FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端，其中，所述FDD_LTE终端信号发射接收装置包括：频率合成器，所述频率合成器的至少一个输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个双工器，隔离发射信号和接收信号，以实现收发变频的复用。在所述频率合成器的至少一个输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个双工器，隔离发射信号和接收信号，以实现收发变频的复用。以实现FDD_LTE终端的低成本、低功耗以及小型化，为专用网以及热点应用的快速商用奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】
FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端
本专利技术涉及无线通讯领域，尤其是一种FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端。
技术介绍
LTE(LongTermEvolution，长期演进)公用网设备和终端产品商用化日益成熟，公用网发展势头迅猛，其频段主要集中在700-2700MHz。当前移动通信行业及热点应用需求旺盛，前景广阔。行业应用和热点应用有专用的频段均需求或高于2.7GHz或低于700MHz，而对于低于700MHz或高于2.7GHz的频段，基站及终端目前没有现成可用的平台。这些频段分布较为零散，开发投入不足，而目前国家对于公安、武警以及消防各方面需要利用低于700MHz或高于2.7GHz的频段，因此需求比较强烈和旺盛。比较优化的解决方案是基于公网设备和终端成熟方案，采用变频的方式，将空口不同频段的需求通过上下变频，转化为公网频段的需求，可突破开发投入及开发周期瓶颈，达到快速商用的目的。FDD_LTE终端信号发射接收装置是一种基于应用FDD(FrequencyDivisionDuplex，频分双工)式的LTE制式下的终端信号发射接收装置，其主要任务之一是用混频器实现专用频段与公用频段的转换。一般的，至少有两收一发3路射频通道。当前，具有两收一发3路射频通道的所述FDD_LTE终端信号发射接收装置有两种方案，第一种是分立元件方案。具体的，如图1所示，包括：3个混频器107、一个本振源101以及一个分路器103；每个混频器的两端分别连接一个带通滤波器(106a、106b)，所述本振源101通过一低通滤波器102后与所述分路器103的输入端连接，所述分路器103设置有3个输出端，所述3个输出端分别通过一个放大器104和一个低通滤波器105后与一个混频器107连接。图1中，PRx_in为主接收输入端，PRx_out为与PRx_in对应的主接收输出端，SRx_in为辅接收输入端，SRx_out为与SRx_in对应的辅接收输出端，Tx_out为发射输出端，Tx_in为与Tx_out对应的发射输入端。该方案实现单元电路复杂、成本高，很难满足小型化和低成本要求。另一种方案是集成元件方案，即为了满足小型化的要求，采用集成电路元件实现具有两收一发3路射频通道的所述FDD_LTE终端信号发射接收装置。具体的，如图2所示，包括：第一混频元器件201和第二混频元器件202，所述第一混频元器件包括两个混频器和一个频综电路，所述第二混频元器件包括一个所述混频器和一个所述频综电路，所述混频器的两端分别与一个单端转差分器的一端连接，每个所述单端转差分器的另一端与一个带通滤波器的一端连接，每个所述带通滤波器的另一端为该FDD_LTE终端信号发射接收装置的输入端或输出端。图2中，PRx_in为主接收输入端，PRx_out为与PRx_in对应的主接收输出端，SRx_in为辅接收输入端，SRx_out为与SRx_in对应的辅接收输出端，Tx_out为发射输出端，Tx_in为与Tx_out对应的发射输入端。在此方案中，需要两片芯片来实现，需要有配置两套寄存器。且此方案的功耗较大，在其工作电压为3V时达到280mA。进一步的，在PCB板上占用的面积也较大，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端，以解决当前方案中功耗大、成本高的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端，其中，所述FDD_LTE终端信号发射接收装置包括一频率合成器，所述频率合成器的至少一个输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个双工器，所述双工器用于隔离发射信号和接收信号。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述频率合成器包括：多个混频器、一个频综电路以及多个单端转差分器，所述频综电路用于为所述多个混频器提供本振信号，每个所述混频器的两端各连接于一个所述单端转差分器的一端，所述单端转差分器的另一端为所述频率合成器的输入端或输出端。