本实用新型专利技术提供一种集成LED光源导热结构包括绝缘基材、电路层和焊接面，绝缘基材上开设贯穿整块基材的通孔，通孔内填埋导热体，LED芯片通过固晶焊焊于电路层上，LED芯片产生的热量通过电路层、通孔填埋的导热体到达焊接面，焊接面通过回流焊的方式可以将基板和散热器牢靠的焊接在一起。由于金属焊料的导热率约60W/m.k以上，远高于常见粘接剂1.0W/m.K的导热率，而且芯片到散热器之间的热界面减少、热阻大幅降低，有利于延长LED芯片的长期寿命。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种集成LED光源，特别涉及一种集成LED光源导热结构。
技术介绍
LED光源由于具有节能、环保、寿命长等优点已经在各个领域得到广泛应用。现有的LED光源一般是将芯片利用粘接剂粘附在基板或者支架上，该粘接剂大多为环氧树脂与陶瓷或金属粉末的混合物，通过树脂的粘接特性来固定芯片，通过填充材料来进行导热。而且该类粘接剂一般为物理混合，稳定性和一致性都较差。随着功率的增加，导热性能和长期稳定性都受到较大的挑战。因此，大功率LED封装需要对现有技术进行改善和提高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种集成LED光源导热结构，能使集成LED光源拥有导热良好和性能稳定的特点。本技术的集成LED光源导热结构可以这样实现:一种集成LED光源导热结构，包括绝缘基材、电路层和焊接面，所述电路层设在绝缘基材的正面，所述焊接面设在绝缘基材反面并通过导热率在60W/m.k以上的金属焊料焊接散热器。所述电路层分为复数个固晶区和复数个焊线区，且固晶区和焊线区之间无电气连接，LED芯片一一焊接于对应的固晶区上并与对应的焊线区形成电气连接。所述绝缘基材对应每个固晶区设有贯穿绝缘基材的通孔，通孔内填埋导热体，且所述导热体分别与所述固晶区及焊接面形成电气连接。其中，本技术的集成LED光源导热结构可进一步为:所述绝缘基材上开设复数个通孔，任意两相邻的通孔的外围的最小距离大于所述绝缘基材的厚度。所述焊接面为金属银层，且焊接面面积占所在的绝缘基材面积的90%以上。所述LED芯片的背面镀有金属材质。所述导热体为金属银浆体。所述LED芯片为正装芯片或是倒装芯片；当为正装芯片时，每个LED芯片整体置于对应的固晶区进行焊接，再通过反向拱丝与焊线区形成电气连接;当为倒装芯片时，先将每个LED芯片的背部进行热电分离设计，电极分列两侧，中间为导热通道与固晶区共晶焊接，电极与焊线区共晶焊接来形成电气连接。本技术具有如下优点:本技术LED芯片产生的热量通过电路层、通孔填埋的导热体到达焊接面，焊接面通过回流焊的方式可以将基板和散热器牢靠的焊接在一起。金属焊料的导热率约60W/m.k以上，远高于常见粘接剂l.0W/m.K的导热率，而且芯片到散热器之间的热界面减少、热阻大幅降低，有利于延长LED芯片的长期寿命。【附图说明】下面参照附图结合实施例对本技术作进一步的说明。图1为本技术的集成LED光源导热结构的俯视状态示意图。图2为本技术的集成LED光源导热结构一实施例的局部纵向剖面示意图。图3为本技术的集成LED光源导热结构另一实施例的局部纵向剖面示意图。【具体实施方式】如图1至图3所示，本技术的集成LED光源导热结构包括绝缘基材1、电路层2和焊接面3，所述电路层2设在绝缘基材I的正面，所述焊接面3设在绝缘基材I反面并通过导热率在60W/m.k以上的金属焊料焊接散热器4。所述电路层2分为复数个固晶区21和复数个焊线区22，且固晶区21和焊线区22之间无电气连接，LED芯片5—一对应于所述通孔12焊接于固晶区21上并与对应的焊线区22形成电气连接。所述绝缘基材I对应每个固晶区21设有贯穿绝缘基材I的通孔12，通孔12内填埋导热体6，且所述导热体6分别与所述固晶区21及焊接面22形成电气连接。所述绝缘基材I上开设复数个通孔12，任意两相邻的通孔12的外围的最小距离A大于所述绝缘基材I的厚度H。所述焊接面3为金属银层，且焊接面3面积占所在的绝缘基材面积的90%以上。所述LED芯片5的背面镀有金属材质，优选为银锡合金或金锡合金。所述导热体6为金属银浆体。所述LED芯片5为正装芯片或是倒装芯片。如图2所示，当为正装芯片时，每个LED芯片5整体置于对应的固晶区21进行焊接，再通过反向拱丝52与焊线区22形成电气连接;如图3所示，当为倒装芯片时，先将每个LED芯片5的背部进行热电分离设计，电极54分列两侧，中间为导热通道56与固晶区21共晶焊接，电极54与焊线区22共晶焊接来形成电气连接。虽然以上描述了本技术的【具体实施方式】，但是熟悉本
