取决于温度的放大器偏置制造技术

技术编号:14641035 阅读:162 留言:0更新日期:2017-02-15 15:24
一种装置包括第一偏置电路,该第一偏置电路配置成生成根据第一斜率随温度变化的第一电流。该装置还包括第二偏置电路,该第二偏置电路配置成生成根据第二斜率随温度变化的第二电流。该装置进一步包括低噪声放大器,该低噪声放大器包括响应于该第一偏置电路的输出的跨导级。该装置还包括负载,该负载耦合到该低噪声放大器的输出且响应于该第二偏置电路的输出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求共同拥有的于2014年1月17日提交的美国非临时专利申请No.14/158,318的优先权,该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。领域本公开一般涉及降低增益变化。相关技术描述技术进步已产生越来越小且越来越强大的计算设备。例如,当前存在各种各样的便携式个人计算设备,包括较小、轻量且易于由用户携带的无线计算设备,诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及寻呼设备。更具体地,便携式无线电话(诸如蜂窝电话和网际协议(IP)电话)可通过无线网络来传达语音和数据分组。此外,许多此类无线电话包括被纳入于其中的其他类型的设备。例如,无线电话还可包括数码相机、数码摄像机、数字记录器以及音频文件播放器。同样,此类无线电话可处理可执行指令,包括可被用于访问因特网的软件应用,诸如web浏览器应用。如此,这些无线电话可包括显著的计算能力。无线电话可在接收机处接收信号。接收机可包括用以放大接收自天线的信号的低噪声放大器(LNA)。LNA的增益和/或LNA的噪声指数可以随着温度的变化而变化。在高度敏感接收机中,增益和噪声指数的变化是不合需的。为了降低该变化,可以向LNA提供与绝对温度成比例(PTAT)的参考电流。PTAT参考电流相对于温度的斜率可以与用于生成该PTAT参考电流的两个二极管的大小比值相关联。然而,PTAT参考电流的最优斜率可能难以计算并且可能直到该LNA的设计阶段完成之后都是不可确定的。另外,向LNA提供PTAT参考电流可能不能在低温时防止接收机中的不稳定性。附图简述图1示出了无线设备与无线系统通信;图2示出了图1中的无线设备的框图;图3是可操作以降低低噪声放大器的增益变化和/或噪声指数变化的电路的示例性解说性实施例;图4是可操作以生成斜率可调节的、与绝对温度成比例(PTAT)的电流的偏置电路的示例性解说性实施例;图5描绘了配置成生成具有分段线性斜率的参考电流的电流源的示例性实施例;图6解说了描绘固定斜率PTAT参考电流和多斜率PTAT参考电流的噪声指数增益的图表;以及图7是解说用于降低低噪声放大器的增益变化和/或噪声指数变化的方法的示例性实施例的流程图。详细描述以下阐述的详细描述旨在作为本公开的示例性设计的描述,而无意表示可在其中实践本公开的仅有设计。术语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何设计不必被解释为优于或胜过其他设计。本详细描述包括具体细节以提供对本公开的示例性设计的透彻理解。对于本领域技术人员将明显的是,没有这些具体细节也可实践本文描述的示例性设计。在一些实例中,公知的结构和设备以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性设计的新颖性。图1示出了无线设备110与无线通信系统120处于通信。无线通信系统120可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统或其他某个无线系统。CDMA系统可实现宽带CDMA(WCDMA)、CDMA1X、演进数据最优化(EVDO)、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或其他某个版本的CDMA。为简明起见,图1示出了无线通信系统120包括两个基站130和132以及一个系统控制器140。一般而言,无线系统可包括任何数目的基站以及任何网络实体集合。无线设备110还可以指用户装备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板设备、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备、等等。无线设备110可与无线通信系统120通信。无线设备110还可接收来自广播站(例如,广播站134)的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如,卫星150)的信号等。无线设备110可支持用于无线通信的一种或多种无线电技术,诸如LTE、WCDMA、CDMA1X、EVDO、TD-SCDMA、GSM、802.11等。图2示出了图1中的无线设备110的示例性设计的框图。在这一示例性设计中,无线设备110包括耦合至主天线210的收发机220、耦合至副天线212的收发机222、以及数据处理器/控制器280。收发机220包括多个(K个)接收机230pa至230pk和多个(K个)发射机250pa至250pk以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚集等。收发机222包括多个(L个)接收机230sa至230sl和多个(L个)发射机250sa至250sl以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚集、接收分集、从多个发射天线到多个接收天线的多输入多输出(MIMO)传输,等等。在图2中示出的示例性设计中,每个接收机230包括LNA240和接收电路242。对于数据接收,天线210接收来自基站和/或其他发射机站的信号并且提供收到RF信号,该收到RF信号被路由通过天线接口电路224并作为输入RF信号被呈现给所选接收机。