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述频综电路包括鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和小数分频器，用于为所述多个混频器提供本振信号。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述频率合成器还包括第一滤波器，所述参考本振源的输出端连接于所述第一滤波器，以减小噪声干扰。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述第一滤波器为低通滤波器。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述FDD_LTE终端信号发射接收装置处于睡眠状态时，所述频率合成器的使能管脚接入一低电平低电平信号。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述低电平信号为0V-0.3V。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，还包括多个第二滤波器，所述频率合成器未连接双工器的输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个所述第二滤波器。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，所述第二滤波器为带通滤波器。优选的，在上述的FDD_LTE终端信号发射接收装置中，通过一寄存器对所述频率合成器进行配置。本专利技术还提供了一种FDD_LTE终端，包括如上所述的FDD_LTE终端信号发射接收装置。在本专利技术提供的FDD_LTE终端信号发射接收装置及FDD_LTE终端中，在所述频率合成器的至少一个输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个双工器，隔离发射信号和接收信号，以实现收发变频的复用。以实现FDD_LTE终端的低成本、低功耗以及小型化，为专用网以及热点应用的快速商用奠定了基础。附图说明图1为现有技术中分立元件方案的FDD_LTE终端信号发射接收装置的结构示意图；图2为现有技术中集成元件方案的FDD_LTE终端信号发射接收装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例一中FDD_LTE终端信号发射接收装置的结构示意图；图4为本专利技术实施例一中频综电路的结构示意图；图5为本专利技术实施例二中FDD_LTE终端信号发射接收装置的结构示意图；图中：101-参考本振源；102-低通滤波器；103-分路器；104-放大器；105-低通滤波器；106(106a、106b)-带通滤波器；107-混频器；201-第一混频元器件；202-第二混频元器件；301-频率合成器；3011a、3011b-混频器；3012-频综电路；3013a、3013b、3013c、3013d-单端转差分器；302a、302b-双工器；303a、303b-第二滤波器；3012a-鉴相器；3012b-电荷泵；3012c-环路滤波器；3012d-压控振荡器；3012e-小数分频器；401-频率合成器；4011a、4011b-混频器；402a、402b、402c、402d-双工器；4013a、4013b、4013c、4013d-单端转差分器。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一本专利技术实施例提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FDD_LTE终端信号发射接收装置，包括一频率合成器，其特征在于，所述频率合成器的至少一个输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个双工器，所述双工器用于隔离发射信号和接收信号。

【技术特征摘要】
1.一种FDD_LTE终端信号发射接收装置，包括一频率合成器，其特征在于，所述频率合成器的至少一个输入端以及与该输入端对应的输出端各连接一个双工器，所述双工器用于隔离发射信号和接收信号。2.如权利要求1所述的FDD_LTE终端信号发射接收装置，其特征在于，所述频率合成器包括：多个混频器、一个频综电路以及多个单端转差分器，所述频综电路用于为所述多个混频器提供本振信号，每个所述混频器的两端各连接于一个所述单端转差分器的一端，所述单端转差分器的另一端为所述频率合成器的输入端或输出端。3.如权利要求2所述的FDD_LTE终端信号发射接收装置，其特征在于，所述频综电路包括鉴相器、电荷泵、环路滤波器、压控振荡器和小数分频器，用于为所述多个混频器提供本振信号。4.如权利要求3所述的FDD_LTE终端信号发射接收装置，其特征在于，所述频率合成器还包括第一滤波器，所述参考本振源的输出端连接于所述第一滤波器。5.如权利要求4所述的FDD_LT...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨法，樊锋，吴文伟，梅德军，
申请(专利权)人：联芯科技有限公司，大唐半导体设计有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31