一种低成本的MOS管输出保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种低成本的MOS管输出保护电路，包括：推拉电路、MOS管Q1、开关控制电路和短路保护电路，所述推拉电路与所述MOS管Q1的栅极相连接，所述开关控制电路与所述MOS管Q1的漏极相连接，所述短路保护电路与所述MOS管Q1的源极相连接。本实用新型专利技术不再需要采用专用的短路保护芯片，能够有效降低MOS管输出保护电路的成本，响应速度快，足以满足实际使用需求；在短路保护电路的采样电路部分，在三极管Q6的基极增加电压偏置电路，提高采样电路中三极管Q6基极的初始电压，可以减小采样电阻阻值，避免不必要的无用功耗，减小采样电阻的功率消耗，进而有效减少整个产品的发热量。

A low cost MOS tube output protection circuit

The utility model provides a low cost MOS tube output protection circuit, including a push and pull circuit, a MOS tube Q1, a switch control circuit and a short circuit protection circuit. The push and pull circuit is connected with the gate of the Q1 of the MOS tube, the switch control circuit is connected with the leakage pole of the MOS tube Q1, and the short circuit protection circuit and the MOS. The source of the Q1 is connected to the source. The utility model no longer needs a special short circuit protection chip, which can effectively reduce the cost of the MOS tube output protection circuit, and the response speed is fast enough to meet the actual use demand. In the sampling circuit part of the short circuit protection circuit, the voltage bias circuit is added to the base of the triode Q6, and the Q6 base of the triode transistor in the sampling circuit is improved. The extreme initial voltage can reduce the resistance value of the sampling resistance, avoid unnecessary power consumption, reduce the power consumption of the sampling resistance, and reduce the heating amount of the whole product.

【技术实现步骤摘要】
一种低成本的MOS管输出保护电路
本技术涉及一种保护电路，尤其涉及一种低成本的MOS管输出保护电路。
技术介绍
MOS管是电路中非常常用且很重要的元器件，当电路短路时，由于MOS管的放大电流的特性，MOS管输出的电流会变得很大，而普通保护IC并不配备很好的保护电路，因此，就需采用响应速度快的专用保护IC才能实现及时的做出响应，以免电路因短路而损坏瘫痪。但是这种现有技术中，由于使用专用的保护IC，虽然响应的速度快，，但是由于采用的是专用的保护IC，很明显的硬件成本相对都比较高，那么，对于产品的制作成本就会变高，因此，对产品的定价、销量及利润都产生了一定的影响。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是需要提供低成本的MOS管输出保护电路。对此，本技术提供一种低成本的MOS管输出保护电路，包括：推拉电路、MOS管Q1、开关控制电路和短路保护电路，所述推拉电路与所述MOS管Q1的栅极相连接，所述开关控制电路与所述MOS管Q1的漏极相连接，所述短路保护电路与所述MOS管Q1的源极相连接。本技术的进一步改进在于，所述短路保护电路包括电阻R18、电阻R16、电阻R17和三极管Q6，所述MOS管Q1的源极分别与所述电阻R18的一端和电阻R16的一端相连接，所述电阻R16的另一端分别与所述电阻R17的一端和三极管Q6的基极相连接，所述电阻R18的另一端和三极管Q6的发射极接地，所述电阻R17的另一端连接至电源端。本技术的进一步改进在于，所述电阻R17的另一端连接至3.3V的电源端。本技术的进一步改进在于，所述开关控制电路为PWM开关控制电路。本技术的进一步改进在于，所述开关控制电路包括二极管D9、电容C16、电容C17、电阻R11和电阻R12，所述MOS管Q1的漏极分别与所述二极管D9的阳极、电容C16的一端、电容C17的一端、电阻R11的一端和电阻R12的一端相连接，所述二极管D9的阴极、电容C16的另一端、电容C17的另一端、电阻R11的另一端和电阻R12的另一端分别连接至电源端。本技术的进一步改进在于，所述二极管D9的阴极、电容C16的另一端、电容C17的另一端、电阻R11的另一端和电阻R12的另一端分别连接至24V的电源端。本技术的进一步改进在于，所述MOS管Q1的漏极还连接至PWM信号输出端。本技术的进一步改进在于，所述推拉电路包括电阻R20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述电阻R20的一端连接至三极管Q5的基极，所述三极管Q5的集电极分别与所述电阻R13的一端和三极管Q3的基极相连接，所述三极管Q3的集电极分别与所述电阻R14的一端、三极管Q2的基极和三极管Q4的基极相连接，所述电阻R13的另一端、电阻R14的另一端、三极管Q2的集电极连接至电源端，所述三极管Q2的发射极和三极管Q4的发射级通过电阻R15连接至所述MOS管Q1的栅极，所述三极管Q5的发射极、三极管Q3的发射极和三极管Q4的集电极分别接地。本技术的进一步改进在于，所述电阻R20的另一端连接至PWM控制端。本技术的进一步改进在于，所述电阻R13的另一端、电阻R14的另一端、三极管Q2的集电极连接至12V的电源端。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：由于采用低成本的采样电阻及三极管进行电路上的短路保护，不再需要采用专用的短路保护芯片，能够有效降低MOS管输出保护电路的成本；而因为采用硬件电路的方式来实现实行MOS管输出保护电路的短路保护，本技术响应速度快，足以满足实际使用需求。在短路保护电路的采样电路部分，在三极管Q6的基极增加电压偏置电路，提高采样电路中三极管Q6基极的初始电压，可以减小采样电阻阻值，避免不必要的无用功耗，减小采样电阻的功率消耗，进而有效减少整个产品的发热量。附图说明图1是本技术一种实施例的电路原理图。具体实施方式下面结合附图，对本技术的较优的实施例作进一步的详细说明。如图1所示，本例提供一种低成本的MOS管输出保护电路，包括：推拉电路1、MOS管Q1、开关控制电路2和短路保护电路3，所述推拉电路1与所述MOS管Q1的栅极相连接，所述开关控制电路2与所述MOS管Q1的漏极相连接，所述短路保护电路3与所述MOS管Q1的源极相连接。如图1所示，本例所述短路保护电路3包括电阻R18、电阻R16、电阻R17和三极管Q6，所述MOS管Q1的源极分别与所述电阻R18的一端和电阻R16的一端相连接，所述电阻R16的另一端分别与所述电阻R17的一端和三极管Q6的基极相连接，所述电阻R18的另一端和三极管Q6的发射极接地，所述电阻R17的另一端连接至电源端，该电源端为3.3V的电源端。本例所述开关控制电路2为PWM开关控制电路。如图1所示，所述开关控制电路2包括二极管D9、电容C16、电容C17、电阻R11和电阻R12，所述MOS管Q1的漏极分别与所述二极管D9的阳极、电容C16的一端、电容C17的一端、电阻R11的一端和电阻R12的一端相连接，所述二极管D9的阴极、电容C16的另一端、电容C17的另一端、电阻R11的另一端和电阻R12的另一端分别连接至24V的电源端；所述MOS管Q1的漏极还连接至PWM信号输出端。如图1所示，本例所述推拉电路1包括电阻R20、电阻R13、电阻R14、电阻R15、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述电阻R20的一端连接至三极管Q5的基极，所述三极管Q5的集电极分别与所述电阻R13的一端和三极管Q3的基极相连接，所述三极管Q3的集电极分别与所述电阻R14的一端、三极管Q2的基极和三极管Q4的基极相连接，所述电阻R13的另一端、电阻R14的另一端、三极管Q2的集电极连接至12V的电源端，所述三极管Q2的发射极和三极管Q4的发射级通过电阻R15连接至所述MOS管Q1的栅极，所述三极管Q5的发射极、三极管Q3的发射极和三极管Q4的集电极分别接地；所述电阻R20的另一端连接至PWM控制端。本例的工作原理如下：如图1所示，这里的短路保护方式是采用三极管本身的基极偏置电压变化，当MOS管Q1的电流增大到一个危险值时，采用电阻端的电压会升高，三极管Q6的保护电路的基极电压会升高，当电压大于0.6V时，三极管Q6导通；所述三极管Q6的集电极通过电阻R16接到MOS管Q1的源极（门极），当三极管Q6导通时，如果MOS管Q1的源极（门极）是高电平，将会被三极管Q6拉低，MOS管Q1从导通变成不导通状态，关断输出。所述MOS管Q1输出关断以后，MOS管Q1的采样电阻R18所在的短路保护电路3电压变低，三极管Q6的基极电压变低，三极管Q6由导通变为不导通，MOS管Q1由不导通变为导通，当MOS管Q1再次导通后，MOS管Q1的采样电阻R18电压升高，三极管Q6导通将MOS管Q1再次变为不导通状态，如此反复。接在MOS管Q1上的负载一直会处于开通和判断不断切换的状态，如果负载是LED灯，这个LED一直会处于闪烁状态，提醒用户，产品有异常或连接有异常，排除故障后，才能正常工作。因此，本例能够有效节约成本，不必选用专用保护IC保护而采用外接低成本的电阻及三极管这些元器件组成检测电路对MOS管短路时进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低成本的MOS管输出保护电路，其特征在于，包括：推拉电路、MOS管Q1、开关控制电路和短路保护电路，所述推拉电路与所述MOS管Q1的栅极相连接，所述开关控制电路与所述MOS管Q1的漏极相连接，所述短路保护电路与所述MOS管Q1的源极相连接。

【技术特征摘要】
1.一种低成本的MOS管输出保护电路，其特征在于，包括：推拉电路、MOS管Q1、开关控制电路和短路保护电路，所述推拉电路与所述MOS管Q1的栅极相连接，所述开关控制电路与所述MOS管Q1的漏极相连接，所述短路保护电路与所述MOS管Q1的源极相连接。2.根据权利要求1所述的低成本的MOS管输出保护电路，其特征在于，所述短路保护电路包括电阻R18、电阻R16、电阻R17和三极管Q6，所述MOS管Q1的源极分别与所述电阻R18的一端和电阻R16的一端相连接，所述电阻R16的另一端分别与所述电阻R17的一端和三极管Q6的基极相连接，所述电阻R18的另一端和三极管Q6的发射极接地，所述电阻R17的另一端连接至电源端。3.根据权利要求2所述的低成本的MOS管输出保护电路，其特征在于，所述电阻R17的另一端连接至3.3V的电源端。4.根据权利要求1至3任意一项所述的低成本的MOS管输出保护电路，其特征在于，所述开关控制电路为PWM开关控制电路。5.根据权利要求4所述的低成本的MOS管输出保护电路，其特征在于，所述开关控制电路包括二极管D9、电容C16、电容C17、电阻R11和电阻R12，所述MOS管Q1的漏极分别与所述二极管D9的阳极、电容C16的一端、电容C17的一端、电阻R11的一端和电阻R12的一端相连接，所述二极管D9的阴极、电容C16的另一端、电容C17的另一端、电阻R11的另一端和电阻R12的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东，刘维波，伍铁军，
申请(专利权)人：深圳市思坎普科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44