一种电源温控电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电源温控电路，该电路是当与R40串接的常闭型温度开关K1达到它的动作温度时，温度开关K1将打开，R40与R32并联状态改变，电路阻值变大，电压比较器U3B的高输入端电压减小，电压比较器U3B的高输入端与低输入端进行电压比较，低输入端为整个电源的电流取样电压，电压比较器U3B的高输入端电压降低，低输入端也降低，然后通过光耦传输到变压器T1的初级的控制芯片IC，通过控制芯片IC产生的PWM信号对MOS场效应管Q1进行开关控制，来实现降低整个电源输出电流。本实用新型专利技术当电源工作到一个高度温度时，可以实现以降低输出功率及输出电流的方式，来达到延长灯与电源的寿命。

Power supply temperature control circuit

The utility model discloses a power supply control circuit, the circuit is connected in series with the R40 when the normally closed switch K1 temperature reaches its operating temperature, the temperature switch will open the K1, R40 and R32 parallel state changes, circuit resistance becomes large, high input voltage of the voltage comparator U3B decreases, high input the voltage comparator U3B and low input voltage, low input current sampling voltage of the power supply, high input voltage of the voltage comparator U3B reduced, low input is reduced, and then through the coupler transmission to the control chip IC primary transformer T1, by controlling the PWM signal generated by the switch chip IC control of the MOS FET Q1, to reduce the output current of power supply. When the power supply works at a high temperature, the utility model can realize the mode that the output power and the output current are reduced to prolong the service life of the lamp and the power supply.

【技术实现步骤摘要】
一种电源温控电路
本技术涉及LED照明
，具体涉及一种电源温控电路。
技术介绍
目前,市场上常用的LED路灯驱动电源,有时会长时间高温环境中使用，就出现内部温度高，导致电子元器件的寿命降低，影响整个驱动与灯的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于：针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种电源温控电路。本技术是通过以下技术方案实现的：一种电源温控电路，包括输入端Vf，所述输入端Vf通过电阻R40、温度开关K1串接后连接到电压比较器U3B的高输入端或电阻R32连接到电压比较器U3B的高输入端，所述电压比较器U3B的高输入端、电阻R32、电阻R40均通过电阻R31接GND端，电压比较器U3B的低输入端经过电阻R29、电容C13串接后接到电压比较器U3B的输出端，所述电压比较器U3B的输出端通过光电耦合器U2A、U2B连通控制芯片IC的FB脚，电压比较器U3B的输出端与光电耦合器U2A之间串联有反向二极管D10，控制芯片IC的GD管脚连接MOS场效应管Q1的栅极，所述MOS场效应管Q1的源极连接GND端，MOS场效应管Q1的漏极连接变压器T1的初级线圈，所述控制芯片IC的VDD管脚与二极管D6串联后接入变压器T1的次级线圈，控制芯片IC的VDD管脚还连接有电容C3，变压器T1的初级线圈通过整流桥BD1连接交流电，所述变压器T1的输出端串联有二极管D8，变压器T1的输出端并联有电容C16。进一步，所述温度开关K1为常闭型温度开关。进一步，所述电压比较器U3B的型号为2904。进一步，所述控制芯片IC的型号为6562A。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：本技术设计的温度控制电路，能够达到当温度达到一个高值后，将实现自动降低输出功率及输出电流的方式，以减少整体的发热温度来延长灯与电源的使用寿命。附图说明本技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中：图1为本技术的电路示意图。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1所示，一种电源温控电路，包括输入端Vf，所述输入端Vf通过电阻R40、温度开关K1串接后连接到电压比较器U3B的管脚5或电阻R32连接到电压比较器U3B的管脚5，其中，温度开关K1为常闭型温度开关，电压比较器U3B的型号为2904；所述电压比较器U3B的管脚5、电阻R32、电阻R40均通过电阻R31接GND端，电压比较器U3B的管脚6经过电阻R29、电容C13串接后接到电压比较器U3B的管脚7，所述电压比较器U3B的管脚7通过光电耦合器U2A、U2B连通控制芯片IC的FB脚，所述电压比较器U3B的管脚8、光电耦合器U2A的管脚1并入变压器T1的次级线圈，T1的次级线圈连接有二极管D5和电容C2，电压比较器U3B的管脚4连接GND端，电压比较器U3B的管脚7与光电耦合器U2A的管脚2之间串联有反向二极管D10，控制芯片IC的GD管脚连接MOS场效应管Q1的栅极，所述MOS场效应管Q1的源极连接GND端，MOS场效应管Q1的漏极连接变压器T1的初级线圈，所述控制芯片IC的VDD管脚与二极管D6串联后接入变压器T1的次级线圈，控制芯片IC的VDD管脚还连接有电容C3，控制芯片IC的型号为6562A，所述变压器T1的初级线圈通过整流桥BD1连接交流电，所述变压器T1的输出端串联有二极管D8，变压器T1的输出端并联有电容C16。本技术是当与R40串接的常闭型温度开关K1达到它的动作温度时，温度开关K1将打开，R40与R32并联状态改变，电路阻值变大，电压比较器U3B的管脚5电压减小，电压比较器的U3B的管脚5与管脚6进行电压比较，管脚6为整个电源的电流取样电压，电压比较器U3B的管脚5电压降低，管脚6也降低，然后通过光耦传输到变压器T1的初级的控制芯片IC，通过控制芯片IC产生的PWM信号对MOS场效应管Q1进行开关控制，来实现降低整个电源输出电流。以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术。本技术扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源温控电路，其特征在于，包括输入端Vf，所述输入端Vf通过电阻R40、温度开关K1串接后连接到电压比较器U3B的高输入端或电阻R32连接到电压比较器U3B的高输入端，所述电压比较器U3B的高输入端、电阻R32、电阻R40均通过电阻R31接GND端，电压比较器U3B的低输入端经过电阻R29、电容C13串接后接到电压比较器U3B的输出端，所述电压比较器U3B的输出端通过光电耦合器U2A、U2B连通控制芯片IC的FB脚，电压比较器U3B的输出端与光电耦合器U2A之间串联有反向二极管D10，控制芯片IC的GD管脚连接MOS场效应管Q1的栅极，所述MOS场效应管Q1的源极连接GND端，MOS场效应管Q1的漏极连接变压器T1的初级线圈，所述控制芯片IC的VDD管脚与二极管D6串联后接入变压器T1的次级线圈，控制芯片IC的VDD管脚还连接有电容C3，变压器T1的初级线圈通过整流桥BD1连接交流电，所述变压器T1的输出端串联有二极管D8，变压器T1的输出端并联有电容C16。

【技术特征摘要】
1.一种电源温控电路，其特征在于，包括输入端Vf，所述输入端Vf通过电阻R40、温度开关K1串接后连接到电压比较器U3B的高输入端或电阻R32连接到电压比较器U3B的高输入端，所述电压比较器U3B的高输入端、电阻R32、电阻R40均通过电阻R31接GND端，电压比较器U3B的低输入端经过电阻R29、电容C13串接后接到电压比较器U3B的输出端，所述电压比较器U3B的输出端通过光电耦合器U2A、U2B连通控制芯片IC的FB脚，电压比较器U3B的输出端与光电耦合器U2A之间串联有反向二极管D10，控制芯片IC的GD管脚连接MOS场效应管Q1的栅极，所述MOS场效应管...

【专利技术属性】
技术研发人员：司曙，
申请(专利权)人：江苏绿友光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32