一种适用于OTPMemory内实现IAP功能的技术方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于OTP Memory内实现IAP功能的技术方法，整合Pump Circuit/IAP控制/OTP写算法，实现OTP IAP功能，使OTP芯片在程序烧录，数据保存非常方便，且降低系统成本。本发明专利技术特征在于：在芯片内部内建Pump Circuit、自编程OTP烧录控制寄存器，实现IAP功能；自定义通讯协议，通过串行接口（USB或UART）下发烧录指令，利用芯片内部的IAP功能完成程序烧录；在应用程序中利用IAP功能，烧录需要记录的数据；通过算法与合理的数据结构避开已经记录过的区域，实现多次记录的需求。

A technical method for implementing IAP function in OTPMemory

The present invention relates to a OTP Memory function of the realization of IAP technology, the integration of Pump Circuit/IAP write /OTP control algorithm, the realization of OTP IAP function, the OTP chip in the program recording, data storage and reduce the cost of the system is very convenient. The invention is characterized in that: Pump Circuit, inside the chip in the self programming OTP programming control register, the realization of IAP function; custom communication protocol, through the serial interface (USB or UART) under the instruction book have a fever inside the chip, using the IAP function to complete the program recording; using the IAP function in the application program, recording record data; through the algorithm and the reasonable data structure to avoid the recorded area, achieve multiple records requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于OTPMemory内实现IAP功能的技术方法
本专利技术可应用于信息存储领域中，尤其涉及一种适用于OTPMemory内实现IAP的技术方法。
技术介绍
目前，在MCU应用中，以OTPMemory作为程序载体的芯片中，OTP需要额外的外部工具实现程序烧录，烧录需要复杂的高压控制电缆以及并行通讯总线控制系统。在应用中若需要永久保存数据信息，需要在系统方案中外接EEPROM或Flash，通过外部存储器保存数据，系统成本较高，，占用集成电路板的空间大。本专利技术整合PumpCircuit/IAP控制/OTP写算法，实现OTPIAP功能，使OTP芯片在程序烧录，数据保存非常方便，且降低系统成本。
技术实现思路
本专利技术提出一种适用于OTPMemory内实现IAP功能的技术方法，该方法是这样实现的：在芯片内部内建PumpCircuit、自编程OTP烧录控制寄存器，实现IAP功能；自定义通讯协议，通过串行接口（USB或UART）下发烧录指令，利用芯片内部的IAP功能完成程序烧录；在应用程序中利用IAP功能，烧录需要记录的数据；通过算法与合理的数据结构避开已经记录过的区域，实现多次记录的需求。本专利技术适用于OTPMemory内实现IAP功能，它包括以下步骤：S1：OTP芯片内部实现自升压，满足烧录高电压需求；OTP烧录时需要提供比正常工作电压高数倍的电压，一般为7.5V左右，本专利技术在芯片内部内建PumpCircuit，在无外部高压的情况下，芯片内部利用PumpCircuit自实现升压功能，以满足OTP烧录所需的高电压需求；S2：内建关联寄存器，实现IAP功能；符合OTP烧录的并行Timing接口，芯片内部硬件实现通过关联寄存器直接控制OTP烧录Timing，实现IAP功能；OTPIAPCTRL是实现IAP功能的控制核心，实现控制PumpCircuit的开关、控制内部总线实现OTP编程以及提供实现IAP编程的接口功能寄存器；芯片内建ISPmodule,提供UARTORUSBDriver，且通过自定义通讯协议，通过芯片的串行接口（USB或UART）下发烧录指令，利用芯片内部的IAP功能完成程序烧录；S3：建立合理算法和数据结构,实现烧录功能最大化；MCU基于OTP烧录的程序运行，整个OTP空间未烧录的部分可通过应用程序烧录，在应用程序中利用IAP功能，烧录需要记录的数据，以实现在应用中保存在掉电后需要记忆的数据信息；通过算法与合理的数据结构，避开已经记录过的区域，实现多次记录需求，解决OTP每个单元只能写一次无法重复写的问题。本专利技术具有的优点和积极效果是：整合PumpCircuit/IAP控制/OTP写算法，实现OTPIAP功能，使OTP芯片在程序烧录，数据保存非常方便，且降低系统成本。附图说明图1是OTPMemoryIAP专利技术实现原理框图。图2是本专利技术方案与传统OTP方案对比图。图3是本专利技术系统应用与传统OTP系统应用对比图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合图表及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实现在OTP芯片内集成升压电路、自编程控制逻辑，实现IAP功能。由于OTP的存储单元只能实现一次数据烧录，所以在实际应用中，采取以下算法实现OTP数据记录次数最大化。当OTPSIZE为64K，IAP实现时数据编程顺序：S1：从最后1Bytes地址(0FFFFH)读数据判断是否为0FFH（OTP未烧录过代码的区域值），地址依次减1，直到发现不为0FF的数据地址为止；表中XX标识地址位置地址，IAP可写数据的地址为该地址+1；地址0023456789ABCDEF0000HXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX0010HXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX……XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX……XXXXXXXXXXXXXXFFFFFFFFFFFFFFFFFFXXXHFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFD0HFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFE0HFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF0HFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFS2：S1步骤确定IAP可写数据的首地址，并利用IAP功能编程要写入的数据YY，假定数据长度为LBytes；S3：在最后1Bytes插入写中止标识位ZZ（ZZ不等于0FFH）；YY为IAP写入的数据，ZZ为中止标识；地址0123456789ABCDEF0000HXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX0010HXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX……XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX……XXXXXXXXXXXXXXYYYYYYYYYYYYYYYYYYXXXHYYYYYYYYYYYYYYYYZZFFFFFFFFFFFFFFFFD0HFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFE0HFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF0HFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFS4：如果继续有数据需要写入，跳转到S1步骤,此时ZZ位置为最后数据地址。应用程序读取IAP写入的数据Flow如下：S1：从最后1Bytes地址(0FFFFH)读数据判断是否为0FFH，地址依次减1，直到发现不为0FF的数据地址为止；S2：如果最后一个不等于0FFH的数字等于ZZ，则指示前面的数据位用户IAP写入的数据；S3：根据用户自定义的数据格式读取ZZ地址前面的数据并解析。通过上述Flow可有效的实现以OTP代替EEPROM或FlashMemory，并减少OTP只能一次性写的缺陷对实际应用的影响。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于OTP Memory内实现IAP功能的技术方法，其特征在于，整合Pump Circuit/IAP控制/OTP写算法，实现OTP IAP功能。

【技术特征摘要】
1.一种适用于OTPMemory内实现IAP功能的技术方法，其特征在于，整合PumpCircuit/IAP控制/OTP写算法，实现OTPIAP功能。2.根据权利要求1所述，其特征在于，OTP芯片内部实现自升压，满足烧录高电压需求；在芯片内部内建PumpCircuit，在无外部高压的情况下，芯片内部利用PumpCircuit自实现升压功能，以满足OTP烧录所需的高电压需...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪正峰，刘伟，刘江，
申请(专利权)人：合肥宏晶微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34