充电控制电路及终端制造技术

本发明专利技术提供了一种充电控制电路及终端，其中，充电控制电路包括：单向导通器件；功率器件，与单向导通器件串联连接于供电输出端与充电输入端之间；控制器，控制器的输出端连接至功率器件的驱动端，功率器件的驱动端获取导通信号时导通，以将供电输出端的充电电流正向传输至充电输入端，其中，单向导通器件在充电电流反向传输时不导通。通过本发明专利技术的技术方案，减少了充电过程中电流倒灌的可能性，并且能够降低成本，减少线路阻抗以降低发热，同时节省PCB布局面积。

Charging control circuit and terminal

The present invention provides a charging control circuit and the terminal, the charging control circuit comprises a one-way conduction device; the power device, and a one-way conduction device connected in series between the power supply and the output end of the charging input controller; the output end of the controller is connected to the power device of the driving end, power device drive end get the signal conduction conduction to the charging current forward transmission power supply output to the charging input terminal, the one-way conduction device in the charging current when not conducting reverse transmission. By adopting the technical proposal of the invention, the possibility of the electric current in the charging process is reduced, the cost can be reduced, the line impedance can be reduced, and the PCB layout area can be saved.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及充电
，具体而言，涉及一种充电控制电路及一种终端。
技术介绍
目前，由于移动终端设备的普及和技术发展的瓶颈，快速充电技术越来越受到重视。相关技术中，低压快充方案多是采用CHARDER的供电输出端(记作VBUS端)与蓄电装置(记作BATTERY)的充电输入端(记作VBAT端)之间设置两个背靠背的MOS管(PMOS或NMOS)直接连接。其中，两个MOS管的作用有两个：(1)通过CPU主控的VGATE控制充电通道的通断，进行充电控制；(2)防止VBUS意外短接到GND情况下，VBAT通过MOS管的体二极管电流倒灌。采用两个背靠背的MOS管，虽然解决了意外情况下电流倒灌的问题，但是使用两个MOS管，至少存在以下问题：(1)增加了成本；(2)增加了线路阻抗，会导致发热问题；(3)增加了PCB(PrintedCircuitBoard，印制电路板)布局面积。因此，如何在解决VBAT电流倒灌的同时，降低成本，减少线路阻抗，降低发热，同时节省PCB布局面积，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出了一种充电控制电路。本专利技术的另一个目的在于提出了一种终端。为实现上述目的，根据本专利技术的第一方面的技术方案，提出了一种充电控制电路，包括：单向导通器件；功率器件，与单向导通器件串联连接于供电输出端与充电输入端之间；控制器，控制器的输出端连接至功率器件的驱动端，功率器件的驱动端获取导通信号时导通，以将供电输出端的充电电流正向传输至充电输入端，其中，单向导通器件在充电电流反向传输时不导通。在该技术方案中，在供电输出端和充电输入端之间串联设置单向导通器件和功率器件，控制器驱动功率器件导通时，将供电输出端的电流正向传输至充电输入端。这样，通过设置单向导通器件，在充电过程中，如果遇到意外情况，导致充电电流反向传输时，单向导通器件呈高阻断开状态，以减少电流倒灌的可能性。同时，单向导通器件的设置，在解决意外情况下电流倒灌问题的同时，由于单向导通器件的成本较低，单向导通器件的导通阻抗也相对较小，因此可降低充电控制电路的成本，减少线路阻抗，降低发热，同时也可节省PCB布局面积。根据本专利技术的上述技术方案的充电控制电路，还可以具有以下技术特征：在上述技术方案中，优选地，单向导通器件包括：二极管，二极管的正极连接至供电输出端，二极管的负极连接至充电输入端。在该技术方案中，单向导通器件包括二极管。二极管作为一种单向导通器件，分为正负极，具有单向导电特性。电流可由正极流向负极，但在二极管的正极接在低电位端时，二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态。因此，将二极管的正极连接在供电输出端，负极连接在充电输入端，当出现意外情况，导致供电输出端处于低电位时，充电电流由于二极管的存在减少倒流的可能性，因此，可以减少在意外情况下发生电流倒灌的可能性。并且，二极管的成本低廉，体积较小，阻抗和压降都可以控制在较小范围内，并且过流能力也能达到充电电流，因此，可以节省成本，降低充电过程中的发热，节省PCB布局面积。