太阳能电池制造技术

本发明专利技术的一方式涉及一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX

Solar cell

One embodiment of the present invention relates to a solar cell, which comprises the first electrode; electron transport layer, which is located in the first electrode, and containing semiconductor; the light absorption layer on the electron transport layer, including the composition of type AMX

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池
本专利技术涉及一种太阳能电池。
技术介绍
近年来，进行了将用AMX3表示的钙钛矿型化合物及其类似结构体用作光吸收材料的太阳能电池的研究开发。日本特开2014-175472号公报公开了一种太阳能电池，其在基板上依次具有第一电极层、电子传输层、由钙钛矿型化合物(RNH3)nPbI(2+n)构成的光吸收层、空穴传输层以及第二电极层。
技术实现思路
本专利技术的一方式涉及一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3(式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子)表示的钙钛矿型化合物；第2电极，其位于所述光吸收层上；以及密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封。在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层以及所述第2电极的至少一部分之间，存在含有氧的气体。所述气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上，水的浓度以体积分数计为300ppm以下。本专利技术的其它方式涉及一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3(式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子)表示的钙钛矿型化合物；第2电极，其位于所述光吸收层上；密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封；以及水分吸附剂，其位于所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分之间。在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层以及所述第2电极的至少一部分之间，存在含有氧的气体。所述气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上。附图说明图1为本专利技术的第1实施方式的太阳能电池的剖视图。图2为本专利技术的第2实施方式的太阳能电池的剖视图。图3为本专利技术的第3实施方式的太阳能电池的剖视图。图4为本专利技术的第4实施方式的太阳能电池的剖视图。图5为本专利技术的第5实施方式的太阳能电池的剖视图。图6为本专利技术的第6实施方式的太阳能电池的剖视图。具体实施方式在说明本专利技术的实施方式之前，对由本专利技术的专利技术人获得的见解进行说明。将钙钛矿型化合物用作光吸收材料的以前的太阳能电池随着使用时间的延长，转换效率降低。作为转换效率降低的一个原因，可以列举出光吸收材料即钙钛矿型化合物因大气中的水分而发生分解。另外，在太阳能电池具有空穴传输层的情况下，可以通过使空穴传输层中的空穴传输材料一部分氧化，从而提高空穴传输能力。但是，空穴传输材料的氧化体被大气中的水分还原。由此，可以认为空穴传输能力的降低也成为转换效率降低的一个原因。另一方面，只要是本专利技术的一方式的构成，就可以抑制含有钙钛矿型化合物的光吸收层以及空穴传输层与大气中的水分接触。由此，可以提供一种耐久性较高的太阳能电池。本专利技术包括以下的项目中记载的太阳能电池。[项目1]本专利技术的一方式涉及一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3(式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子)表示的钙钛矿型化合物；第2电极，其位于所述光吸收层上；以及密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封。在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层以及所述第2电极的至少一部分之间，存在含有氧的气体。所述气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上，水的浓度以体积分数计为300ppm以下。[项目2]本专利技术的其它方式涉及一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3(式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子)表示的钙钛矿型化合物；第2电极，其位于所述光吸收层上；密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封；以及水分吸附剂，其位于所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分之间。在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层以及所述第2电极的至少一部分之间，存在含有氧的气体。所述气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上。[项目3]根据项目1或项目2所述的太阳能电池，其中，所述气体进一步含有不活泼气体，所述气体中的所述不活泼气体的浓度以体积分数计也可以为50％以上。[项目4]根据项目1～3中任一项所述的太阳能电池，其中，所述气体中的水的浓度以体积分数计也可以为130ppm以下。[项目5]根据项目1～4中任一项所述的太阳能电池，其中，所述气体和所述光吸收层也可以接触。[项目6]根据项目1～5中任一项所述的太阳能电池，其中，所述太阳能电池也可以进一步具有配置于所述光吸收层和所述第2电极之间的空穴传输层，所述密封体也可以进一步将所述空穴传输层密封。[项目7]根据项目6所述的太阳能电池，其中，所述气体和所述空穴传输层也可以接触。[项目8]根据项目1～7中任一项所述的太阳能电池，其中，在所述光吸收层内也可以进一步具有多孔质层，所述多孔质层配置在与所述电子传输层相接触的位置，且包含多孔质体。[项目9]根据项目1～8中任一项所述的太阳能电池，其中，所述半导体也可以是氧化钛。[项目10]根据项目1～9中任一项所述的太阳能电池，其中，所述1价阳离子也可以含有选自甲基铵阳离子、甲脒鎓(formamidinium)阳离子之中的至少一种。[项目11]根据项目1～10中任一项所述的太阳能电池，其中，所述2价阳离子也可以含有选自Pb2+、Ge2+以及Sn2+之中的至少一种。[项目12]根据项目1～11中任一项所述的太阳能电池，其中，所述太阳能电池也可以进一步具有支持所述第1电极的基板。下面参照附图，就本专利技术的实施方式进行说明。(第1实施方式)本实施方式的太阳能电池100如图1所示，具有第1电极2、电子传输层3、光吸收层4、第2电极5以及密封体6。电子传输层3位于第1电极2上。电子传输层3包含半导体。光吸收层4配置于电子传输层3上。光吸收层4包含用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物。其中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子。第2电极5位于光吸收层4上。密封体6将第1电极2、电子传输层3、光吸收层4以及第2电极5进行密封。第1电极2和第2电极5分别与密封体6外部进行电连接。在密封体6与由密封体6密封的第1电极2、电子传输层3、光吸收层4以及第2电极5之间存在气体。该气体含有氧。该气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上，水的浓度以体积分数计为300ppm以下。太阳能电池100也可以具有基板1。在此情况下，如图1所示，第1电极2配置于基板1上。接着，就本实施方式的太阳能电池100的基本的作用效果进行说明。如果使光照射在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX

【技术特征摘要】
2015.11.24 JP 2015-2283321.一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物，式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子；第2电极，其位于所述光吸收层上；以及密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封；其中，在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层以及所述第2电极的至少一部分之间存在气体；所述气体含有氧；所述气体中的氧的浓度以体积分数计为5％以上；所述气体中的水的浓度以体积分数计为300ppm以下。2.一种太阳能电池，其具有：第1电极；电子传输层，其位于所述第1电极上，且含有半导体；光吸收层，其位于所述电子传输层上，包含用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物，式中，A为1价阳离子，M为2价阳离子，X为卤素阴离子；第2电极，其位于所述光吸收层上；密封体，其将所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分进行密封；以及水分吸附剂，其位于所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸收层和所述第2电极的至少一部分之间；其中，在所述密封体与由所述密封体密封的所述第1电极的至少一部分、所述电子传输层、所述光吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃鹿理生，林直毅，内田隆介，松下明生，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP