一种旱地甘薯立体栽培方法技术

本发明专利技术属于农作物种植方法，具体涉及一种旱地甘薯立体栽培方法。本发明专利技术主要解决目前栽培技术产量低的问题。本发明专利技术是经过深耕、划行、施肥、起垄、微膜覆盖、种植甘薯、定植甘薯、劳作、收获完成。本发明专利技术具有产量高，收益好等优点。

A three-dimensional cultivation method of sweet potato in dry land

【技术实现步骤摘要】
一种旱地甘薯立体栽培方法
本专利技术属于农作物种植方法，具体涉及一种旱地甘薯立体栽培方法。
技术介绍
北方种植甘薯的方法是：平地、打穴、点水、打叉、中耕2-3遍，翻秧2-3次，这种种植方法亩产1000-1500公斤。存在着产量低，同时因产量低而收入也低。
技术实现思路
：本专利技术的目的针对上述现有技术栽培方法存在的产量低的问题，提供一种旱地甘薯立体栽培方法。为实现上述专利技术目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种旱地甘薯立体栽培方法，其中，包括以下步骤：第一步，深耕：在秋后且立冬前日均气温在3℃以上的时间内，耕地深度30厘米；第二步，划行：在第二年3月中下旬，在10-13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；第三步，施肥：沟两边洒每亩地5公斤草木灰；第四步，起垄：按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；第五步，微膜覆盖：用90-100厘米宽，0.007毫米微膜覆盖；第六步，种植甘薯：于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按13厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土；第七步，定植甘薯：于5月中旬，按10厘米株距，在盖膜起垄甘薯的所剩地沟内，按20厘米行距插孔插苗定植；第八步，劳作、收获：将作物生长期内垄沟内的杂草清除，待10月中旬收获甘薯，收获完毕后，除秧平地。进一步优选方式，所述第五步中的微膜选用外面银灰色里面黑色。本专利技术采用甘薯立体栽培方法，可节省三分之二的管理用工，且产量效益各增加80-120％，提高土地利用率160％，同时实现甘薯大葱均不中耕、压蔓、打叉，此技术优势明显。由于地膜覆盖具有增温保湿的作用，因此有利于土壤微生物的增殖，使养分源源不断地供作物生长发育吸收利用。据测定，覆盖地膜后可有利于增加温度和土壤含水量，促进土壤微生物繁殖，从中加速提高土壤养分。据测定速效氮可增30％—50％，钾增10％—20％，磷增20％—30％。同时地膜覆盖还可减少养分的淋溶、流失、挥发，提高养分的利用率。定植后可适当追稀释后的农家肥和草木灰。生长期仅把垄沟内杂草随时拔掉，必须注意防止垄上膜破埙，严格做到随时用沟内土盖堵。上述栽培方法，比不盖膜单种甘薯的亩增产1-2倍，科学实现靠技术增加土地利用率160％，全面实现生产者低投入高产出的效益最大化，还有利用甘薯栽种中比单种不盖膜用工节省80％。本专利技术是在旱地内把两种不同的作物，科学的利用地下和地面收获物不同生长的差别规律，巧妙的巧妙的挖潜作物生长所需光、热、风、水、肥等要素的最大化。具体实施方式实施例1本实施例中所述一种旱地甘薯立体栽培方法，其中，包括以下步骤：第一步，深耕：在秋后且立冬前日均气温在3℃以上的时间内，耕地深度30厘米；第二步，划行：在第二年3月中下旬，在10毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；第三步，施肥：沟两边洒每亩地5公斤草木灰；第四步，起垄：按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；第五步，微膜覆盖：用90厘米宽，0.007毫米微膜覆盖；微膜选用外面银灰色里面黑色的效果更佳。第六步，种植甘薯：于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按13厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土；第七步，定植甘薯：于5月中旬，按10厘米株距，在盖膜起垄甘薯的所剩地沟内，按20厘米行距插孔插苗定植；第八步，劳作、收获：将作物生长期内垄沟内的杂草清除，待10月中旬收获甘薯，收获完毕后，除秧平地。实施例2本实施例中所述一种旱地甘薯立体栽培方法，其中，包括以下步骤：第一步，深耕：在秋后且立冬前日均气温在3℃以上的时间内，耕地深度30厘米；第二步，划行：在第二年3月中下旬，在13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；第三步，施肥：沟两边洒每亩地5公斤草木灰；第四步，起垄：按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；第五步，微膜覆盖：用100厘米宽，0.007毫米微膜覆盖；微膜选用外面银灰色里面黑色的效果更佳。第六步，种植甘薯：于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按13厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土；第七步，定植甘薯：于5月中旬，按10厘米株距，在盖膜起垄甘薯的所剩地沟内，按20厘米行距插孔插苗定植；第八步，劳作、收获：将作物生长期内垄沟内的杂草清除，待10月中旬收获甘薯，收获完毕后，除秧平地。实施例3本实施例中所述一种旱地甘薯立体栽培方法，其中，包括以下步骤：第一步，深耕：在秋后且立冬前日均气温在3℃以上的时间内，耕地深度30厘米；第二步，划行：在第二年3月中下旬，在12毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；第三步，施肥：沟两边洒每亩地5公斤草木灰；第四步，起垄：按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；第五步，微膜覆盖：用95厘米宽，0.007毫米微膜覆盖；微膜选用外面银灰色里面黑色的效果更佳。第六步，种植甘薯：于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按13厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土；第七步，定植甘薯：于5月中旬，按10厘米株距，在盖膜起垄甘薯的所剩地沟内，按20厘米行距插孔插苗定植；第八步，劳作、收获：将作物生长期内垄沟内的杂草清除，待10月中旬收获甘薯，收获完毕后，除秧平地。本专利技术的栽培技术也适用于大葱的栽培。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种旱地甘薯立体栽培方法，其特征是，包括以下步骤：第一步，深耕：在秋后且立冬前日均气温在3℃以上的时间内，耕地深度30厘米；第二步，划行：在第二年3月中下旬，在10‑13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；第三步，施肥：沟两边洒每亩地5公斤草木灰；第四步，起垄：按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；第五步，微膜覆盖：用90‑100厘米宽，0.007毫米微膜覆盖；第六步，种植甘薯：于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按13厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土；第七步，定植甘薯：于5月中旬，按10厘米株距，在盖膜起垄甘薯的所剩地沟内，按20厘米行距插孔插苗定植；第八步，劳作、收获：将作物生长期内垄沟内的杂草清除，待10月中旬收获甘薯，收获完毕后，除秧平地。

【技术特征摘要】
1.一种旱地甘薯立体栽培方法，其特征是，包括以下步骤：第一步，深耕：在秋后且立冬前日均气温在3℃以上的时间内，耕地深度30厘米；第二步，划行：在第二年3月中下旬，在10-13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；第三步，施肥：沟两边洒每亩地5公斤草木灰；第四步，起垄：按80厘米宽为一种植带，每带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；第五步，微膜覆盖：用90-100厘米宽，0.007毫米微膜覆盖；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴太平，刘光新，朝建红，
申请(专利权)人：吴太平，
类型：发明
国别省市：山西,14