一种对讲机抗电磁干扰保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种对讲机抗电磁干扰保护电路，包括电感L1A、电容C1、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管D1、三极管Q1和MOS管Q2，电容C1一端分别连接输入电压Vi和电感L1A，电感L1A另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2，电容C2另一端分别连接电感L1B、电容C4和电感L3，电容C4另一端连接电容C3另一端并接地，电容C1另一端连接电感L1B另一端，电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B，电感L2另一端连接熔断器FU。在输入电压Vi后极加入本实用新型专利技术电路，能够有效防止电源部分对对讲机形成的电磁干扰，且可以防止通电瞬间电压不稳定造成的安全隐患，电路没有使用任何芯片元件，稳定性高，抗干扰能力强，另外电路结构简单，体积小，非常适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种抗电磁干扰电路，具体是一种对讲机抗电磁干扰保护电路。
技术介绍
对讲机作为一种通讯工具，其抗干扰性是衡量其优劣的重要指标之一，如何提高对讲机的抗电磁干扰能力以及安全性能并减小对讲机体积是所有厂商一直在研宄的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种体积小的对讲机抗电磁干扰保护电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种对讲机抗电磁干扰保护电路，包括电感L1A、电容Cl、电感L1B、熔断器FU、电阻Rl、二极管Dl、三极管Ql和MOS管Q2，所述电容Cl 一端分别连接输入电压Vi和电感L1A，电感LlA另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2，电容C2另一端分别连接电感L1B、电容C4和电感L3，电容C4另一端连接电容C3另一端并接地，所述电容Cl另一端连接电感LlB另一端，所述电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B，所述电感L2另一端连接熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接电阻R7另一端、电容C5另一端和电感L4A，电感L4A另一端分别连接电阻R1、电阻R2、电容C8和输出电压Vo端，电阻Rl另一端分别连接二极管Dl负极、电阻R3、电阻R2、电容C6、三极管Ql集电极和MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极分别连接电阻R4、电阻R6、电容C7、二极管Dl正极、电阻R3另一端、三极管Ql发射极和电容C6另一端，电容C7另一端分别连接电阻R6另一端、MOS管Q2的D极、电阻R5和电容C8另一端并接地，电阻R5另一端连接二极管D2负极，二极管D2正极分别连接电阻R4另一端和三极管Ql基极。作为本技术再进一步的方案:所述二极管Dl和二极管D2为稳压二极管。与现有技术相比，本技术的有益效果是:在输入电压Vi后极加入本技术电路，能够有效防止电源部分对对讲机形成的电磁干扰，且可以防止通电瞬间电压不稳定造成的安全隐患，电路没有使用任何芯片元件，稳定性高，抗干扰能力强，另外电路结构简单，体积小，非常适合推广使用。【附图说明】图1为对讲机抗电磁干扰保护电路的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种对讲机抗电磁干扰保护电路，包括电感L1A、电容Cl、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管Dl、三极管Ql和MOS管Q2，电容Cl 一端分别连接输入电压Vi和电感L1A，电感LlA另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2，电容C2另一端分别连接电感LIB、电容C4和电感L3，电容C4另一端连接电容C3另一端并接地，电容Cl另一端连接电感LlB另一端，电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B，电感L2另一端连接熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接电阻R7另一端、电容C5另一端和电感L4A，电感L4A另一端分别连接电阻R1、电阻R2、电容C8和输出电压Vo端，电阻Rl另一端分别连接二极管Dl负极、电阻R3、电阻R2、电容C6、三极管Ql集电极和MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极分别连接电阻R4、电阻R6、电容C7、二极管Dl正极、电阻R3另一端、三极管Ql发射极和电容C6另一端，电容C7另一端分别连接电阻R6另一端、MOS管Q2的D极、电阻R5和电容C8另一端并接地，电阻R5另一端连接二极管D2负极，二极管D2正极分别连接电阻R4另一端和三极管Ql基极。二极管Dl和二极管D2为稳压二极管。本技术的工作原理是:请参阅图1，电容Cl、电感LI和电容C2组成双π型滤波网络主要是对输入电压Vi的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对负载部分形成干扰。电阻R1、电阻R2、二极管Dl、MOS管Q2等组成抗浪涌电路，在通电的瞬间，由于电容C6存在，MOS管Q2不导通，电流经电阻R6构成回路，当电容C6上的电压充至二极管Dl的稳压值时，MOS管Q2导通，如果电容CS漏电或者输出电压Vo端后极负载电路出现短路，在通电的瞬间，电流在电阻Rl上产生的压降增大，三极管Ql导通，使MOS管Q2没有栅极电压不导通，电阻R6将在很短时间内烧毁，比保护后极负载电路。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.一种对讲机抗电磁干扰保护电路，包括电感L1A、电容Cl、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管Dl、三极管Ql和MOS管Q2，其特征在于，所述电容Cl 一端分别连接输入电压Vi和电感L1A，电感LlA另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2，电容C2另一端分别连接电感LlB、电容C4和电感L3，电容C4另一端连接电容C3另一端并接地，所述电容Cl另一端连接电感LlB另一端，所述电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B，所述电感L2另一端连接熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接电阻R7另一端、电容C5另一端和电感L4A，电感L4A另一端分别连接电阻R1、电阻R2、电容C8和输出电压Vo端，电阻Rl另一端分别连接二极管Dl负极、电阻R3、电阻R2、电容C6、三极管Ql集电极和MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极分别连接电阻R4、电阻R6、电容C7、二极管Dl正极、电阻R3另一端、三极管Ql发射极和电容C6另一端，电容C7另一端分别连接电阻R6另一端、MOS管Q2的D极、电阻R5和电容C8另一端并接地，电阻R5另一端连接二极管D2负极，二极管D2正极分别连接电阻R4另一端和三极管Ql基极。2.根据权利要求1所述的对讲机抗电磁干扰保护电路，其特征在于，所述二极管Dl和二极管D2为稳压二极管。【专利摘要】本技术公开了一种对讲机抗电磁干扰保护电路，包括电感L1A、电容C1、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管D1、三极管Q1和MOS管Q2，电容C1一端分别连接输入电压Vi和电感L1A，电感L1A另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2，电容C2另一端分别连接电感L1B、电容C4和电感L3，电容C4另一端连接电容C3另一端并接地，电容C1另一端连接电感L1B另一端，电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B，电感L2另一端连接熔断器FU。在输入电压Vi后极加入本技术电路，能够有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对讲机抗电磁干扰保护电路，包括电感L1A、电容C1、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管D1、三极管Q1和MOS管Q2，其特征在于，所述电容C1一端分别连接输入电压Vi和电感L1A，电感L1A另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2，电容C2另一端分别连接电感L1B、电容C4和电感L3，电容C4另一端连接电容C3另一端并接地，所述电容C1另一端连接电感L1B另一端，所述电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B，所述电感L2另一端连接熔断器FU，熔断器FU另一端分别连接电阻R7另一端、电容C5另一端和电感L4A，电感L4A另一端分别连接电阻R1、电阻R2、电容C8和输出电压Vo端，电阻R1另一端分别连接二极管D1负极、电阻R3、电阻R2、电容C6、三极管Q1集电极和MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极分别连接电阻R4、电阻R6、电容C7、二极管D1正极、电阻R3另一端、三极管Q1发射极和电容C6另一端，电容C7另一端分别连接电阻R6另一端、MOS管Q2的D极、电阻R5和电容C8另一端并接地，电阻R5另一端连接二极管D2负极，二极管D2正极分别连接电阻R4另一端和三极管Q1基极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王书芳，
申请(专利权)人：王书芳，
类型：新型
国别省市：福建;35