【技术实现步骤摘要】
一种低成本的压电谐振器/传感器封装工艺方法
本专利技术涉及一种压电谐振器或压电传感器的封装工艺方法。
技术介绍
现有晶元尺度下键合封装工艺成本较高,例如:“HermeticWaferLevelThinFilmPackagingforMEMS”,JeffreyBoWoonSoon,NavabSingh,EnesCalayir,GaryK.Fedder,GianlucaPiazza,2016IEEE66thElectronicComponentsandTechnologyConference展示了一种晶圆级硅基封装,适合大规模加工制造。但是该方法成本较高,封装层的厚度难以减薄,因而不适用于高灵敏度传感器的测量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种适合流体或者生物体内等环境下使用的高灵敏度传感器的封装工艺,且不影响封装后的器件的性能。为了达到上述目的,本专利技术的技术方案是提供了一种低成本的压电谐振器/传感器封装工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、制造压电兰姆波谐振器或传感器在高阻硅上,随后在压电兰姆波谐振器或传感器上镀一层金属底电极层;步骤2、在金属底电极层上镀一层压电材料层(如氮化铝,或者掺杂的氮化铝,或者其他压电材料),并采用湿法刻蚀工艺暴露部分金属底电极;步骤3、在压电材料层上镀一层金属做上电极;步骤4、利用含Cl2、BCl3的离子气体刻蚀压电材料层;步骤5、溅射沉积一层非晶态四族材料层在压电兰姆波谐振器或传感器的有源区域上面;步骤6、利用离子增强化学气相沉积工艺沉积一层绝缘介质材料层,利用干法刻蚀在绝缘介质材料层上刻出释放孔;步骤7、利用二氟 ...
【技术保护点】
1.一种低成本的压电谐振器/传感器封装工艺方法,其特征在于,所述封装工艺方法在400℃完成,包括以下步骤:步骤1、制造压电兰姆波谐振器或传感器在高阻硅上,随后在压电兰姆波谐振器或传感器上镀一层金属底电极层;步骤2、在金属底电极层上镀一层压电材料层,并采用湿法刻蚀工艺暴露部分金属底电极;步骤3、在压电材料层上镀一层金属做上电极;步骤4、利用含Cl2、BCl3的离子气体刻蚀压电材料层;步骤5、溅射沉积一层非晶态四族材料层在压电兰姆波谐振器或传感器的有源区域上面;步骤6、利用离子增强化学气相沉积工艺沉积一层绝缘介质材料层,利用干法刻蚀在绝缘介质材料层上刻出释放孔;步骤7、利用二氟化氙刻蚀非晶态四族材料层和金属底电极层下面的部分体硅材料直到压电兰姆波谐振器或传感器完全释放;步骤8、通过涂胶的方式涂一层SU‑8层,并利用SU‑8层的负胶特性采用光刻工艺使电极板暴露出来进行电学测量。
【技术特征摘要】
1.一种低成本的压电谐振器/传感器封装工艺方法,其特征在于,所述封装工艺方法在400℃完成,包括以下步骤:步骤1、制造压电兰姆波谐振器或传感器在高阻硅上,随后在压电兰姆波谐振器或传感器上镀一层金属底电极层;步骤2、在金属底电极层上镀一层压电材料层,并采用湿法刻蚀工艺暴露部分金属底电极;步骤3、在压电材料层上镀一层金属做上电极;步骤4、利用含Cl2、BCl3的离子气体刻蚀压电材料层;步骤5、溅射沉积一层非晶态四族材料层在压电兰姆波谐振器或传感器的有源区域上面;步骤6、利用离子增强化学气相沉积工艺沉积一层绝缘介质材料层,利用干法刻蚀在绝缘介质材料层上刻出释放孔;步骤7、利用二氟化氙刻蚀非晶态四族材料层和金属底电极层下面的部分体硅材料直到压电兰姆波谐振器或传感器完全释放;步骤8、通过涂胶的方式涂一层SU-8层,并利用SU-8层的负胶特性采用光刻工艺使电极板暴露出来进行电学测量。2.如权利要求1所述的一种低成本的压电谐振器/传感器封装工艺方法,其特征在于,在所述步骤2中,所述压电材料为高机电耦合系数...
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