一种直流电磁铁快速去磁电路制造技术

一种直流电磁铁快速去磁电路属于去磁电路技术领域，尤其涉及一种直流电磁铁快速去磁电路。本实用新型专利技术提供一种使用寿命长、可靠性好的直流电磁铁快速去磁电路。本实用新型专利技术包括稳压二极管D1、电阻R19、二极管D9、N沟道场效应管QT和压敏电阻RV2，其结构要点QT的栅极与控制电路的控制信号输出端口相连，QT的源极、RV2一端、地线相连，QT的漏极、RV2另一端、D9阳极、直流电磁铁电磁线圈EL一端相连，EL另一端、D1阳极相连，D1阴极通过R19与D9阴极相连。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于去磁电路
，尤其涉及一种直流电磁铁快速去磁电路。
技术介绍
直流电磁铁在释放瞬间会产生较高的反相电动势，对控制电路损伤极大，造成控制电路使用寿命短，不可靠。现有去磁电路一般只在电磁线圈两端并联一个二极管，起蓄流作用。本技术通过各器件的组合连接，去除直流电磁铁释放时产生的反相电动势效果明显，并且提高了直流电磁铁控制电路寿命。
技术实现思路
本技术就是针对上述问题，提供一种使用寿命长、可靠性好的直流电磁铁快速去磁电路。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案，本技术包括稳压二极管D1、电阻R19、二极管D9、N沟道场效应管QT和压敏电阻RV2，其结构要点QT的栅极与控制电路的控制信号输出端口相连，QT的源极、RV2一端、地线相连，QT的漏极、RV2另一端、D9阳极、直流电磁铁电磁线圈EL一端相连，EL另一端、D1阳极相连，D1阴极通过R19与D9阴极相连。作为一种优选方案，本技术所述R19的阻值为1K欧。作为另一种优选方案，本技术所述QT采用25N120场效应管。另外，本技术所述控制电路包括PC817光耦U1，IGBT驱动芯片2127SIC2，U1的1脚分别与电阻R12一端、电阻R13一端相连，R12另一端接MCU的控制信号输出端口，R13另一端接地，U1的2脚接地；U1的4脚通过电阻R21接电源VCC，U1的3脚与IC2的2脚相连，IC2的1脚、电容C48一端、VCC、电阻D10阳极相连，C48另一端、IC2的4脚接地；D10阴极、IC2的8脚、电容C49一端相连，C49另一端、IC2的5脚接地，IC2的7脚通过电阻R15与QT的栅极相连，IC2的6脚接地。本技术有益效果。本技术控制电路给QT导通电压，电磁线圈回路导通，电磁线圈得电产生磁场，电磁铁吸合。当控制电路给QT截止电压时，QT断路，电磁线圈失电，电磁铁释放，在此释放过程中产生反相电动势，反相电动势通过二极管D9、电阻R19、稳压二极管D1被消耗。压敏电阻RV2是对QT的一个保护，当反相电动势冲击QT，其值达到压敏电阻的电压阈值时，RV2对地导通，致使起到保护QT作用。由上述可知，采用本技术去磁电路，直流电磁铁控制电路寿命、可靠性大大提高，并且在电磁式控制与保护开关中频繁接通分断电磁铁以及快速分断电磁铁、快速去磁使电磁铁释放时间可控制在10mS以下。另外，本技术电路较简单，效果明显且成本低；避免电磁式控制与保护开关、智能接触器以及依靠电磁铁驱动的机构在电磁铁释放时所产生的反相电动势给控制电路带来的损伤。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术做进一步说明。本技术保护范围不仅局限于以下内容的表述。图1为本技术电路原理图。图2为本技术控制电路原理图。图2中U1光耦PC817，IC2为IGBT驱动芯片2127S，由微控制器输出控制信号使驱动芯片驱动IGBT导通与截止。图1中标记：VE---电磁线圈电压，EL---直流电磁铁电磁线圈，D1---稳压二极管，R19---电阻1K，D9---二极管，QT---场效应管25N120，RV2---压敏电阻，Control---控制电路。具体实施方式如图所示，本技术包括稳压二极管D1、电阻R19、二极管D9、N沟道场效应管QT和压敏电阻RV2，其结构要点QT的栅极与控制电路的控制信号输出端口相连，QT的源极、RV2一端、地线相连，QT的漏极、RV2另一端、D9阳极、直流电磁铁电磁线圈EL一端相连，EL另一端、D1阳极相连，D1阴极通过R19与D9阴极相连。所述R19的阻值为1K欧。所述QT采用25N120场效应管。所述控制电路包括PC817光耦U1，IGBT驱动芯片2127SIC2，U1的1脚分别与电阻R12一端、电阻R13一端相连，R12另一端接MCU的控制信号输出端口，R13另一端接地，U1的2脚接地。U1的4脚通过电阻R21接电源VCC，U1的3脚与IC2的2脚相连，IC2的1脚、电容C48一端、VCC、电阻D10阳极相连，C48另一端、IC2的4脚接地；D10阴极、IC2的8脚、电容C49一端相连，C49另一端、IC2的5脚接地，IC2的7脚通过电阻R15与QT的栅极相连，IC2的6脚接地。下面结合附图说明本技术的工作过程。Control控制电路给QT高电平使QT导通，电磁线圈电源VE经电磁线圈、经QT对GND导通，电磁线圈产生磁场电磁铁动作吸合；当控制电路Control给QT截止电平时，QT断路，电磁线圈供电回路断路，电磁线圈失电，电磁铁释放，在此释放过程中产生反相电动势，反相电动势通过二极管D9、电阻R19、稳压二极管D1被消耗。其中R19阻值大小与稳压二极管稳压值选用可根据电磁铁线圈电源电压调整。压敏电阻RV2是对QT的一个保护，当反相电动势冲击QT，其值达到压敏电阻的电压阈值时，RV2对地导通，起到保护QT作用。可以理解的是，以上关于本技术的具体描述，仅用于说明本技术而并非受限于本技术实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本技术进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流电磁铁快速去磁电路，包括稳压二极管D1、电阻R19、二极管D9、N沟道场效应管QT和压敏电阻RV2，其特征在于QT的栅极与控制电路的控制信号输出端口相连，QT的源极、RV2一端、地线相连，QT的漏极、RV2另一端、D9阳极、直流电磁铁电磁线圈EL一端相连，EL另一端、D1阳极相连，D1阴极通过R19与D9阴极相连。

【技术特征摘要】
1.一种直流电磁铁快速去磁电路，包括稳压二极管D1、电阻R19、二极管D9、N沟道场效应管QT和压敏电阻RV2，其特征在于QT的栅极与控制电路的控制信号输出端口相连，QT的源极、RV2一端、地线相连，QT的漏极、RV2另一端、D9阳极、直流电磁铁电磁线圈EL一端相连，EL另一端、D1阳极相连，D1阴极通过R19与D9阴极相连。2.根据权利要求1所述一种直流电磁铁快速去磁电路，其特征在于所述R19的阻值为1K欧。3.根据权利要求1所述一种直流电磁铁快速去磁电路，其特征在于所述QT采用25N120场效应管。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪松，陈阅文，乔军，
申请(专利权)人：李蕊名，
类型：新型
国别省市：辽宁;21