The invention discloses a vertical stack structure long magnetic shielding structure and its manufacturing process, the magnetic shielding structure comprises a plurality of horizontally stacked silicon steel sheet, the single sheet placed in the vertical direction, a plurality of silicon steel sheet welded with a plurality of flat back spacer, a plurality of silicon steel sheet both ends are provided with short support frame are arranged on both sides of a long protective frame, short support frame and a plurality of supporting frame length wrapped in a circumferential direction of the silicon steel sheet, forming a cuboid structure. The manufacturing process comprises the following steps: 1) the long supporting frame is mounted on the laminated tooling, then stacked silicon steel sheet; 2) added to the design requirements of silicon steel sheet, press; 3) will be in accordance with the flat position of assembly welding, and the welding on the same side of the magnetic shielding structure, and short protection frame and frame are respectively welded to support long in the magnetic shielding structure of the week. The invention can effectively solve the problems of distortion and slump when the super long sheet of film is made in the manufacture of magnetic shielding.
【技术实现步骤摘要】
一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构及其制造工艺
本专利技术属于变压器制造
,具体涉及一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构及其制造工艺。
技术介绍
某公司某换流变磁屏蔽结构是国内首次采用的磁屏蔽结构。该磁屏蔽结构与之前的磁屏蔽结构发生了很大改变:其改变了以往磁屏蔽硅钢片平叠刷胶粘接结构,而是采用了硅钢片竖向叠片立放焊接的结构。该台产品磁屏蔽结构所用硅钢片规格为厚度0.27mm、宽度20mm、长度6700mm,硅钢片不允许拼接,且每件磁屏蔽结构理论计算大约需要1510片硅钢片。硅钢片极易扭曲变形、塌片、焊接易变形、易产生掉片等;是目前国内制造难度最高的磁屏蔽结构之一。
技术实现思路
本专利技术提供了一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构及其制造工艺,可以有效解决该类型磁屏蔽结构的制造中超长片型叠片时极易发生扭曲、塌片等问题,以及磁屏蔽结构焊接后变形严重和容易产生掉片的问题,保证了该类型磁屏蔽结构制造的可靠性。本专利技术采用如下技术方案来实现的:一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,该磁屏蔽结构包括若干个沿水平方向叠加在一起的硅钢片,其中,单个硅钢片在竖直方向上放置,若干个硅钢片的背面间隔焊接有若干个扁钢,若干个硅钢片的两端均设置有短护框,两侧均设置有长护框,短护框和长护框包裹在若干个硅钢片的周向上,形成一个长方体结构。本专利技术进一步的改进在于,单个硅钢片的长度为5000mm-9000mm,宽度为10mm-100mm,厚度为0.20mm-0.50mm。本专利技术进一步的改进在于,该磁屏蔽结构中的硅钢片数量为1000-2000,相邻两个硅钢片之间紧贴在一起。本专利技术进一步的改进在于 ...
【技术保护点】
一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,其特征在于,该磁屏蔽结构包括若干个沿水平方向叠加在一起的硅钢片(1),其中,单个硅钢片(1)在竖直方向上放置,若干个硅钢片(1)的背面间隔焊接有若干个扁钢(2),若干个硅钢片(1)的两端均设置有短护框(3),两侧均设置有长护框(4),短护框(3)和长护框(4)包裹在若干个硅钢片(1)的周向上,形成一个长方体结构。
【技术特征摘要】
1.一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,其特征在于,该磁屏蔽结构包括若干个沿水平方向叠加在一起的硅钢片(1),其中,单个硅钢片(1)在竖直方向上放置,若干个硅钢片(1)的背面间隔焊接有若干个扁钢(2),若干个硅钢片(1)的两端均设置有短护框(3),两侧均设置有长护框(4),短护框(3)和长护框(4)包裹在若干个硅钢片(1)的周向上,形成一个长方体结构。2.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,其特征在于,单个硅钢片(1)的长度为5000mm-9000mm,宽度为10mm-100mm,厚度为0.20mm-0.50mm。3.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,其特征在于,该磁屏蔽结构中的硅钢片(1)数量为1000-2000,相邻两个硅钢片(1)之间紧贴在一起。4.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,其特征在于,若干个扁钢(2)沿该磁屏蔽结构的短轴方向布置在磁屏蔽结构的同一面上,且每个扁钢(2)与所有硅钢片(1)的棱边焊接在一起。5.根据权利要求1所述的一种竖向叠片结构超长磁屏蔽结构,其特征在于,短护框(3)和长护框(4)均与硅钢片(1)焊接在一起。6.权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:翟卫东,曹磊,席卫华,沈维洁,
申请(专利权)人:中国西电电气股份有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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