基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池及其制备方法。其自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)。其中在正面本征非晶硅层(4)与N型硅衬底(6)之间设有硅纳米线绒面层(5)，以降低硅衬底的光反射率。该硅纳米线绒面是通过溶液转移至N型硅衬底(6)上并经微刻蚀形成相互交叉堆叠的硅纳米线层，具有强烈的陷光特性。本发明专利技术提高了异质结太阳能电池对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于硅纳米线绒面的异质结太阳能电池，自上而下包括栅线电极(1)、ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)、P型非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型硅衬底(6)、背面本征非晶硅层(7)、N型非晶硅层(8)、AZO氧化锌透明导电膜(9)和背电极(10)，其特征在于：所述本征非晶硅层(4)与N型硅衬底(6)之间增设有硅纳米线绒面层(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高鹏，郭辉，黄海栗，苗东铭，胡彦飞，张玉明，
申请(专利权)人：中电投西安太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61