天线接口电路224可包括开关、双工器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路等。以下描述假定接收机230pa是所选接收机。在接收机230pa内,LNA240pa放大输入RF信号并提供输出RF信号。接收电路242pa将输出RF信号从RF下变频到基带,对经下变频的信号进行放大和滤波,并且将模拟输入信号提供给数据处理器280。接收电路242pa可包括混频器、滤波器、放大器、匹配电路、振荡器、本地振荡器(LO)生成器、锁相环(PLL)等。收发机220和222中的每个其余的接收机230可以类似于接收机230pa的方式操作。在图2中示出的示例性设计中,每个发射机250包括发射电路252和功率放大器(PA)254。对于数据传送,数据处理器280处理(例如,编码和调制)要传送的数据,并且将模拟输出信号提供给所选发射机。以下描述假定发射机250pa是所选发射机。在发射机250pa内,发射电路252pa对模拟输出信号进行放大、滤波并将其从基带上变频至RF,并且提供经调制的RF信号。发射电路252pa可包括放大器、滤波器、混频器、匹配电路、振荡器、LO生成器、PLL等。PA254pa接收并放大经调制RF信号,并且提供具有恰当输出功率电平的发射RF信号。发射RF信号被路由通过天线接口电路224并经由天线210来发射。收发机220和222中的每个其余发射机250可按与发射机250pa类似的方式来操作。图2示出了接收机230和发射机250的示例性设计。接收机和发射机还可包括图2中未示出的其他电路,诸如滤波器、匹配电路等。收发机220和222的全部或部分可被实现在一个或多个模拟集成电路(IC)、RFIC(RFIC)、混合信号IC等上。例如,LNA240和接收电路242可实现在一个模块上,该模块可以是RFIC等。收发机220和222中的这些电路也可按其他方式来实现。数据处理器/控制器280可为无线设备110执行各种功能。例如,数据处理器280可对经由接收机230接收到的数据以及经由发射机250传送的数据执行处理。控制器280可以控制收发机220和222中的各种电路的操作。存储器282可存储供数据处理器/控制器280使用本文档来自技高网...
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/61/201580004840.html" title="取决于温度的放大器偏置原文来自X技术">取决于温度的放大器偏置</a>

【技术保护点】
一种装置,包括:第一偏置电路,其配置成生成根据第一斜率随温度变化的第一电流;第二偏置电路,其配置成生成根据第二斜率随温度变化的第二电流;低噪声放大器,其包括响应于所述第一偏置电路的输出的跨导级;以及负载,其耦合到所述低噪声放大器的输出且响应于所述第二偏置电路的输出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.17 US 14/158,3181.一种装置,包括:第一偏置电路,其配置成生成根据第一斜率随温度变化的第一电流;第二偏置电路,其配置成生成根据第二斜率随温度变化的第二电流;低噪声放大器,其包括响应于所述第一偏置电路的输出的跨导级;以及负载,其耦合到所述低噪声放大器的输出且响应于所述第二偏置电路的输出。2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述负载包括选择性升压电路,所述选择性升压电路包括有源电路和至少一个无源电路元件。3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一偏置电路包括耦合到所述第一偏置电路的第一输出节点的多个电流贡献级,并且其中所述第二偏置电路包括耦合到所述第二偏置电路的第二输出节点的多个电流贡献级。4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一偏置电路的每个电流贡献级包括:第一晶体管,其耦合到所述第一输出节点并且配置成向所述第一输出节点提供与绝对温度成比例(PTAT)的电流;第二晶体管,其耦合到所述第一输出节点并且配置成从所述第一输出节点提供带隙电流;以及使能电路,其用以选择性地激活所述第一晶体管和所述第二晶体管。5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一斜率基于所述低噪声放大器的温度,并且所述第二斜率基于所述负载的温度。6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,当所述第二温度在第一温度区域内时,所述第二斜率为负,并且其中当所述第二温度在第二温度区域内时,所述第二斜率为正。7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一温度区域低于所述第二温度区域。8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述跨导级包括响应于
\t所述第一电流的晶体管。9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一偏置电路包括:可操作以生成与绝对温度成比例(PTAT)的电流的PTAT电流源;可操作以生成带隙电流的带隙电流源;响应于第一级选择码的第一多个晶体管,其中所述第一多个晶体管可操作以基于所述第一级选择码来调节所述PTAT电流的幅值;以及响应于第二级选择码的第二多个晶体管,其中所述第二多个晶体管可操...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·朴CH·王H·S·金M·B·瓦希德法尔
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1