本发明专利技术提供了一种同轴波导转换装置。同轴波导转换装置包括波导和同轴接头，其中，波导一端开口，另一端封闭，波导上具有朝向波导内部的多级台阶状凹陷，多级台阶状凹陷的高度从波导的封闭一端到另一端依次降低，多级台阶状凹陷的内表面覆有阻抗变换层；同轴接头连接在波导的封闭一端并且同轴接头的轴向与波导的电磁波传输方向一致，同轴接头伸入波导内部，并插入阻抗变换层中。通过上述方式，本发明专利技术能够利用波导自身的结构实现阻抗匹配。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种同轴波导转换装置。同轴波导转换装置包括波导和同轴接头，其中，波导一端开口，另一端封闭，波导上具有朝向波导内部的多级台阶状凹陷，多级台阶状凹陷的高度从波导的封闭一端到另一端依次降低，多级台阶状凹陷的内表面覆有阻抗变换层；同轴接头连接在波导的封闭一端并且同轴接头的轴向与波导的电磁波传输方向一致，同轴接头伸入波导内部，并插入阻抗变换层中。通过上述方式，本专利技术能够利用波导自身的结构实现阻抗匹配。【专利说明】同轴波导转换装置
本专利技术涉及波导转换
，特别是涉及一种同轴波导转换装置。
技术介绍
为了实现在波导和同轴线之间的转换过程中减小插入损耗，现有技术采取的手段是在波导内设置阶梯状的阻抗变换块，将同轴接头直接插入波导内的阻抗变换块。因此，波导内必须设置一个阻抗变换块，而且阻抗变换块的位置一旦确定后不能变动。然而，在实际处理中，阻抗变换块与波导之间的连接并不牢固，常常会在搬运或安装过程中产生移动。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种同轴波导转换装置，能够利用波导自身的结构实现阻抗匹配。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种同轴波导转换装置，所述同轴波导转换装置包括波导和同轴接头，其中，所述波导一端开口，另一端封闭，所述波导上具有朝向所述波导内部的多级台阶状凹陷，所述多级台阶状凹陷的高度从所述波导的封闭一端到另一端依次降低，所述多级台阶状凹陷的内表面覆有阻抗变换层；所述同轴接头连接在所述波导的封闭一端并且所述同轴接头的轴向与所述波导的电磁波传输方向一致，所述同轴接头伸入所述波导内部，并插入所述阻抗变换层中。 优选地，所述台阶状凹陷至少为三级。 优选地，所述多级台阶状凹陷与所述波导的两边侧壁的距离相等。 优选地，所述波导为圆形波导或矩形波导。 本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况，本专利技术的同轴波导转换装置在波导上设置多级台阶状凹陷来代替传统的阶梯状阻抗变换块，从而能够利用波导自身的结构实现阻抗匹配，由于不需要采用阶梯状阻抗变换块，可以减少波导的组成，降低波导的制造成本。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术同轴波导转换装置实施例的剖视示意图。 图2是本专利技术同轴波导转换装置实施例的俯视示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 请一并参见图1和图2。本专利技术实施例的同轴波导转换装置包括波导I和同轴接头2。其中，波导I 一端开口，另一端封闭，波导I上具有朝向波导I内部的多级台阶状凹陷11，多级台阶状凹陷11的高度从波导I的封闭一端到另一端依次降低，多级台阶状凹陷11的内表面覆有阻抗变换层12 ;同轴接头2连接在波导I的封闭一端并且同轴接头2的轴向与波导I的电磁波传输方向一致，同轴接头2伸入波导I内部，并插入阻抗变换层12中。在本实施例中，台阶状凹陷11至少为三级，且多级台阶状凹陷11与波导I的两边侧壁的距离相等。波导I可以为圆形波导或矩形波导。 其中，多级台阶状凹陷11的加工方式比较简单，加工成本低，可以通过一次冲压成型得到。通过多级台阶状凹陷11相当于传统的阶梯状阻抗变换块，可以代替传统的阶梯状阻抗变换块实现阻抗匹配。阻抗变换层12可以通过沉降等工艺沉积到多级台阶状凹陷11的内表面上，阻抗变换层12的厚度可以根据实际需要设置，以适应于不同的同轴接头2的插入尺寸。 以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。【权利要求】1.一种同轴波导转换装置，其特征在于，所述同轴波导转换装置包括波导和同轴接头，其中，所述波导一端开口，另一端封闭，所述波导上具有朝向所述波导内部的多级台阶状凹陷，所述多级台阶状凹陷的高度从所述波导的封闭一端到另一端依次降低，所述多级台阶状凹陷的内表面覆有阻抗变换层；所述同轴接头连接在所述波导的封闭一端并且所述同轴接头的轴向与所述波导的电磁波传输方向一致，所述同轴接头伸入所述波导内部，并插入所述阻抗变换层中。2.根据权利要求1所述的同轴波导转换装置，其特征在于，所述台阶状凹陷至少为三级。3.根据权利要求1所述的同轴波导转换装置，其特征在于，所述多级台阶状凹陷与所述波导的两边侧壁的距离相等。4.根据权利要求1所述的同轴波导转换装置，其特征在于，所述波导为圆形波导或矩形波导。【文档编号】H01P5/08GK104466327SQ201410763822【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月11日 优先权日:2014年12月11日 【专利技术者】弋建利, 何激扬, 夏敏 申请人:四川龙瑞微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种同轴波导转换装置，其特征在于，所述同轴波导转换装置包括波导和同轴接头，其中，所述波导一端开口，另一端封闭，所述波导上具有朝向所述波导内部的多级台阶状凹陷，所述多级台阶状凹陷的高度从所述波导的封闭一端到另一端依次降低，所述多级台阶状凹陷的内表面覆有阻抗变换层；所述同轴接头连接在所述波导的封闭一端并且所述同轴接头的轴向与所述波导的电磁波传输方向一致，所述同轴接头伸入所述波导内部，并插入所述阻抗变换层中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：弋建利，何激扬，夏敏，
申请(专利权)人：四川龙瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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