本实用新型专利技术公开了一种温度保护电路，包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻和第一NPN管；第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接第二电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极；第二电阻的一端接第一电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极，另一端接地；第一NMOS管的栅极接第三电阻的一端和第一NPN管的集电极，漏极接第一电阻的一端和第二电阻的一端和第一NPN管的基极，源极接地。本实用新型专利技术第一电阻和第二电阻分压得到一电压作为第一NPN管的基极电压，当温度升高时，第一NPN管导通使得输出端VOUT变为低电平；正常工作时，第一NPN管不导通，输出端VOUT是高电平。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路技术，尤其涉及到温度保护电路。
技术介绍
在集成电路中，温度过高时会产生错误信息，为了避免这样的现象出现，会设置温度保护电路，用来关掉相应的输出。
技术实现思路
本技术旨在提供一种输出信号能够随着温度变化的温度保护电路。温度保护电路，包括第一电阻、第二电阻、第一 NM0S管、第三电阻和第一 NPN管:所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NM0S管的漏极和所述第一 NPN管的基极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一 NM0S管的漏极和所述第一 NPN管的基极，另一端接地；所述第一 NM0S管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一 NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的基极，源极接地；所述第三电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NPN管的集电极和所述第一 NM0S管的栅极；所述第一 NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一 NM0S管的漏极，集电极接所述第三电阻的一端和所述第一 NM0S管的栅极，发射极接地。所述第一电阻和所述第二电阻分压得到一电压作为所述第一 NPN管的基极电压，当温度身高时，由于所述第一 NPN管50的BE结电压是负温度系数，温度达到一定温度时，所述第一 NPN管导通使得输出端V0UT变为低电平；正常工作时，由于所述第一 NPN管不导通，这样输出端V0UT是高电平。【附图说明】图1为本技术的一种温度保护电路的电路图。图2为本技术的温度保护电压随温度的变化图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。温度保护电路，如图1所示，包括第一电阻10、第二电阻20、第一 NM0S管30、第三电阻40和第一 NPN管50:所述第一电阻10的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二电阻20的一端和所述第一 NM0S管30的漏极和所述第一 NPN管50的基极；所述第二电阻20的一端接所述第一电阻10的一端和所述第一 NM0S管30的漏极和所述第一 NPN管50的基极，另一端接地；所述第一 NM0S管30的栅极接所述第三电阻40的一端和所述第一 NPN管50的集电极，漏极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端和所述第一 NPN管50的基极，源极接地；所述第三电阻40的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NPN管50的集电极和所述第一 NM0S管30的栅极；所述第一 NPN管50的基极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端和所述第一 NM0S管30的漏极，集电极接所述第三电阻40的一端和所述第一 NM0S管30的栅极，发射极接地。所述第一电阻10和所述第二电阻20分压得到一电压作为所述第一 NPN管50的基极电压，当温度身高时，由于所述第一 NPN管50的BE结电压是负温度系数，温度达到一定温度时，所述第一 NPN管50导通使得输出端V0UT变为低电平；正常工作时，由于所述第一 NPN管50不导通，这样输出端V0UT是高电平。 如图2所示，为温度保护电压随温度的变化图。正常工作时输出端V0UT为高电平；当温度达到预置温度时，输出端V0UT变为低电平。【主权项】1.温度保护电路，其特征在于:包括第一电阻、第二电阻、第一 NMOS管、第三电阻和第一 NPN 管; 所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极和所述第一 NPN管的基极； 所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一 NM0S管的漏极和所述第一NPN管的基极，另一端接地； 所述第一 NM0S管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一 NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一 NPN管的基极，源极接地； 所述第三电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NPN管的集电极和所述第一NM0S管的栅极； 所述第一 NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NM0S管的漏极，集电极接所述第三电阻的一端和所述第一 NM0S管的栅极，发射极接地。【专利摘要】本技术公开了一种温度保护电路，包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻和第一NPN管；第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接第二电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极；第二电阻的一端接第一电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极，另一端接地；第一NMOS管的栅极接第三电阻的一端和第一NPN管的集电极，漏极接第一电阻的一端和第二电阻的一端和第一NPN管的基极，源极接地。本技术第一电阻和第二电阻分压得到一电压作为第一NPN管的基极电压，当温度升高时，第一NPN管导通使得输出端VOUT变为低电平；正常工作时，第一NPN管不导通，输出端VOUT是高电平。【IPC分类】H01L23/58, H01L27/02【公开号】CN205092240【申请号】CN201520844227【专利技术人】陶霞菲 【申请人】杭州宽福科技有限公司【公开日】2016年3月16日【申请日】2015年10月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
温度保护电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻和第一NPN管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极，另一端接地；所述第一NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极，源极接地；所述第三电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的集电极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，集电极接所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极，发射极接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶霞菲，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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