【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于PHEMT工艺的MMIC的管芯等效结构模型,特别适用于GaAsPHEMTMMIC放大器芯片管芯热特性的研究。
技术介绍
基于砷化镓或者氮化镓赝配高电子迁移率晶体管技术的放大器芯片在现代雷达与通讯领域发挥着重要的作用。随着功耗的不断增加与芯片尺寸的不断减小,过高的管芯沟道温度会直接影响芯片及器件的可靠性及性能,因此放大器芯片设计过程中的热设计以及对放大器芯片管芯温度的准确检测是工程应用领域极其重要的一部分。目前放大器芯片沟道温度的直接测量方法一般是红外热成像技术。红外测量技术成本高且耗费时间,且其无法在芯片的设计阶段提供准确的管芯沟道温度。最近公开的一些专利申请,如一种基于GaAsPHEMTMMIC热仿真等效模型(申请号CN201510108171.0),一种放大器芯片管芯热仿真等效模型(申请号CN201510108099.1)等针对管芯进行了仿真等效,且仿真结果和实测数据进行了比较,但是目前尚未有仿真与理论数据的直接比较且结果吻合的报道。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本专利技术涉及一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯结构模型。本专利技术可以在通用热仿真软件中实现晶体管热特性研究,为整个芯片的设计提供参考,提高芯片设计的效率。一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型,它包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b,热源与栅极的栅长一致,宽度比栅极的宽度长3μm,放置在栅极的下表面,厚度为0.1μm,连接条a连接栅极、源极、漏极的左侧,且压着热源的上表面,连接条b连接栅 ...
【技术保护点】
一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型,其特征在于,它包括栅极(1)、源极(2)、漏极(3)、热源(4)、连接条a(5)、连接条b(6),热源(4)与栅极(1)的栅长一致,宽度比栅极(1)的宽度长3μm,放置在栅极(1)的下表面,厚度为0.1μm,连接条a(5)连接栅极(1)、源极(2)、漏极(3)的左侧,且压着热源(4)的上表面,连接条b(6)连接栅极(1)、源极(2)、漏极(3)的右侧,且压着热源(4)的上表面。
【技术特征摘要】
1.一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型,其特征在于,它包括栅极(1)、源极(2)、漏极(3)、热源(4)、连接条a(5)、连接条b(6),热源(4)与栅极(1)的栅长一致,宽度比栅极(1)的宽度长3μm,放置在栅极(1)的下表面,厚度为0.1μm,连接条a(5)连接栅极(1)、源极(2)、漏极(3)的左侧,且压着热源(4)的上表面,连接条b(6)连接栅极(1)、源极(2)、漏极(3)的右侧,且压着热源(4)的上表面。
2.如权利要求1所述的等效管芯模型,其特征在于,所述的热源(4)的功耗是...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱恒,童华清,徐秀琴,许慧,屠志晨,王志宇,尚永衡,郁发新,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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