A kind of flexible DC converter topology module, including: half bridge and MOSFET device; the bridge structure includes a first switch module, second switch module and a first capacitor electrode and the second switch module; the first switch module is connected with the cathode; the first capacitor and the first switch module is connected to the cathode the anode and cathode of the first capacitance, second switch module is connected; the first switch module and switch module second by a IGBT and an anti parallel diode, the half bridge structure of each IGBT parallel MOSFET devices; parallel application of MOSFET and IGBT devices that can play the advantages of the two kinds of devices the respective and learn from each other in the opening, the flow and the off stage, adding parallel MOSFET after the whole process with the traditional modular multilevel converter module Compared with the utility model, the switching off time can be greatly reduced while the switching loss is reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种柔性直流换流器子模块拓扑结构
本专利技术涉及柔性直流输电系统,具体涉及一种柔性直流换流器子模块拓扑结构。
技术介绍
基于IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅二极晶体管)器件电压源换流器的高压直流输电技术的柔性直流输电,是目前世界上可控性最高、适应性最好的输电技术,为解决电网面临的诸多难题提供了一种全新的技术手段。随着IGBT的发展以及可再生能源并网、城市增容扩建等需求的不断扩大,基于IGBT的模块化多电平柔性直流输电技术近年来在电压等级以及输送容量等方面都有了长足的发展,并逐渐成为传统输电方式外的一种有力补充。换流器是柔性直流输电系统的核心部件,而IGBT器件又是构成柔性直流换流器的关键器件之一。其直接决定了换流器的输送能力、运行损耗及造价等重要性能指标。IGBT引入了电导调制作用,使得其相较于其他种类的功率器件具有较大的通流能力,因此特别适用于柔性直流输电等大功率应用场合。同时,IGBT具有较低的通态压降,受电压、电流等方面因素的影响相对较小,因此在高压柔性直流输电类高电压大电流领域具有十分明显的优势。然而由于少子的储存等原因,IGBT的开通及关断所需的时间都相对较长,因此造成的开通关断损耗也相对较大。尤其在关断过程中会产生电流拖尾现象,造成的损耗远比其他功率器件要大。MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,电子金属氧化物半导体场效应晶体管)技术特性与IGBT相反,具有较小的开关时间以及较低的开关损耗。然而其在承受额定电压时导通电阻逐渐增大,在高 ...
【技术保护点】
一种柔性直流换流器子模块拓扑结构,其特征在于,所述拓扑结构包括:半桥结构和MOSFET器件;所述半桥结构包括第一开关模块、第二开关模块和第一电容;所述第一开关模块的负极与第二开关模块的正极相连;所述第一电容的正极和第一开关模块的正极相连,第一电容的负极和第二开关模块的负极相连。
【技术特征摘要】
1.一种柔性直流换流器子模块拓扑结构,其特征在于,所述拓扑结构包括:半桥结构和MOSFET器件;所述半桥结构包括第一开关模块、第二开关模块和第一电容;所述第一开关模块的负极与第二开关模块的正极相连;所述第一电容的正极和第一开关模块的正极相连,第一电容的负极和第二开关模块的负极相连。2.如权利要求1所述的拓扑结构,其特征在于,所述第一开关模块和第二开关模块均由一个IGBT和一个二极管反并联组成。3.如权利要求2所述的拓扑结构,其特征在于,所述半桥结构的每个IGBT并联一个MOSFET器件。4.如权利要求1所述拓扑结构,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:周季,贺之渊,李强,江伟,别小玉,周杨,阳岳希,马巍巍,许韦华,
申请(专利权)人:国网智能电网研究院,国网福建省电力有限公司电力科学研究院,国家电网公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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