基和R42指烷基或烷氧基，或R41指烯基和R42指烷基，彼此独立地，和如果出现两次，则它们也彼此独立地，指优选中的一种或多种，特别优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式I化合物的化合物，

【技术特征摘要】
2017.01.09 EP 17150727.01.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式I化合物的化合物，和式CV的化合物其浓度为30重量％或更低，和一种或多种式OT的化合物：和式PV的化合物其中R1指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，彼此独立地指Z11和Z12彼此独立地指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-、-CH2O-、-CF2O-或单键，L11和L12彼此独立地指H、F或Cl，ROT指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基。2.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于所述介质包含一种或多种选自式IA、IB和IC化合物的化合物，其中R1、A11、A12、L11和L12具有在权利要求1中指出的含义，彼此独立地指指指Z13至Z16彼此独立地指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-、-CH2O-、-CF2O-或单键，和X1指H或F。3.根据权利要求1或2的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自式II和III化合物的化合物：其中R2和R3彼此独立地指具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基，至在每次出现时彼此独立地指L21、L22、L31和L32彼此独立地指H或F，X2和X3彼此独立地指卤素、具有1至3个C原子的卤代烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤代烯基或烯氧基，Z3指-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或单键，和m指0、1或3和n指0、1、2或3，和在其中X2不指F的情况下，m也可以指2，和其中排除权利要求1的式OT的化合物。4.根据权利要求1至3的一项或多项的介质，其特征在于其包含一种或多种式III-2k的化合物其中R3、X3和L31至L36具有在权利要求3中指出的含义。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹彰晙，崔昌锡，韩然晶，陈熙锡，尹容国，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE