一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路，包括电阻R1、电阻R2、二极管D1、电阻R4、阻尼电阻R5、EMC滤波电容C1、可控硅调光器ZD1和MOS管Q1，所述电阻R1的一端连接电源Vbuss，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R4的一端、所述EMC滤波电容C1的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的负极、所述MOS管Q1的栅极连接。本实用新型专利技术的有益效果是：可稳定电源输出，提高电源整体效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路
本技术涉及开关电源，尤其涉及开关电源中的一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路。
技术介绍
LED可控硅调光电源在调光器触发时，因电源前级EMC滤波电路中电容会快速充电，产生一个电流尖峰，如果没有阻性阻尼，该电流尖峰将引起电源输入电流振荡，大电流将引起调光器误触发，导致电源输出不稳。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路。本技术提供了一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路，包括电阻R1、电阻R2、二极管D1、电阻R4、阻尼电阻R5、EMC滤波电容C1、可控硅调光器ZD1和MOS管Q1，所述电阻R1的一端连接电源Vbuss，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R4的一端、所述EMC滤波电容C1的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的负极、所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q1的漏极接地GND1，所述阻尼电阻R5的一端接地GND1，所述阻尼电阻R5的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的正极、所述EMC滤波电容C1的另一端连接，所述MOS管Q1的源极连接于所述可控硅调光器ZD1的正极、阻尼电阻R5之间。作为本技术的进一步改进，所述电阻R2的另一端连接有电阻R3，所述电阻R3接地GND。作为本技术的进一步改进，所述LED可控硅调光电源用主动阻尼电路还包括三极管Q2，所述三极管Q2的基极连接于所述电阻R2、电阻R3之间，所述三极管Q2的集电极连接于所述二极管D1、EMC滤波电容C1之间，所述三极管Q2的发射极接地GND。本技术的有益效果是：通过上述方案，可稳定电源输出，提高电源整体效率。附图说明图1是本技术一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路的电路图。具体实施方式下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。如图1所示，一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路，包括电阻R1、电阻R2、二极管D1、电阻R4、阻尼电阻R5、EMC滤波电容C1、可控硅调光器ZD1和MOS管Q1，所述电阻R1的一端连接电源Vbuss，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R4的一端、所述EMC滤波电容C1的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的负极、所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q1的漏极接地GND1，所述阻尼电阻R5的一端接地GND1，所述阻尼电阻R5的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的正极、所述EMC滤波电容C1的另一端连接，所述MOS管Q1的源极连接于所述可控硅调光器ZD1的正极、阻尼电阻R5之间。如图1所示，所述电阻R2的另一端连接有电阻R3，所述电阻R3接地GND。如图1所示，所述LED可控硅调光电源用主动阻尼电路还包括三极管Q2，所述三极管Q2的基极连接于所述电阻R2、电阻R3之间，所述三极管Q2的集电极连接于所述二极管D1、EMC滤波电容C1之间，所述三极管Q2的发射极接地GND。本技术提供的一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路的工作原理如下：可控硅调光器ZD1触发，电源接入交流工作电，EMC滤波电容C1初始为低电压，并开始通过电阻R1、电阻R2、二极管D1充电，MOS管Q1不导通，阻尼电阻R5接入电源主回路，抑制启动的尖峰电流。2.EMC滤波电容C1充电达到MOS管Q1开启电压Ugs(th)，MOS管Q1开始导通。随着EMC滤波电容C1的电压升高，MOS管Q1完全导通，主回路电流主要从MOS管Q1通过。阻尼电阻R5两端的电压被调节为MOS管Q1饱和导通后的Vds电压，因这个电压很低，所以只产生很低的功耗。3.可控硅调光器ZD1截止时，电容C1通过三极管Q2迅速放电至0V，MOS管Q1截止复位。为下一个电源周期做好准备。参数设定1.电容C1充电电压Vt=E*[1-exp(-t/RC)，通过调整电阻R1、电阻R2、EMC滤波电容C1的参数可调节MOS管Q1的导通延时时间。2.阻尼电阻R5的功耗：P=Vds^2/R5。本技术提供的一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路，阻尼电阻只在可控硅调光器触发的初始阶段串入主回路，达到抑制尖峰电流的作用，当主回路的EMC滤波电容充电完毕后，主回路电流主要从旁路MOS上流过，且阻尼电阻两端电压被调节为MOS饱和导通后的Vds电压（这个电压很低），这时阻尼电阻消耗很少的能量。显著的提升了电源的整体效率，有效的减少阻尼电阻功耗。相比于传统阻尼电路，可选用更大的阻尼电阻，在可控硅深度调光时，电源输出更稳定。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、二极管D1、电阻R4、阻尼电阻R5、EMC滤波电容C1、可控硅调光器ZD1和MOS管Q1，所述电阻R1的一端连接电源Vbuss，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R4的一端、所述EMC滤波电容C1的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的负极、所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q1的漏极接地GND1，所述阻尼电阻R5的一端接地GND1，所述阻尼电阻R5的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的正极、所述EMC滤波电容C1的另一端连接，所述MOS管Q1的源极连接于所述可控硅调光器ZD1的正极、阻尼电阻R5之间。

【技术特征摘要】
1.一种LED可控硅调光电源用主动阻尼电路，其特征在于：包括电阻R1、电阻R2、二极管D1、电阻R4、阻尼电阻R5、EMC滤波电容C1、可控硅调光器ZD1和MOS管Q1，所述电阻R1的一端连接电源Vbuss，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R4的一端、所述EMC滤波电容C1的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述可控硅调光器ZD1的负极、所述MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q1的漏极接地GND1，所述阻尼电阻R5的一端接地GND1，所述阻尼电阻R5的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋建红，闵荣峰，伍铁军，
申请(专利权)人：深圳市思坎普科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44