的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本技术的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本技术的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本技术的权利要求所保护的范围内。【主权项】1.一种集成LED光源导热结构，其特征在于:包括绝缘基材、电路层和焊接面，所述电路层设在绝缘基材的正面，所述焊接面设在绝缘基材反面并通过导热率在60W/m.k以上的金属焊料焊接散热器； 所述电路层分为复数个固晶区和复数个焊线区，且固晶区和焊线区之间无电气连接，LED芯片一一焊接于对应的固晶区上并与对应的焊线区形成电气连接； 所述绝缘基材对应每个LED芯片设有贯穿绝缘基材的通孔，通孔内填埋导热体，且所述导热体分别与所述固晶区及焊接面形成电气连接。2.根据权利要求1所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述绝缘基材上开设复数个通孔，任意两相邻的通孔的外围的最小距离大于所述绝缘基材的厚度。3.根据权利要求1所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述焊接面为金属银层，且焊接面面积占所在的绝缘基材面积的90%以上。4.根据权利要求1所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述LED芯片的背面镀有金属材质。5.根据权利要求1所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述导热体为金属银浆体。6.根据权利要求1所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述LED芯片为正装芯片或是倒装芯片。7.根据权利要求6所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述LED芯片为正装芯片时，每个LED芯片整体置于对应的固晶区进行焊接，再通过反向拱丝与焊线区形成电气连接。8.根据权利要求6所述的一种集成LED光源导热结构，其特征在于:所述LED芯片为倒装芯片时，先将每个LED芯片的背部进行热电分离设计，电极分列两侧，中间为导热通道与固晶区共晶焊接，电极与焊线区共晶焊接来形成电气连接。【专利摘要】本技术提供一种集成LED光源导热结构包括绝缘基材、电路层和焊接面，绝缘基材上开设贯穿整块基材的通孔，通孔内填埋导热体，LED芯片通过固晶焊焊于电路层上，LED芯片产生的热量通过电路层、通孔填埋的导热体到达焊接面，焊接面通过回流焊的方式可以将基板和散热器牢靠的焊接在一起。由于金属焊料的导热率约60W/m.k以上，远高于常见粘接剂1.0W/m.K的导热率，而且芯片到散热器之间的热界面减少、热阻大幅降低，有利于延长LED芯片的长期寿命。【IPC分类】H01L33/64【公开号】CN205335297【申请号】CN201521072334【专利技术人】叶尚辉, 张杰钦 【申请人】福建中科芯源光电科技有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】2015年12月21日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成LED光源导热结构，其特征在于：包括绝缘基材、电路层和焊接面，所述电路层设在绝缘基材的正面，所述焊接面设在绝缘基材反面并通过导热率在60W/m.k以上的金属焊料焊接散热器；所述电路层分为复数个固晶区和复数个焊线区，且固晶区和焊线区之间无电气连接，LED芯片一一焊接于对应的固晶区上并与对应的焊线区形成电气连接；所述绝缘基材对应每个LED芯片设有贯穿绝缘基材的通孔，通孔内填埋导热体，且所述导热体分别与所述固晶区及焊接面形成电气连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶尚辉，张杰钦，
申请(专利权)人：福建中科芯源光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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