显示装置制造方法及图纸

公开了一种显示装置。该显示装置包括：包括第一子像素至第四子像素的基板；位于基板上的第一缓冲层，第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管。第一子像素至第四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分。非发光部分中的硅氮化物层的厚度大于发光部分中的硅氮化物层的厚度。根据本公开的至少一方面，可以提高显示装置的透光率。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本公开内容涉及一种显示装置。尽管本公开内容适合用于广泛的应用范围，但其特别适合用于防止光损失，从而提高显示装置的透光率。
技术介绍
已经使用各种类型的平板显示器(FPD)来代替较重且较大的阴极射线管(CRT)。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示器。其中，OLED显示器是通过激发有机化合物来发光的自发光显示装置。OLED显示器不需要在液晶显示器中所需的背光单元，因此外形薄、重量轻并且制造过程简单。OLED显示器也可以在低温下制造，并具有包括如下的特性：1ms或更短的快速响应时间、低功耗、宽视角、高对比度等。此外，OLED显示器包括在用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间由有机材料形成的发光层。OLED显示器在发光层内通过将从第一电极接收到的空穴与从第二电极接收到的电子结合来形成空穴-电子对(即，激子)，并且通过在激子返回至基态(groundlevel)时产生的能量而发光。根据从OLED装置发射的光的方向，OLED显示器通常被分类为底部发光OLED显示器和顶部发光OLED显示器。底部发光OLED显示器沿朝向基板的向下方向(即，从发光层到第一电极的方向)发光。顶部发光OLED显示器沿离开基板的向上方向(即，从发光层到第二电极的方向)发光。在底部发光OLED显示器中，从发光层发射的光被多个层透射并被发射到外部。交替地层叠硅氧化物层和硅氮化物层的多缓冲层直接位于OLED显示器的基板上。硅氮化物层具有约1.9至2.0的高折射率，因此具有在硅氮化物层与硅氧化物层之间的界面处发生光损失的问题。
技术实现思路
本公开内容提供了一种能够通过防止光损失来增加透光率的显示装置。在一个方面，提供了一种显示装置，其包括：包括第一子像素至第四子像素的基板；位于基板上的第一缓冲层，第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管，其中，第一子像素至第四子像素中的每一个子像素均包括发光部分和非发光部分，并且其中，非发光部分中的硅氮化物层的厚度大于发光部分中的硅氮化物层的厚度。第一子像素是红色子像素，第二子像素是白色子像素，第三子像素是蓝色子像素，并且第四子像素是绿色子像素。硅氧化物层的厚度为至非发光部分中的硅氮化物层的厚度为至蓝色子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度小于白色子像素、红色子像素和绿色子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度。第一子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至第二子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至第三子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至并且第四子像素的发光部分中的硅氮化物层的厚度为至第一缓冲层包括在基板上的硅氮化物层和在硅氮化物层上的硅氧化物层。硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层。第一缓冲层包括在基板上的第一硅氮化物层、在第一硅氮化物层上的硅氧化物层以及在硅氧化物层上的第二硅氮化物层。硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层，并且硅氧化物层包括第一硅氧化物层和第二硅氧化物层。第一缓冲层包括在基板上的第一硅氮化物层、在第一硅氮化物层上的第一硅氧化物层、在第一硅氧化物层上的第二硅氮化物层以及在第二硅氮化物层上的第二硅氧化物层。显示装置还包括在第一缓冲层与薄膜晶体管之间的第二缓冲层。在本公开内容的另一方面中，一种显示装置包括：在基板上限定的第一子像素至第四子像素，并且各个子像素分别具有红色、白色、蓝色和绿色的发光部分和非发光部分；以及第一缓冲层，其设置在基板上并且包括硅氮化物层，其中，对应于蓝色发光部分的硅氮化物层的厚度与对应于红色发光部分、白色发光部分和绿色发光部分的硅氮化物层的厚度不同，以防止在从绿色波长到最大可见光波长的范围内的透光率降低。在本公开内容的又一方面中，一种显示装置包括：在基板上限定的第一子像素至第四子像素，并且各个子像素分别具有红色、白色、蓝色和绿色的发光部分和非发光部分；以及第一缓冲层，其设置在基板上并且包括硅氮化物层和硅氧化物层，硅氮化物层和硅氧化物层中的至少之一具有多于一层，其中，对应于蓝色发光部分的硅氮化物层的厚度与对应于红色发光部分、白色发光部分和绿色发光部分的硅氮化物层的厚度不同，以防止绿色波段和更高波段的透光率降低。附图说明包括有附图以提供对本公开内容的进一步理解并且附图被并入本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的一些方面，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：图1是根据本公开内容的一个方面的有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；图2示意性地示出了子像素的电路配置；图3示出了根据本公开内容的一个方面的子像素的电路配置的示例；图4示出了根据本公开内容的一个方面的子像素的电路配置的另一示例；图5是根据本公开内容的一个方面的子像素阵列的平面图；图6是沿图5的线I-I'截取的截面图；图7是沿着图5的线II-II'截取的截面图；图8是示出各个子像素的第一缓冲层的截面图；图9和图10是示出根据本公开内容的一个方面的第一缓冲层的层叠结构的截面图；以及图11是示出根据比较例和本公开内容的一个方面制造的OLED显示器中取决于波长的透射率的曲线图。具体实施方式现在将详细参考本公开内容的各方面，这些方面的示例在附图中示出。