一种有源OLED像素驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种有源OLED像素驱动电路，包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、存储电容Cs、OLED像素，所述MOS管T1的栅极连接控制信号，所述MOS管T1的源级连接数据线；所述存储电容Cs一端连接MOS管T1的漏级，另一端连接MOS管T2的漏级；所述MOS管T2的栅极连接在存储电容Cs与MOS管T1连接的线路上，在存储电容Cs与MOS管T2连接的线路上连接有电源；所述MOS管T3的漏级连接MOS管T2的源级，所述MOS管T3的栅极连接控制信号，所述MOS管T3的漏级连接OLED像素的阳极，OLED像素的阴极接地。本发明专利技术提供了两管电压型有源像素驱动电路，对电路各器件的参数进行了选择，对数据波动OLED造成的影响进行分析并针对电路的不足之处加以改进，起到了防止误电流的产生和对OLED的保护作用。

An active OLED pixel driving circuit

The invention discloses a OLED active pixel driving circuit, including MOS T1, MOS T2 tube and MOS tube, T3 tube storage capacitor Cs, OLED pixel, the MOS gate tube T1 is connected with the control signal source, the MOS tube T1 is connected to the data lines; the storage capacitor Cs is connected to one end of MOS leakage T1 pipe, the other end is connected with the MOS tube T2 drain gate; the MOS T2 T1 pipe connecting pipe line connection in a storage capacitor Cs and MOS, T2 pipe is connected with a power line connection in a storage capacitor Cs and MOS; the MOS T3 connection MOS tube drain pipe T2 the source, gate of the MOS pipe T3 is connected with the control signal, the MOS tube T3 drain connection OLED pixel anode cathode OLED pixel grounding. The present invention provides two voltage type active pixel driving circuit, the circuit parameters of the device are selected, impact on the fluctuations in the data analysis of OLED and insufficiencies of the circuit is improved, to prevent false current generation and protective effect on OLED.

【技术实现步骤摘要】
一种有源OLED像素驱动电路
本专利技术涉及电路领域，具体涉及一种有源OLED像素驱动电路。
技术介绍
随着科学技术发展的日新月异，在短短的10余年时间内，平板显示已经迅速发展起来，并凭借着性价比的优势普及到各家各户。其中，液晶显示器的产量和市场占有率以高速迅猛的趋势向前发展。不可否认，液晶显示器具有低耗能，散热小，纤薄轻巧等优点，但也存在着一些无法克服的缺点。另一种平板显示—OLED自2003年开始应用在数码相机、手机等数字产品上，与LCD相比，在厚度、抗震性、视角、耗能方面有着很大的优势，并且可以将电路印刷在弹性材料上做成可以弯曲的柔软显示器，因而被很多人称之为“LCD的杀手”。OLED器件按照其驱动方式不同，可以分为PM-OLED(PassiveMatrixOLED,无源驱动)和AM-OLED(ActiveMatrixOLED，有源驱动)。PM-OLED要求发光器件的效率和亮度很高，使得PM-OLED无法满足高分辨率和大信息量显示的要求。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题，目的在于提供一种有源OLED像素驱动电路。本专利技术通过下述技术方案实现：一种有源OLED像素驱动电路，包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、存储电容Cs、OLED像素，MOS管T1的栅极连接控制信号，MOS管T1的源级连接数据线；所述存储电容Cs一端连接MOS管T1的漏级，另一端连接MOS管T2的漏级；所述MOS管T2的栅极连接在存储电容Cs与MOS管T1连接的线路上，在存储电容Cs与MOS管T2连接的线路上连接有电源；所述MOS管T3的漏级连接MOS管T2的源级，所述MOS管T3的栅极连接控制信号，所述MOS管T3的漏级连接OLED像素的阳极，OLED像素的阴极接地。进一步地，MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3均采用IRFZ20。进一步地，MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3均采用IRFZ20F1。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本专利技术提供了两管电压型有源像素驱动电路，对电路各器件的参数进行了选择，对数据波动OLED造成的影响进行分析并针对电路的不足之处加以改进，起到了防止误电流的产生和对OLED的保护作用。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术现有技术电路图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例如图2所示，现有技术中，有源两管电压型像素驱动电路结构其中，扫描线(Vsel)为栅极选通信号线,数据线(Vdata)为数据信号线。T1为开关管，T2为驱动管,Cs为存储电容。有源两管像素驱动电路的工作原理是：当栅极选通信号为低电平时，像素被选通。T1管打开，进入线性工作状态。数据信号传到T2管的栅极，使T2管饱和，T2管的源漏电流驱动OLED发光，Cs开始充放电，Cs两端电压与数据信号相对应。当栅极选通信号为高电平时，像素未被选通。T1截止，数据信号无法到达T2的栅极。Cs继续维持T2饱和，驱动OLED发光。驱动电路能够正常工作的条件是：在选通时间内，开关管T1必须工作在线性工作状态。在整个帧周期内，驱动管T2必须工作在饱和状态。Cs的充放电时间必须要小于选通时间，这样才能使Cs在像素选通结束时，完成全部的充放电过程。考虑到翘曲响应、充电时间、开口率等因素，最终确定T1、T2管的宽长比10μm/10μm、25μm/20μm,电容Cs＝115pF。在选通期间内T1管打开，数据信号对电容Cs充放电，输入信号线可能由于外界因素的影响产生极短暂的波动，因为在选通时间内，OLED的电流直接反应了数据信号，那么OLED的电流也会发生瞬时变化，影响OLED发光亮度，导致输出数据的不准确性。更重要的是数据信号的波动过大，可能会给OLED带来巨大的电流，这会降低OLED的使用寿命。如图1所示，一种有源OLED像素驱动电路，包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、存储电容Cs、OLED像素，MOS管T1的栅极连接控制信号，所述MOS管T1的源级连接数据线；所述存储电容Cs一端连接MOS管T1的漏级，另一端连接MOS管T2的漏级；所述MOS管T2的栅极连接在存储电容Cs与MOS管T1连接的线路上，在存储电容Cs与MOS管T2连接的线路上连接有电源；所述MOS管T3的漏级连接MOS管T2的源级，所述MOS管T3的栅极连接控制信号，所述MOS管T3的漏级连接OLED像素的阳极，OLED像素的阴极接地。MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3均采用IRFZ20。MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3均采用IRFZ20F1。其中T1和T3为开关管，T2为驱动管，扫描线Vsel1和Vsel2为栅极控制信号线，在任意时刻两信号相序相反，数据线(Vdata)为源极数据信号线，Cs为存储电容。(1)当Vsel1为低电平，Vsel2为高电平时，像素被选通，进入编程阶段。T1管被打开，进入线性工作状态，T3管处于截止状态。数据信号通过T1管传到T2管的栅极，使Cs开始充放电。但是由于T3管截止，理论上没有电流通过OLED，因此，OLED此时并不发光。(2)当Vsel1为高电平，Vsel2为低电平时，像素不被选通，进入保持阶段。T1管关闭，进入截止状态。T3管打开，进入线性工作状态。因为没有泄放回路，所以电容两端的电压能够保持不变，驱动管T2进入饱和状态。又因为T3管打开，T2管的漏电流经过T3管流入OLED，则此时OLED开始发光。21212这个电路的优点当栅极数据线被寻址时，T3管处于截止状态。如果此时数据信号产生了波动，则T3管可以止断数据信号所激发的电流流入发光单元，因此，在一定程度上起到阻止误电流出现和保护OLED的作用。对开关管T3的参数进行选择。T3在选通时间内处于截止状态，T3的漏电流对OLED的亮度也会产生直接的影响。一般认为电压变化如果在电路的灰阶电平范围内，则不会对OLED的亮度造成很大的影响。因为TFT的漏电流与TFT沟道宽度成正比，所以减小T3的沟道宽度能有效的减小漏电流，从而降低对OLED的影响。同时，为了能不失真的传递数据信号，T3的长度不宜过大。考虑到工艺等方面的问题，最后确定T3的宽长比为W/L＝10μm/10μm。AM-OLED显示屏的每个像素除了具有发光材料本身以外，还在其衬底上集成了多个TFT(thinfilmtransistor,薄膜晶体管)，能在整个帧周期内提供持续的工作信号，克服了使用占空比小的脉冲信号带来的问题，有利于实现大面积、高分辨率的显示，因而，近几年来被广泛的看好。本专利技术主要提供了两管电压型有源像素驱动电路,对电路各器件的参数进行了选择,对数据波动OLED造成的影响进行分析并针对电路的不足之处加以改进,起到了防止误电流的产生和对OLED的保护作用。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源OLED像素驱动电路，其特征在于，包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、存储电容Cs、OLED像素，所述MOS管T1的栅极连接控制信号，所述MOS管T1的源级连接数据线；所述存储电容Cs一端连接MOS管T1的漏级，另一端连接MOS管T2的漏级；所述MOS管T2的栅极连接在存储电容Cs与MOS管T1连接的线路上，在存储电容Cs与MOS管T2连接的线路上连接有电源；所述MOS管T3的漏级连接MOS管T2的源级，所述MOS管T3的栅极连接控制信号，所述MOS管T3的漏级连接OLED像素的阳极，OLED像素的阴极接地。

【技术特征摘要】
1.一种有源OLED像素驱动电路，其特征在于，包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、存储电容Cs、OLED像素，所述MOS管T1的栅极连接控制信号，所述MOS管T1的源级连接数据线；所述存储电容Cs一端连接MOS管T1的漏级，另一端连接MOS管T2的漏级；所述MOS管T2的栅极连接在存储电容Cs与MOS管T1连接的线路上，在存储电容Cs与MOS管T2连接的线路上连接有电源；所述MOS管T3...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亚琴，王俊，
申请(专利权)人：重庆秉为科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50