本实用新型专利技术涉及电子电路领域，具体是一种电源输出短路保护电路，它包括前端输入电压DC_IN，电阻R5、电容C5、PNP型三极管Q3、电阻R8、电阻R9、P沟MOS管、电阻R6、电阻R7、电阻R12、NPN型三极管Q6、电阻R10、电阻R11、高电平SC、和外负载LOAD；本实用新型专利技术的目的是提供一种电源输出短路保护电路，提高电源短路保护的可靠性和反应速度，更好更快的保护短路时的电源。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路领域，具体是一种电源输出短路保护电路。
技术介绍
在常用的电子产品中，很多都有电压输出的接口，输出一定的电压供外接负载使用，例如手机充电器以及一些电子工程师常用的如编程器、开发板之类的，由于此类产品的负载经常需要插拨或更换，如果由于连接线或者负载本身的原因，造成产品的输出“电源”与“地”之间短路，将会导致产品输出回路元器件烧坏，产品无法继续正常工作，影响了用户产品使用体验，增加了产品的维修售后服务等成本。因此电源短路保护显得尤为重要，目前大家常用的做法就是在产品的输出回路中串联阻值较小电阻，通过采样此电阻上的电流送至AD采样，通过判断电流的突变通过单片机MCU来控制输出回路关断进行短路保护，也有较简单的就是在输出回路中串联保险电阻，当电流大于一定值时保险电阻开路来实现保护。采用上述方式对电源进行短路保护存在一些问题，可靠性不高，同时反应速度不快，需要一定的反应时间，还是会对电源产生一定的伤害。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电源输出短路保护电路，提高电源短路保护的可靠性和反应速度，更好更快的保护短路时的电源。为了实现以上目的，本技术采用的技术方案为:一种电源输出短路保护电路，它包括前端输入电压DC_IN，所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极；所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极；所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极；所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6，所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻R12，所述的电阻R7的另一端接地，所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极；所述的NPN型三极管Q6的发射极接地，集电极连接有电阻R10、电阻Rll和高电平SC ；所述的电阻RlO的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极，所述的电阻Rll的另一端接地；所述的NPN型三极管Q4的发射极接地，集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极；所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD ;所述的外负载LOAD的另一端接地。进一步的，所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有电阻R3，且P沟MOS管Q5的漏极和外负载LOAD之间还串联有P沟MOS管Q2和保险丝FUSEl ;所述的P沟MOS管Q2的栅极连接有电阻R3的另一端和NPN型三极管Ql的集电极，漏极与保险丝FUSEl连接，源极与P沟MOS管Q5的漏极连接；所述的外负载LOAD与地之间还串联有电阻R4与电容C3的并联电路；所述的NPN型三极管Ql的发射极接地，基极连接有电阻R1，所述电阻Rl的另一端连接有输出电平OUT-EN与电阻R2，所述的电阻R2接地；所述的电平OUT-EN与高电平SC均与单片机MCU相连。进一步的，所述的P沟MOS管Q5的漏极还连接有电解电容C4的正极，所述的电解电容C4的负极接地。进一步的，所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有降压IC的输入极，所述的降压IC的接地极接地，输出极连接有电容Cl、电解电容C2、电阻R3和P沟MOS管Q2的源极；所述的电容Cl和电解电容C2另一端接地。进一步的，所述的电阻R5的阻值为3.3欧，电容C5为22微法；所述的电容Cl和C3为10微法，所述的电解电容C2为22微法16伏，所述的电解电容C4为220微法16伏，所述的保险丝FUSEl限流2安，所述的电阻Rl与R2为10千欧，所述的电阻R3为100千欧，所述的电阻R4为0.05欧。本技术的有益效果为:1、采用了硬件的方式实现了电压短路保护，大大提高了保护的可靠性，且硬件的反应速度快，同时减少了保护的反应时间，可以更快的实现电压短路保护。2、同时还包含有软件保护模块，可以实现硬件软件双重保护，使保护更彻底。3、设置有电解电容，可以对输入电源进行滤波。4、各个电路元器件的规格都是经过严格计算设计的，可以保证达到保护目的的同时节省消耗。【附图说明】图1为一种电源输出短路保护电路图。图2为一种优选方式的电源输出短路保护电路电路图。图3为图2中A的局部放大图。图4为图2中B的局部放大图。【具体实施方式】为了使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本技术的保护范围有任何的限制作用。实施例1如图2所示，本技术的具体结构为:一种电源输出短路保护电路，它包括前端输入电压DC_IN，所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极；所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极；所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极；所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6，所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻Rl2，所述的电阻R7的另一端接地，所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极；所述的NPN型三极管Q6的发射极接地，集电极连接有电阻R10、电阻Rll和高电平SC ;所述的电阻RlO的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极，所述的电阻Rll的另一端接地；所述的NPN型三极管Q4的发射极接地，集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极；所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD ;所述的外负载LOAD的另一端接地。具体使用时，电路的前端输入电压DC_IN接入12V直流电压，高电平SC使NPN型三极管Q4导通，进而使P沟MOS管Q5导通，负载LOAD两端电压正常。正常负载的情况下，流过电阻R5电流很小，在电阻R5两端产生电位差不足以使PNP型三极管Q3导通，因此电路正常输出。当外部负载LOAD短路或内阻较小导致电流增大到一定程度时，这时会出现2种保护:因流经电阻R5的电流增大，其两端压降会增大，大于0.7V时，PNP型三极管Q3导通，电阻R6与R7直接通过PNP型三极管Q3的集电极与前端输入电压DC_IN相连，电阻R7上分压使NPN型三极管Q6导通，高电平SC被拉低成低电平，此时NPN型三极管Q4截止，P沟MOS管Q5关断，外负载无输出，达到保护的作用。实施例2如图2-4所示，本技术的具体结构为:一种电源输出短路保护电路，它包括前端输入电压DC_IN，所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极；所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极；所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极；所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6，所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻Rl2，所述的电阻R7的另一端接地，所述的电阻当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电源输出短路保护电路，它包括前端输入电压DC_IN，其特征在于，所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极；所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极；所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极；所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6，所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻R12，所述的电阻R7的另一端接地，所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极；所述的NPN型三极管Q6的发射极接地，集电极连接有电阻R10、电阻R11和高电平SC；所述的电阻R10的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极，所述的电阻R11的另一端接地；所述的NPN型三极管Q4的发射极接地，集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极；所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD；所述的外负载LOAD的另一端接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：涂柏生，朱锌铧，熊皓，
申请(专利权)人：长沙市博巨兴电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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