在上述技术方案中，优选地，二极管为锗功率二极管。在该技术方案中，选择锗功率二极管作为单向导通器件。在充电过程中，电流在充电电路中会产生热量，为了减少充电过程中电路过热的可能性，因此应尽量降低元器件的导通阻抗和导通压降。在二极管中，锗二极管具有导通阻抗小，正向压降小的特性，因此，选择锗功率二极管作为单向导通器件，可以在减少意外情况下发生电流倒灌可能性的同时，降低充电过程中的发热。在上述技术方案中，优选地，功率器件包括MOSFET晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor晶体管，金属-氧化物半导体场效应晶体管)，MOSFET晶体管的源极连接至二极管的负极，MOSFET晶体管的漏极连接至充电输入端，功率器件的驱动端为MOSFET晶体管的栅极。在该技术方案中，MOSFET晶体管的源极连接至二极管的负极，漏极连接至充电输入端，栅极为功率器件的驱动端。其中，源极和漏极之间形成一个PN结(Positive-Negative结)，具有单向导电性，因此将源极连接至二极管的负极，漏极连接至充电输入端，可以使充电电路单向导通，减少意外情况下电流倒灌现象发生的可能性。在上述技术方案中，优选地，MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，反向恢复二极管的正极连接至MOSFET晶体管的源极，反向恢复二极管的负极连接至MOSFET晶体管的漏极。在该技术方案中，MOSFET晶体管设置反向恢复二极管，其正极连接至MOSFET晶体管的源极，其负极连接至MOSFET晶体管的漏极。这样，在因为意外情况产生反向倒灌电流时，因为反向恢复二极管的存在，减少MOSFET晶体管的源极和漏极之间因为反向倒灌电流而被击穿的可能性。在上述技术方案中，优选地，控制器为CPU、MCU和单片机中的一种。在该技术方案中，电池采用叠片式电池，因为叠片工艺过程可以使电池的内阻较小，因此可以在充电过程中降低线路的阻抗，降低充电过程中线路的发热情况。在上述技术方案中，优选地，单向导通器件的导通电阻小于或等于10毫欧。在该技术方案中，选择导通电阻小于等于10毫欧的单向导通器件，可以减小线路中的阻抗，因此可以在充电过程中降低发热。优选地，该单向导通器件的导通阻抗越小越好，这样，充电过程中因为线路阻抗导致的电路发热现象就能得到更好的控制。其中，该单向导通器件的选择也可以选择其他导通电阻的单向导通器件，根据本专利技术实践过程中的实际情况进行具体选择。在上述技术方案中，优选地，单向导通器件的导通压降小于或等于0.2伏。在该技术方案中，单向导通器件的导通压降控制在小于等于0.2伏特，则在进行充电时，导通器件的自身压降就控制在小于等于0.2伏特，这时，单向导通器件对电路的影响较小，对充电的影响也较小。其中，该单向导通器件的选择也可以选择其他导通压降的单向导通器件，根据本专利技术实践过程中的实际情况进行具体选择。在上述技术方案中，优选地，单向导通器件的电流阈值大于或等于充电电流的最大值的1.2倍。在该技术方案中，选择电流阈值为大于等于充电电流最大值的1.2倍的单向导通器件，可以在充电过程中，在瞬时电流较大时，减少单向导通器件被烧毁的可能性，同时，也能在充电电流过大时及时断开电路，减少充电电流过大损坏待充电设备的可能性，进一步保证充电过程的安全。其中，该电流阈值的设置可以根据本专利技术实践过程中的实际情况进行具体设置。根据本专利技术第二方面的技术方案，还提出了一种终端，包括如第一方面技术方案提出的充电控制电路。根据本专利技术第二方面技术方案的终端，具有第一方面技术方案中的充电控制电路的全部有益效果，在此不在赘述。本技术方案中的终端可以是手机、平板电脑等移动终端，也可以是其他需要充电的设备。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1示出了根据本专利技术的实施例的充电控制电路的示意图；图2示出了根据本专利技术的实施例的终端的示意框图。具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电控制电路，充电输入端其特征在于，所述充电控制电路包括：单向导通器件；功率器件，与所述单向导通器件串联连接于供电输出端与充电输入端之间；控制器，所述控制器的输出端连接至所述功率器件的驱动端，所述功率器件的驱动端获取导通信号时导通，以将所述供电输出端的充电电流正向传输至所述充电输入端，其中，所述单向导通器件在所述充电电流反向传输时不导通。

【技术特征摘要】
1.一种充电控制电路，充电输入端其特征在于，所述充电控制电路包括：单向导通器件；功率器件，与所述单向导通器件串联连接于供电输出端与充电输入端之间；控制器，所述控制器的输出端连接至所述功率器件的驱动端，所述功率器件的驱动端获取导通信号时导通，以将所述供电输出端的充电电流正向传输至所述充电输入端，其中，所述单向导通器件在所述充电电流反向传输时不导通。2.根据权利要求1所述的充电控制电路，其特征在于，所述单向导通器件包括：二极管，所述二极管的正极连接至所述供电输出端，所述二极管的负极连接至所述充电输入端。3.根据权利要求2所述的充电控制电路，其特征在于，所述二极管为锗功率二极管。4.根据权利要求2所述的充电控制电路，其特征在于，所述功率器件包括MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极连接至所述二极管的负极，所述MOSFET晶体管的漏极连接至所述充电输入端，所述功率器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂瑞，
申请(专利权)人：宇龙计算机通信科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44