The invention provides a system and a three junction GaAs solar cell passivation method preparation method comprises the following steps of semi-finished solar battery: a.GaInP batteries after dicing edge passivation layer by wet etching; b.Cap corrosion and GaInAs wet etching cell edge passivation; C. plating antireflection film and the side section of the solar cells are thin film deposition. The passivation process can effectively solve the photo induced current recombination loss caused by a large number of defects in the dicing edge of the junction junction of a third and a fifth class solar cells, and improve the photoelectric conversion efficiency of the three junction GaAs solar cells.
【技术实现步骤摘要】
一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法
本专利技术涉及ⅢⅤ族多结太阳电池工艺
,尤其是涉及一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法。
技术介绍
ⅢⅤ族多结太阳电池由圆片按图形尺寸进行切割后,由金刚石砂轮切割的断面存在大量的晶格损伤缺陷,由晶格缺陷形成的少子复合中心暴露出严重的边缘缺陷漏电问题,尤其对于尺寸较小的电池影响更为明显:实际的生产表明,30mm×40mm尺寸的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池较40mm×60mm尺寸的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率绝对值低0.5%(AM0)。目前中、外大多数厂家采用光刻开槽、湿法腐蚀台阶的工艺进行边缘钝化,但这种方法工艺复杂,不仅需要精准的光刻工艺保障,还要多种选择性的腐蚀液交替进行精准腐蚀,对工艺窗口的控制、操作人员的要求比较苛刻,同时延长了工艺流程时间,提高了原材料的消耗,增加了成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种三结砷化镓太阳电池钝化方法及制备方法,解决ⅢⅤ族多结太阳电池划片后边缘引入大量缺陷造成的光生电流复合损失的问题。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:一种三结砷化镓太阳电池钝化方法,包括对划片后的半成品太阳电池进行以下步骤:a.GaInP子电池边缘湿法腐蚀钝化;b.Cap层腐蚀及GaInAs子电池边缘湿法腐蚀钝化;c.蒸镀减反射膜同时对太阳电池的侧截面进行介质膜沉积钝化。技术方案中,优选的,步骤a中的钝化方法为将划片后的半成品太阳电池浸入浓HCl中20-50s,然后经去离子水多次冲洗。技术方案中,优选的,步骤b中的钝化方法为将步骤a所得半成品太阳电池浸入酸性H ...
【技术保护点】
一种三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征是包括对划片后的半成品太阳电池进行以下步骤:a.GaInP子电池边缘湿法腐蚀钝化;b.Cap层腐蚀及GaInAs子电池边缘湿法腐蚀钝化;c.蒸镀减反射膜同时对太阳电池的侧截面进行介质膜沉积钝化。
【技术特征摘要】
1.一种三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征是包括对划片后的半成品太阳电池进行以下步骤:a.GaInP子电池边缘湿法腐蚀钝化;b.Cap层腐蚀及GaInAs子电池边缘湿法腐蚀钝化;c.蒸镀减反射膜同时对太阳电池的侧截面进行介质膜沉积钝化。2.根据权利要求1所述的三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征在于:所述步骤a中的钝化方法为将所述划片后的半成品太阳电池浸入浓HCl中20-50s,然后经去离子水多次冲洗。3.根据权利要求1所述的三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征在于:所述步骤b中的钝化方法为将所述步骤a所得半成品太阳电池浸入酸性H2O2腐蚀液中1.5-2.0min。4.根据权利要求3所述的三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征在于:所述酸性H2O2腐蚀液为C6H8O7、H2O与H2O2的混合溶液。5.根据权利要求4所述的三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征在于:所述C6H8O7、H2O与H2O2的混合溶液中C6H8O7:H2O:H2O2的质量比为3:3:1-8:8:1。6.根据权利要求1所述的三结砷化镓太阳电池钝化方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:许军,铁剑锐,韩志刚,陈洁,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十八研究所,天津恒电空间电源有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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