一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板，该端子区结构包括：金属层，设置于基底上；绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料。本发明专利技术可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提高面板显示质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示面板制作
，具体地说，尤其涉及一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，超窄边框以及拼接屏技术已应用成熟。目前的超窄边框液晶显示屏边框已经做到5mm，甚至有些边框已做到3mm，这样的边框宽度对于普通的手机、平板、电脑与电视机来说已经完全满足美观的需求。普通的平板显示面板结构如图1所示，包括显示区域11和边框区域12，显示区域11是用来显示画面的区域，边框区域12包括外围走线区域和dummy区(空白区)。外围走线区域又包括OLB121(外部引线连接区)，主要是指阵列基板比彩膜基板多出来用于绑定COF13(膜上芯片，用于连接显示区域11和PCB板14)的区域。该OLB121设置有端子区结构1211来与COF13电性连接。如图2a所示为该端子区结构1211的平面结构示意图，图2b为图2a所示端子区结构的剖面结构示意图，绑定端子区结构1211的第一层金属22设置于下衬底基板21上，绝缘层包括第一绝缘层231和第二绝缘层232，第一绝缘层231设置于第一层金属22上，第二绝缘层232设置于第一绝缘层231上，第二金属层24设置于第二绝缘层232上，第一层金属22和第二层金属24通过贯通绝缘层的过孔连接。但对于大面积拼接显示屏来说，对于边框的需求却远不止于3mm。目前最小的拼接显示屏的四边的边框已做到1mm。这种技术主要是将OLB121的距离压缩至0mm，如图3所示。其四边采用阵列基板与彩膜基板平齐切割，使端子区结构1211的金属在面板的侧边裸露出，将COF13绑定在侧边裸露出的金属端子上。图4为对应图3的剖面结构示意图，其中，绑定端子区结构包括设置于下衬底基板41上的第一层金属441，设置于第一层金属441和裸露的下衬底基板41上的栅极绝缘层42，设置于栅极绝缘层42上的绝缘保护层43，设置于绝缘保护层43上的的第二层金属442，第一层金属441和第二层金属442构成端子区结构44，端子区结构44与COF13金手指连接。上衬底基板45上设置有黑矩阵46，黑矩阵48和绝缘保护层43之间设置有隔垫物47，COF13金手指贯通上衬底基板45和黑矩阵46以与端子区结构连接。但是，由于端子区的金属厚度只有3000～7000埃，宽度不超过10μm，ACF(各向异性导电薄膜)胶难以将如此小面积的端子区断面结构与COF金手指均匀地、电性连接绑定在一起。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种超窄边框端子区结构及制作方法、显示面板，用以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提高面板显示质量。根据本专利技术的一个方面，提供了一种超窄边框端子区结构，包括：金属层，设置于基底上；绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料。根据本专利技术的一个实施例，所述导电材料包括有机导电胶。根据本专利技术的一个实施例，所述导电材料包括导电颗粒。根据本专利技术的一个实施例，所述凹槽结构的深度为2μm-4μm。根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种用于制作超窄边框端子区结构的方法，包括：在基底上沉积金属材料并进行处理以形成金属层；在所述金属层与裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层；在所述绝缘层上沉积绝缘保护材料以形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上沉积有机绝缘材料以形成有机绝缘层；对应所述金属层的金属走线区，蚀刻所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层以形成凹槽结构；用导电材料填充所述凹槽结构。根据本专利技术的一个实施例，所述导电材料包括有机导电胶。根据本专利技术的一个实施例，用导电材料填充所述凹槽结构进一步包括以下步骤：通过喷墨打印方式将所述有机导电胶打印至所述凹槽结构中；对所述有机导电胶进行紫外或红外固化处理。根据本专利技术的一个实施例，所述导电材料包括导电颗粒。根据本专利技术的一个实施例，用导电材料填充所述凹槽结构进一步包括以下步骤：通过喷墨3D打印的方式将导电颗粒打印至所述凹槽结构内；对所述导电颗粒进行激光退火处理以使所述导电颗粒熔融固化。根据本专利技术的再一个方面，还提供了一种显示面板，包括以上所述的端子区结构。本专利技术的有益效果：本专利技术通过设置贯通绝缘层、绝缘保护层与有机绝缘层的凹槽结构，并在凹槽结构中填充导电材料，可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻，提高面板显示质量。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：图1是现有技术中一种平板显示面板结构示意图；图2a是现有技术中的端子区结构平面示意图；图2b是图2a的端子区结构剖面结构示意图；图3是现有技术中一种窄边框平板显示面板结构示意图；图4是对应图3的端子区结构剖面结构示意图；图5是根据本专利技术的一个实施例的端子区结构剖面结构示意图；图6是根据本专利技术的一个实施例的用于制作端子区结构的工艺流程图；图7是根据本专利技术的一个实施例的导电材料填充凹槽结构的工艺流程图；图8是根据本专利技术的另一个实施例的导电材料填充凹槽结构的工艺流程图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。为解决现有技术中端子区结构断面结构与COF金手指的电性连接问题，本专利技术提供了一种应用于超窄边框的绑定端子区结构。具体的，在端子区结构的上方制作有机绝缘膜凹槽，并将端子区结构的金属上方的绝缘层蚀刻掉，在凹槽中填充导电材料以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF的绑定电阻。如图5所示为根据本专利技术的一个实施例的端子区结构示意图，以下参考图5来对本专利技术进行详细说明。如图5所示，该超窄边框端子区结构包括金属层541、绝缘层52、绝缘保护层53和有机绝缘层55。具体的，金属层541设置于下衬底基板51上；绝缘层52设置于金属层541与裸露的下衬底基板51上；绝缘保护层53设置于绝缘层52上；有机绝缘层55设置于绝缘保护层53上。其中，对应金属层541的金属走线区，设置有贯通绝缘层52、绝缘保护层53与有机绝缘层55的凹槽结构542，并在该凹槽结构542中填充有导电材料。该凹槽结构542的深度通常设置为2μm-4μm。本专利技术通过设置贯通绝缘层52、绝缘保护层53与有机绝缘层55的凹槽结构，并在凹槽结构542中填充导电材料，可以增大端子区结构的断面面积，降低端子区结构与COF13的绑定电阻，提高面板显示质量。在本专利技术的一个实施例中，该导电材料包括有机导电胶。有机导电胶，即各向异性导电胶，其中含有可以导电的颗粒，常用于一些电子硅胶产品上开关接通的作用，其必须要受到一定的压缩力才能够形成导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超窄边框端子区结构，包括：金属层，设置于基底上；绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料。

【技术特征摘要】
1.一种超窄边框端子区结构，包括：金属层，设置于基底上；绝缘层，设置于所述金属层与裸露的基底上；绝缘保护层，设置于所述绝缘层上；有机绝缘层，设置于所述绝缘保护层上，其中，对应所述金属层的金属走线区，设置有贯通所述绝缘层、所述绝缘保护层与所述有机绝缘层的凹槽结构，并在所述凹槽结构中填充有导电材料。2.根据权利要求1所述的端子区结构，其特征在于，所述导电材料包括有机导电胶。3.根据权利要求1所述的端子区结构，其特征在于，所述导电材料包括导电颗粒。4.根据权利要求1所述的端子区结构，其特征在于，所述凹槽结构的深度为2μm-4μm。5.一种用于制作超窄边框端子区结构的方法，包括：在基底上沉积金属材料并进行处理以形成金属层；在所述金属层与裸露的基底上沉积绝缘材料以形成绝缘层；在所述绝缘层上沉积绝缘保护材料以形成绝缘保护层；在所述绝缘保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44