只要可能，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。需要注意的是，如果确定公知技术可能误导公开内容的方面，则省略对公知技术的详细描述。在下面的说明中使用的各个元件的名称仅仅是为了方便书写说明书而选择的，并且因此可能不同于实际产品中使用的名称。根据本公开内容的一个方面的显示装置可以被实现为有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)、电泳显示器等。作为示例，使用OLED显示器来描述本公开内容的方面。OLED显示器包括在用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间由有机材料形成的发光层。OLED显示器是自发光显示装置，其被配置成在发光层内通过将从第一电极接收的空穴与从第二电极接收的电子组合来形成空穴-电子对(即，激子)，并且通过在激子返回至基态时产生的能量发光。根据本公开内容的方面的OLED显示器可以是塑料显示装置，其中显示元件形成在柔性塑料基板而不是玻璃基板上。图1是根据本公开内容的一个方面的有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图。图2示意性地示出了子像素的电路配置。图3示出了根据本公开内容的一个方面的子像素的电路配置的示例。图4示出了根据本公开内容的一个方面的子像素的电路配置的另一示例。如图1所示，根据本公开内容的一个方面的OLED显示器可以包括图像处理单元110、定时控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。图像处理单元110输出从外部提供的数据信号DATA、数据使能信号DE等。除了数据使能信号DE之外，图像处理单元110还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一种或更多种。为了方便起见，这些信号未被示出。定时控制器120接收来自图像处理单元110的数据信号DATA和包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。定时控制器120基于驱动信号输出用于控制扫描驱动器140的操作定时的栅极定时控制信号GD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：基板，其包括在所述基板上限定的第一子像素至第四子像素；位于所述基板上的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于所述第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管，其中，所述第一子像素至第四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分，并且其中，所述非发光部分中的所述硅氮化物层的厚度大于所述发光部分中的所述硅氮化物层的厚度。

【技术特征摘要】
2016.12.30 KR 10-2016-01840131.一种显示装置，包括：基板，其包括在所述基板上限定的第一子像素至第四子像素；位于所述基板上的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括硅氮化物层和硅氧化物层；以及位于所述第一缓冲层上的薄膜晶体管和有机发光二极管，其中，所述第一子像素至第四子像素中的每一个均包括发光部分和非发光部分，并且其中，所述非发光部分中的所述硅氮化物层的厚度大于所述发光部分中的所述硅氮化物层的厚度。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素是红色子像素，所述第二子像素是白色子像素，所述第三子像素是蓝色子像素，并且所述第四子像素是绿色子像素。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅氧化物层的厚度为至4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述非发光部分中的所述硅氮化物层的厚度为至5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述蓝色子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度小于所述白色子像素、所述红色子像素和所述绿色子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度。6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子像素至所述第四子像素中的每个子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度根据所述硅氮化物层透射的光的波长和所述硅氮化物层的透射率来确定。7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至其中，所述第二子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至其中，所述第三子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至并且其中，所述第四子像素的所述发光部分中的硅氮化物层的厚度为至8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一缓冲层包括在所述基板上的所述硅氮化物层和在所述硅氮化物层上的所述硅氧化物层。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层，并且其中，所述第一缓冲层包括在所述基板上的所述第一硅氮化物层、在所述第一硅氮化物层上的所述硅氧化物层以及在所述硅氧化物层上的所述第二硅氮化物层。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅氮化物层包括第一硅氮化物层和第二硅氮化物层，并且所述硅氧化物层包括第一硅氧化物层和第二硅氧化物层，并且其中，所述第一缓冲层包括在所述基板上的所述第一硅氮化物层、在所述第一硅氮化物层上的所述第一硅氧化物层、在所述第一硅氧化物层上的所述第二硅氮化物层以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹旻求，金镀振，金美爱，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR