一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，包括中央处理器，所述中央处理器一侧分别电性连接第一电容与第二电容，所述第一电容电性连接第一电阻，所述第一电阻通过INP引脚电性连接音频放大器，所述第二电容电性连接第二电阻，所述第二电阻通过INN引脚电性连接音频放大器，所述音频放大器底部设有GND引脚，且所述GND引脚电性连接地线，所述音频放大器顶部设有VDD引脚，且所述VDD引脚一侧电性连接手机电池，并通过第三电容电性连接地线，所述音频放大器一侧分别设有VOP引脚与VON引脚，所述VOP引脚通过第一电感电性连接SP1引脚，所述VON引脚通过第二电感电性连接SP2引脚，成本低，简单易行，且对免提及耳机等通话质量改善非常明显。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，属于手机噪声抑制领域。
技术介绍
目前所有的GSM制式的手机都存在因时分多址TDMA工作方式而产生的或大或小的分时失真噪声TDDNOISE，而影响通话质量，GSM手机的TDMA对手机通话质量的影响主要是从电路串扰到音频从而引起音频放大器产生TDD噪声，通过电声器件重放而产生。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题克服现有的缺陷，提供一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，对音频放大器的输入走线进行差分等长控制，不需额外增加器件，成本低，简单易行，且对免提及耳机等通话质量改善非常明显，用户体验可得到极大提升。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案：一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，包括中央处理器，所述中央处理器一侧分别电性连接第一电容与第二电容，所述第一电容电性连接第一电阻，所述第一电阻通过INP引脚电性连接音频放大器，所述第二电容电性连接第二电阻，所述第二电阻通过INN引脚电性连接音频放大器，所述音频放大器底部设有GND引脚，且所述GND引脚电性连接地线，所述音频放大器顶部设有VDD引脚，且所述VDD引脚一侧电性连接手机电池，并通过第三电容电性连接地线，所述音频放大器一侧分别设有VOP引脚与VON引脚，所述VOP引脚通过第一电感电性连接SP1引脚，所述VON引脚通过第二电感电性连接SP2引脚，所述SP1引脚与SP2引脚均电性连接扬声器，所述第一电感与所述SP1引脚之间从左到右依次连接有第四电容、第一电极管与第一静电释放元件，且所述第四电容、第一电极管与第一静电释放元件一端接地，所述第二电感与所述SP2引脚之间设有第五电容、第二电极管与第二静电释放元件，且所述第五电容、第二电极管与第二静电释放元件一端接地。进一步而言，所述INP引脚输入端与INN引脚输入端的PCB走线为差分线，且该差分线为等长、等粗、线间等距离、平行且靠近的差分线。进一步而言，所述音频放大器的型号为AW8010A。进一步而言，所述静电释放元件ESD主要由TVSARRAY组成。本技术有益效果：对音频放大器的输入走线进行差分等长、等粗、平行且靠近控制，利用差分线抗共模噪声的原理对进入差分线上的干扰信号进行滤除，不需额外增加器件，成本低，简单易行，且对免提及耳机等通话质量改善非常明显，用户体验可得到极大提升。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。图1是本技术一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路结构图。图中标号：1、中央处理器；2、第一电容；3、第二电容；4、第一电阻；5、INP引脚；6、音频放大器；7、第二电阻；8、INN引脚；9、GND引脚；10、VDD引脚；11、手机电池；12、第三电容；13、VOP引脚；14、VON引脚；15、第一电感；16、SP1引脚；17、第二电感；18、SP2引脚；19、扬声器；20、第四电容；21、第一电极管；22、第一静电释放元件；23、第五电容；24、第二电极管；25、第二静电释放元件；。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，包括中央处理器1，所述中央处理器1一侧分别电性连接第一电容2与第二电容3，所述第一电容2电性连接第一电阻4，所述第一电阻4通过INP引脚5电性连接音频放大器6，所述第二电容3电性连接第二电阻7，所述第二电阻7通过INN引脚8电性连接音频放大器6，所述音频放大器6底部设有GND引脚9，且所述GND引脚9电性连接地线，所述音频放大器6顶部设有VDD引脚10，且所述VDD引脚10一侧电性连接手机电池11，并通过第三电容12电性连接地线，所述音频放大器6一侧分别设有VOP引脚13与VON引脚14，所述VOP引脚13通过第一电感15电性连接SP1引脚16，所述VON引脚14通过第二电感17电性连接SP2引脚18，所述SP1引脚16与SP2引脚18均电性连接扬声器19，所述第一电感15与所述SP1引脚16之间从左到右依次连接有第四电容20、第一电极管21与第一静电释放元件22，且所述第四电容20、第一电极管21与第一静电释放元件22一端接地，所述第二电感17与所述SP2引脚18之间设有第五电容23、第二电极管24与第二静电释放元件25，且所述第五电容23、第二电极管24与第二静电释放元件25一端接地。所述INP引脚5输入端与INN引脚8输入端的PCB走线为差分线，且该差分线为等长、等粗、线间等距离、平行且靠近的差分线，可有有效地利用差分线抗共模原理对差分线上的干扰信号进行滤除，能够更有效地滤波，所述音频放大器6的型号为AW8010A，该型号放大器内置专有时序控制电路，有效地消除了系统在上电、下电、唤醒和关断操作时可能出现的瞬态噪声，该型号放大器内部还设有过电流、过热保护功能，有效地保护芯片在异常工作状态下不被破坏，所述第一静电释放元件22与第二静电释放元件25主要由TVSARRAY组成，其优点是体积小，结电容低，反应速度快等。本技术在使用时，中央处理器输出产生的TDD噪声干扰通过音频放大器输入线来放大，当干扰流经差分线，由于差分线是平行、等长，对称，所以干扰信号必然会均等的分给两个差分线，可有有效地利用差分线抗共模原理对差分线上的干扰信号进行滤除，形成共模信号，该共模信号通过引脚分别送到放大器的同相和反相输入端，在放大器进行求和，因为模值相等，方向相反所以信号相互抵消，在经过一次LC滤波和静电释放，使得在输出端最终输出无干扰的音频信号，从而可以有效的降低TDD干扰。以上为本技术较佳的实施方式，本技术所属领域的技术人员还能够对上述实施方式进行变更和修改，因此，本技术并不局限于上述的具体实施方式，凡是本领域技术人员在本技术的基础上所作的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，包括中央处理器(1)，其特征在于，所述中央处理器(1)一侧分别电性连接第一电容(2)与第二电容(3)，所述第一电容(2)电性连接第一电阻(4)，所述第一电阻(4)通过INP引脚(5)电性连接音频放大器(6)，所述第二电容(3)电性连接第二电阻(7)，所述第二电阻(7)通过INN引脚(8)电性连接音频放大器(6)，所述音频放大器(6)底部设有GND引脚(9)，且所述GND引脚(9)电性连接地线，所述音频放大器(6)顶部设有VDD引脚(10)，且所述VDD引脚(10)一侧电性连接手机电池(11)，并通过第三电容(12)电性连接地线，所述音频放大器(6)一侧分别设有VOP引脚(13)与VON引脚(14)，所述VOP引脚(13)通过第一电感(15)电性连接SP1引脚(16)，所述VON引脚(14)通过第二电感(17)电性连接SP2引脚(18)，所述SP1引脚(16)与SP2引脚(18)均电性连接扬声器(19)，所述第一电感(15)与所述SP1引脚(16)之间从左到右依次连接有第四电容(20)、第一电极管(21)与第一静电释放元件(22)，且所述第四电容(20)、第一电极管(21)与第一静电释放元件(22)一端接地，所述第二电感(17)与所述SP2引脚(18)之间设有第五电容(23)、第二电极管(24)与第二静电释放元件(25)，且所述第五电容(23)、第二电极管(24)与第二静电释放元件(25)一端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种抑制手机TDD噪声的PCB走线电路，包括中央处理器(1)，其特征在于，所述中央处理器(1)一侧分别电性连接第一电容(2)与第二电容(3)，所述第一电容(2)电性连接第一电阻(4)，所述第一电阻(4)通过INP引脚(5)电性连接音频放大器(6)，所述第二电容(3)电性连接第二电阻(7)，所述第二电阻(7)通过INN引脚(8)电性连接音频放大器(6)，所述音频放大器(6)底部设有GND引脚(9)，且所述GND引脚(9)电性连接地线，所述音频放大器(6)顶部设有VDD引脚(10)，且所述VDD引脚(10)一侧电性连接手机电池(11)，并通过第三电容(12)电性连接地线，所述音频放大器(6)一侧分别设有VOP引脚(13)与VON引脚(14)，所述VOP引脚(13)通过第一电感(15)电性连接SP1引脚(16)，所述VON引脚(14)通过第二电感(17)电性连接SP2引脚(18)，所述SP1引脚(16)与SP2引脚(18)均电性连接扬声器(19)，所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾平川，
申请(专利权)人：东莞市信太通讯设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44