本发明专利技术提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，包括屏蔽罩和门体；磁共振成像仪设置在所述屏蔽罩内，所述门体安装在所述屏蔽罩一侧，所述门体与所述屏蔽罩铰接。本发明专利技术结构简单，只加装五面屏蔽罩，剩下地面不装，减少地平面以上的磁通泄露，可以使磁共振成像仪的制造成本大幅降低，从而提高其性能价格比。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁共振成像仪
，尤其涉及一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽 目.0
技术介绍
核磁共振成像仪是继CT后医学影像学的又一重大进步。自80年代应用以来，它以极快的速度得到发展。核磁共振是一种物理现象，作为一种分析手段广泛应用于物理、化学、生物等领域，到1973年才将它用于医学临床检测，由于其强大的临床诊断功能，目前已经逐渐发展成重要的医学检测手段，越来越多的核磁共振成像仪被安装到各级医院。由于磁场对人体和各类电子设备会造成不同程度的影响，控制核磁共振成像仪磁场泄露就是设备安装需要考虑的一个重要方面。所谓5高斯线是磁共振成像磁体泄露磁场的场强为5高斯的各点集合而成的一个空间封闭曲面，它与磁共振成像磁体的最大距离，通常可被客户接受的值为3米。这就要求厂家在产品设计和制造过程中，尽可能减少磁通泄露。另一方面，可以通过在摆放核磁共振成像仪的房间的墙、天花板以及地面上加装磁屏蔽材料的方法来达到减少磁通泄露的效果。通常的解决方案是在屏蔽房的六个面都加装屏蔽材料，已期达到把泄露磁场限制在房间内的目的。但是，结果往往都不理想，5高斯线经常越过屏蔽罩泄露到六个面的外边去，图1的计算机数值模拟给出了一个采取这种措施得到的效果。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的问题是提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，以克服现有磁屏蔽房安装技术的缺陷。(二)技术方案为解决所述技术问题，本专利技术提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，包括屏蔽罩和门体;磁共振成像仪设置在所述屏蔽罩内，所述门体安装在所述屏蔽罩一侧，所述门体与所述屏蔽罩铰接。进一步，所述屏蔽罩为五面结构。进一步，所述屏蔽罩和门体由铁磁材料制成。进一步，所述屏蔽罩和门体厚度为l-10mm。(三)有益效果本专利技术的磁共振成像仪的磁场屏蔽装置，结构简单，只加装五面屏蔽罩，剩下地面不装，减少地平面以上的磁通泄露，可以使磁屏蔽难度大幅降低，从而减少仪器安装的成本。【附图说明】图1为加装六面屏蔽罩的泄露磁场数值模拟效果图；图2为本专利技术一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置的结构示意图；图3为加装五面屏蔽罩泄露磁场屏蔽装置的泄露磁场数值模拟效果图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。铁磁材料为铁、镍、钴以或者硅钢片。铁、钢、镍、钴等铁磁材料，没有受外磁场的作用时，其分子电流所产生的合成磁矩在宏观上等于零，因而不呈现磁性。由于铁磁材料的磁导率远远高于空气，在外磁场中，磁力线被聚集到铁磁材料内部，减少了空气中磁场的通量，这就是所述磁屏蔽的原理。实施例一如图2所示，本专利技术的一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，其特征在于:包括屏蔽罩2和门体3;磁共振成像仪I设置在所述屏蔽罩2内，所述门体3安装在所述屏蔽罩2—侧，所述门体3与所述屏蔽罩2铰接。所述屏蔽罩2为五面结构，形状为矩形六面体的五个表面，即摆放磁共振成像仪的屏蔽房的4面墙和天花板。所述屏蔽罩2和门体3由薄铁板制成。所述屏蔽罩2和门体3厚度为7mm0如图3所示，只加装矩形六面体的五个表面，即屏蔽房的4面墙以及天花板，剩下地面不装，可以大大减少地平面以上的磁通泄露；一般来说，磁共振成像仪安装在医院的一楼，地下通常没有任何设施和行人通道，将泄露磁场引导到地下是一种方便快捷的解决方案，使得屏蔽房的装修成本大幅降低。实施例二实施例二与实施例一基本相同，不同之处在于:所述屏蔽罩2和门体3由镍板制成，所述屏蔽罩2和门体3厚度为2mm。实施例三实施例三与实施例一基本相同，不同之处在于:所述屏蔽罩2和门体3由钴板制成，所述屏蔽罩2和门体3厚度为3mm。综上所述，上述实施方式并非是本专利技术的限制性实施方式，凡本领域的技术人员在本专利技术的实质内容的基础上所进行的修饰或者等效变形，均在本专利技术的技术范畴。【主权项】1.一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，其特征在于:包括屏蔽罩(2)和门体(3);磁共振成像仪(I)设置在所述屏蔽罩(2)内，所述门体(3)安装在所述屏蔽罩(2)—侧，所述门体(3)与所述屏蔽罩(2)铰接。2.根据权利要求1所述的磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，其特征在于:所述屏蔽罩(2)为五面结构。3.根据权利要求1所述的磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，其特征在于:所述屏蔽罩(2)和门体(3)由铁磁材料制成。4.根据权利要求1至3任一项所述的磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，其特征在于:所述屏蔽罩(2)和门体(3)厚度为l-10mm。【专利摘要】本专利技术提供一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，包括屏蔽罩和门体；磁共振成像仪设置在所述屏蔽罩内，所述门体安装在所述屏蔽罩一侧，所述门体与所述屏蔽罩铰接。本专利技术结构简单，只加装五面屏蔽罩，剩下地面不装，减少地平面以上的磁通泄露，可以使磁共振成像仪的制造成本大幅降低，从而提高其性能价格比。【IPC分类】H05K9/00【公开号】CN105578855【申请号】CN201610058853【专利技术人】郑杰, 朱雪松, 胡倾宇 【申请人】宁波健信核磁技术有限公司【公开日】2016年5月11日【申请日】2016年1月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁共振成像仪的泄露磁场屏蔽装置，其特征在于：包括屏蔽罩(2)和门体(3)；磁共振成像仪(1)设置在所述屏蔽罩(2)内，所述门体(3)安装在所述屏蔽罩(2)一侧，所述门体(3)与所述屏蔽罩(2)铰接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑杰，朱雪松，胡倾宇，
申请(专利权)人：宁波健信核磁技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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