本发明专利技术涉及数字调频接收机领域，具体涉及一种433M数字调频接收机。包括：输入端低噪声放大器和433M滤波器部分；392.3M本振源信号电路部分；混频器和中频滤波器部分；解调二次降频电路部分；单片机微处理部分；整个电路图的电源控制和地部分。本发明专利技术提供的433M数字调频接收机装置设计巧妙、布局合理，功耗低、灵敏度高、动态范围大，采用2FSK的调制解调模式，能够很好地与433M数字调频发射机进行实时通信。本发明专利技术在433M数字调频接收机领域以及超短波通信领域都具有很高的科研研究价值，同时也具有一定的工程应用价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利设及数字调频接收机领域，具体设及一种433M数字调频接收机。
技术介绍
现有的接收机类型主要有调相、调频接收机和调幅接收机，调频接收机最为常用。 其中调频接收机种类有W下几种，有超外差二次变频接收机、镜频抑制接收机、零中频接收 机、和数字射频接收机等等。当然了数字射频接收机的功能最好。 对于超外差二次变频接收机而言，它的最主要优点是，结构简单、易于实现，虽然 它的结构简单，但是到目前为止，超外差二次变频接收机仍然是工程师们最常用的结构形 式。超外差二次变频接收机的缺点是超外差二次变频接收机需要较多的高性能滤波器和混 频器来完成整个接收系统，运就造成了超外差二次变频接收机的体积相对其它种类的接收 机体积较大，当然运也就随之造成了它的制造成本比其它种类的接收机高。超外差二次变 频接收机可W通过选择适当的中频频率值和中频滤波器来获的较好的频率选择性和接收 机灵敏度等技术指标，所W超外差二次变频接收系统被认为是最可靠的接收机结构，当然 运用也是最为广泛的。本专利技术专利433M数字调频接收机也有两次变频。 对于零中频接收机而言，它的最主要优点是，体积小、成本低、易于单片集成等等。 零中频接收机结构要求较好的镜像干扰抑制能力，因为它的镜像干扰信号的功率电平必须 要求小于或等于所需解调信号的功率电平。由于零中频接收机由一个本振信号直接作用于 下变频信号，相对于超外差接收机，零中频接收机减少了混频过程。总的来说，零中频接收 机结构在降低设计成本、减少忍片面积和降低功耗方面是做得很好的。零中频接收机在无 线通信领域中的应用越来也广泛。 阳〇化]近几年来我国软件无线技术迅猛发展，数字射频接收机技术也随之应运而生。数 字射频接收机是一种通过模拟数字转换器对调制信号进行数字化后使用数字信号处理技 术对调制信号实进行数字变频、数字滤波、数字解调等数字信号处理过程的射频接收机。数 字接收机的各种技术指标都可W实现相对数字化的表示，数字接收机相比于模拟接收机具 有好多优点，比如他的灵敏度精度高、稳定性好、设计灵活而且它可W实现很多模拟接收机 不能实现的复杂功能，总的来说数字接收机它已经成为接收机各种系统中最有发展潜力的 一种结构形式。而本专利技术专利433M数字调频接收机就是属于数字射频接收机的一种。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种灵敏度精度高、稳定性好的433M数字调频接收机。 本专利技术的目的是运样实现的： 本专利技术包括：输入端低噪声放大器和433M滤波器部分；392. 3M本振源信号电路 部分；混频器和中频滤波器部分；解调二次降频电路部分；单片机微处理部分；整个电路图 的电源控制和地部分，其特征在于：信号由输入端低噪声放大器和433M滤波器部分进入； 392. 3M本振源信号电路部分给混频器和中频滤波器部分提供本振信号，392. 3MHz;信号从 输入端低噪声放大器和433M滤波器部分出来之后在混频器和中频滤波器部分内完成第一 次降频，由433M降为40. 7M ;再进入解调二次降频电路部分进行第二次降频由40. 7M变为 10. 7M，随后进行解调；单片机微处理部分控制392. 3M本振源信号电路部分W及解调二次 降频电路部分；整个电路图的电源控制和地部分为模块392. 3M本振源信号电路部分；；解 调二次降频电路部分；单片机微处理部分提供数字和模拟电源W及地信号； 输入端低噪声放大器和433M滤波器部分： 使用低噪放大器MAX2650 ;信号由模块1的高频头Pl进入，由433M声表面滤波器 忍片U4的端口 5出去进入模块3的RF2418DS忍片的1管脚；Pl是高频头，高频头接到天 线之后，包含433M载波在内的所有频段的波，由Pl进入忍片U3低噪声放大器MAX2650进 行功率放大，放大之后由端口 3输出下一级，端口 4连接的是+5V供电电源，端口 2接地；低 噪声放大器MAX2650的供电电压是巧V，0.1 uf的电容ClO和有极性IOuf的电容Cll W及 磁珠L4对电源进行滤波，MX2650的输入输出接口处的阻塞电容值是： 其中，频率F的单位为MHz，接收机的载波频率为433MHz，MX2650输入输出端的电 容值为12化F;其两端必须加0.Iuf的电容ClOl和电容C102,对直流信号进行滤波，U4是433MHz声表面滤波器，由2管脚进入，从5管脚输出到模块3的RF2418DS忍片的管脚1 ; 阳01引 392. 3M本振源信号电路部分： ADF4360-8忍片的4、5管脚连接到混频器和中频滤波器部分的RF2418DS忍片的8 管脚；MSP430F149单片机忍片构成的最小系统对ADF4360-8忍片进行控制，产生392. 3M的 本振频率；ADF4360-8忍片里面的压控振荡器输出频率为： 阳01引 fvXfK肌n/R 其中fw。为压控振荡器输出频率，P为预分频系数，f 为参考频率； Fc…=BXFrefin/R F。。。是锁相环输出的频率，F。。。= 392. 3M，B是13位的二进制寄存器，其取值范围是 3~8191，化efin是ADF4360-8忍片16管脚REFm输入的有源晶振的频率，R是14位的二 进制寄存器，化efin选用50M，R=500,B=3923 ;ADF4360-8忍片16管脚REFi。所接的是 50M有源晶振U12 ;1管脚的CPGND、3管脚的AGND、8管脚的AGND、11管脚的AGND、12管脚 。、15管脚的DGND、22管脚的AGND都接模拟地即GND;取+3. 3V作为锁相环ADF4360-8忍片 的供电电压，2管脚Avdd、6管脚的Vvco、21管脚的Dvdd、23管脚的CE都接+3. 3V的电源，每 一个电源都需连接和模块1中一样的滤波电路；忍片U13是+3. 3V的稳压片AMS1117-3. 3， U13为锁相环ADF4360-8忍片提供+3. 3.V的电压，3管脚输入，2管脚输出，输入是巧V电 源，输出就是+3. 3V;9管脚Li、10管脚Lz都分别接一个电阻R32、R33和一个电感L29、L30， 其中电阻R32、R33都是470Q;电感值： 式中，F。是392. 3M，Lext即为所需要的电感值，Lext = 16. 8址；17管脚化K、18 管脚DATAU9管脚LE连接到MSP430F149单片机忍片上，连接到IO 口 5. 3、5. 1、5. 4,电阻 R22、R24、R2都为0 Q，20管脚MUXOUT和L邸灯D3相连，24管脚CP接一个低通滤波器，16 管脚REFi。接50M的有源晶振，连接有源晶振的电源需连接滤波电路，有源晶振管脚3和锁 相环ADF4360-8忍片管脚16引出来的50 Q电阻匹配电路直接相连由InF的电容口3X75 和51〇的电阻326组成；0〇的电阻1?27、1?28、高频头？12外接到频谱仪，用于测试锁相环 ADF4360-8忍片产生的频率是否是392. 3MHz，锁相环ADF4360-8忍片产生的本振频率从4 管脚RfoutA输出到混频器8管脚LO IN,模块3中的RF2418DS忍片8管脚连接的4pF的电 容C44和10址的电感L18完成锁相环ADF4360-8忍片和混频忍片RF2418DS之间本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种433M数字调频接收机，包括：输入端低噪声放大器和433M滤波器部分；392.3M本振源信号电路部分；混频器和中频滤波器部分；解调二次降频电路部分；单片机微处理部分；整个电路图的电源控制和地部分，其特征在于：信号由输入端低噪声放大器和433M滤波器部分进入；392.3M本振源信号电路部分给混频器和中频滤波器部分提供本振信号，392.3MHz；信号从输入端低噪声放大器和433M滤波器部分出来之后在混频器和中频滤波器部分内完成第一次降频，由433M降为40.7M；再进入解调二次降频电路部分进行第二次降频由40.7M变为10.7M，随后进行解调；单片机微处理部分控制392.3M本振源信号电路部分以及解调二次降频电路部分；整个电