The invention relates to a crystalline silicon solar cell based on Si/NiOx heterojunction, which comprises a front electrode, a NiOx layer, a crystal silicon absorption layer, a back electric field and a back electrode. The structure of the structure is from the front surface, the NiOx layer, the crystal silicon absorbing layer, the back electric field and the back electrode. The structure can effectively reduce the recombination of the photogenerated carriers in the solar cells and improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cells. The crystal silicon heterojunction battery can use the existing crystal silicon solar cell production equipment to prepare the back electric field, and the double side light input structure can make full use of the solar energy resources to increase the actual power output of the photovoltaic module.
【技术实现步骤摘要】
本技术属于太阳电池领域,也属于半导体器件领域,涉及硅太阳电池的结构。
技术介绍
硅在地球上储量丰富,且硅的光学带隙与太阳光谱较为匹配,是制备太阳电池的理想材料之一。由于硅材料的提纯技术以及硅半导体器件的制备技术比较成熟,晶体硅太阳电池占据了当前太阳电池总产量的大部分份额。然而,随着工艺的进步,基于同质结结构的晶体硅太阳电池其光电转换效率已逐渐逼近极限。而异质结太阳电池可以充分利用两种不同半导体之间功函数和能带位置的差异,可以在不减小短路电流的情况下提高太阳电池的开路电压,从而提高太阳电池的光电转换效率。因此,基于异质结的晶体硅太阳电池有望在未来获得光电转换效率的进一步提升。为提高太阳电池的转换效率,必须尽可能地降低太阳电池内部光生载流子的复合。而在异质结太阳电池中,由于构成异质结的两种半导体材料晶格常数存在差异,异质结界面处往往存在缺陷态而导致光生载流子在异质结界面处大量复合。因此,在异质结太阳电池的设计中,必须采取措施抑制界面复合。在异质结太阳电池中,选择性接触的使用被认为是减少界面复合的有效措施之一。所谓选择性接触,是利用形成异质结的半导体材料之间导带和价带位置的差异或者半导体内部的能带弯曲,在异质结界面形成对少数载流子的势垒。在所形成的势垒的影响下,少数载流子向选择性接触的输运被阻止但多数载流子的输运却不受影响。因此,少数载流子被阻止靠近界面态,从而抑制其与多数载流子经表面缺陷态形成复合。同时,异质结界面处形成的对少数载流子的势垒可以有效减小暗电流,提高开路电压。另一方面,对多数载流子而言,由于其传输并未受到显著影响,因此短路电流密度并不会减小。技 ...
【技术保护点】
一种基于Si/NiOx异质结的晶体硅太阳电池,其特征是包括前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极;其结构从迎光面开始依次为:前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极。
【技术特征摘要】
1.一种基于Si/NiOx异质结的晶体硅太阳电池,其特征是包括前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极;其结构从迎光面开始依次为:前电极、NiOx层、晶体硅吸收层、背电场、背电极。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池,其特征是所述的NiOx层为p型掺杂。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池,其特征是所述的晶体硅吸收层为n型或p型掺杂。4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:高超,黄海宾,周浪,岳之浩,
申请(专利权)人:南昌大学,
类型:新型
国别省市:江西;36
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