路图的电源控制和地部分为模块392.3M本振源信号电路部分；；解调二次降频电路部分；单片机微处理部分提供数字和模拟电源以及地信号；输入端低噪声放大器和433M滤波器部分：使用低噪放大器MAX2650；信号由模块1的高频头P1进入，由433M声表面滤波器芯片U4的端口5出去进入模块3的RF2418DS芯片的1管脚；P1是高频头，高频头接到天线之后，包含433M载波在内的所有频段的波，由P1进入芯片U3低噪声放大器MAX2650进行功率放大，放大之后由端口3输出下一级，端口4连接的是+5V供电电源，端口2接地；低噪声放大器MAX2650的供电电压是+5V，0.1uf的电容C10和有极性10uf的电容C11以及磁珠L4对电源进行滤波，MAX2650的输入输出接口处的阻塞电容值是：CBLOCK=53000F(pF)]]>其中，频率F的单位为MHz，接收机的载波频率为433MHz，MAX2650输入输出端的电容值为122pF；其两端必须加0.1uf的电容C101和电容C102，对直流信号进行滤波，U4是433MHz声表面滤波器，由2管脚进入，从5管脚输出到模块3的RF2418DS芯片的管脚1；392.3M本振源信号电路部分：ADF4360‑8芯片的4、5管脚连接到混频器和中频滤波器部分的RF2418DS芯片的8管脚；MSP430F149单片机芯片构成的最小系统对ADF4360‑8芯片进行控制，产生392.3M的本振频率；ADF4360‑8芯片里面的压控振荡器输出频率为：fVCO＝[(P×B)+A]×fREFIN/R其中fVCO为压控振荡器输出频率，P为预分频系数，fREFIN为参考频率；Fcco＝B×Frefin/RFcco是锁相环输出的频率，Fcco＝392.3M，B是13位的二进制寄存器，其取值范围是3～8191，Frefin是ADF4360‑8芯片16管脚REFin输入的有源晶振的频率，R是14位的二进制寄存器，Frefin选用50M，R＝500，B＝3923；ADF4360‑8芯片16管脚REFin所接的是50M有源晶振U12；1管脚的CPGND、3管脚的AGND、8管脚的AGND、11管脚的AGND、12管脚Cc、15管脚的DGND、22管脚的AGND都接模拟地即GND；取+3.3V作为锁相环ADF4360‑8芯片的供电电压，2管脚Avdd、6管脚的Vvco、21管脚的Dvdd、23管脚的CE都接+3.3V的电源，每一个电源都需连接和模块1中一样的滤波电路；芯片U13是+3.3V的稳压片AMS1117‑3.3，U13为锁相环ADF4360‑8芯片提供+3.3.V的电压，3管脚输入，2管脚输出，输入是+5V电源，输出就是+3.3V；9管脚L1、10管脚L2都分别接一个电阻R32、R33和一个电感L29、L30，其中电阻R32、R33都是470Ω；电感值：Fo=12π9.3pF(0.9nH+Lext)]]>式中，Fo是392.3M，Lext即为所需要的电感值，Lext＝16.8nH；17管脚CLK、18管脚DATA、19管脚LE连接到MSP430F149单片机芯片上，连接到IO口5.3、5.1、5.4，电阻R22、R24、R2都为0Ω，20管脚MUXOUT和LED灯D3相连，24管脚CP接一个低通滤波器，16管脚REFin接50M的有源晶振，连接有源晶振的电源需连接滤波电路，有源晶振管脚3和锁相环ADF4360‑8芯片管脚16引出来的50Ω电阻匹配电路直接相连由1nF的电容C73、C75和51Ω的电阻R26组成；0Ω的电阻R27、R28、高频头P12外接到频谱仪，用于测试锁相环ADF4360‑8芯片产生的频率是否是392.3MHz，锁相环ADF4360‑8芯片产生的本振频率从4管脚RfoutA输出到混频器8管脚LO IN，模块3中的RF2418DS芯片8管脚连接的4pF的电容C44和10nH的电感L18完成锁相环ADF4360‑8芯片和混频芯片RF2418DS之间的50Ω的电阻匹配；混频器和中频滤波器部分...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张朝柱，陈天富，贾兴华，韩吉南，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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