一种低压保护电路制造技术

本发明专利技术的一种低压保护电路，包括：一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型MOS管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管；P沟道增强型MOS管的源极耦接输入电源、低压取样电阻的一端以及高压取样电阻的一端；P沟道增强型MOS管的漏极耦接电压输出端；P沟道增强型MOS管的栅极耦接NPN型三极管的集电极以及高压取样电阻的另一端；低压取样电阻的另一端耦接稳压二极管的负极和滤波电容的一端；滤波电容的另一端接地；稳压二极管的正极耦接二极管的正极；二极管的负极耦接NPN型三极管的基极以及第三电阻的一端；第三电阻的另一端接地，NPN型三极管的发射极接地，本发明专利技术能在过低压时自动切断电源，保护产品及人身的安全。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的一种低压保护电路，包括：一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型M0S管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管；P沟道增强型M0S管的源极耦接输入电源、低压取样电阻的一端以及高压取样电阻的一端；P沟道增强型M0S管的漏极耦接电压输出端；P沟道增强型M0S管的栅极耦接NPN型三极管的集电极以及高压取样电阻的另一端；低压取样电阻的另一端耦接稳压二极管的负极和滤波电容的一端；滤波电容的另一端接地；稳压二极管的正极耦接二极管的正极；二极管的负极耦接NPN型三极管的基极以及第三电阻的一端；第三电阻的另一端接地，NPN型三极管的发射极接地，本专利技术能在过低压时自动切断电源，保护产品及人身的安全。【专利说明】-种低压保护电路
本专利技术涉及保护电路领域，特别涉及一种对工作电压范围有限制的电子产品的低 压保护电路。
技术介绍
目前很多电子产品需要外接电源，产品对外接的电源电压范围都会有严格的要 求，不能超过电压范围使用。但如果用户不清楚、或没有严格按要求使用或外界电网电压突 然变高，如外接电源电压过低就会损坏产品，产生不可预知的危险。为此提出电源低压输入 保护电路，此电路保护响应速度快且精准可靠。 有鉴于此，专利技术人提供了 一种低压保护电路。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供了一种低压保护电路，克服了现有技术的困 难，能够在过低压时自动切断电源，保护产品及人身的安全，而且由于全部采用分立式器件 组成，无需集成电路，可降低产品成本，节省印刷电路板的空间；本专利技术电路简单可高靠，门 限电压设置方便。 根据本专利技术的一个方面，提供一种低压保护电路，包括：一低压取样电阻、一高压 取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一 P沟道增强型M0S管、一 NPN型三极管、一稳压二极 管以及一二极管； 所述P沟道增强型M0S管的源极耦接输入电源、所述低压取样电阻的一端以及所 述高压取样电阻的一端； 所述P沟道增强型M0S管的漏极耦接电压输出端； 所述P沟道增强型M0S管的栅极耦接所述NPN型三极管的集电极以及所述高压取 样电阻的另一端； 所述低压取样电阻的另一端耦接所述稳压二极管的负极和所述滤波电容的一 端； 所述滤波电容的另一端接地； 所述稳压二极管的正极耦接所述二极管的正极； 所述二极管的负极耦接所述NPN型三极管的基极以及所述第三电阻的一端； 所述第三电阻的另一端接地，所述NPN型三极管的发射极接地。 优选地，所述滤波电容的接地端和所述P沟道增强型M0S管的源极之间还耦接一 低压保护电路外部的极性电容。 优选地，所述极性电容的正极耦接所述P沟道增强型M0S管的源极，负极接地。 优选地，所述输入电源与所述P沟道增强型M0S管的源极之间还耦接一桥式整流 电路。 优选地，所述输入电源为交流电源。 优选地，所述低压取样电阻的取样电压取自经过所述桥式整流电路整流后的输入 电源，当所述取样电压经所述低压取样电阻、滤波电容滤波后，所述取样电压小于所述稳压 二极管的击穿电压值加上所述二极管的导通电压和所述NPN型三极管的基极至发射极的 压降的总和时，所述NPN型三极管截止，则所述P沟道增强型M0S管也被截止。 优选地，所述输入电源为直流电源。 与现有技术相比，由于使用了以上技术，本专利技术的低压保护电路能够在过低压时 自动切断电源，保护产品及人身的安全，而且由于全部采用分立式器件组成，无需集成电 路，可降低产品成本，节省印刷电路板的空间；本专利技术电路简单可高靠，门限电压设置方便。 【专利附图】【附图说明】 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、 目的和优点将会变得更明显： 图1示出根据本专利技术的一个【具体实施方式】的，本专利技术的低压保护电路的电路图。 附图标记 1 低压取样电阻 2 高压取样电阻 3 第三电阻 4 滤波电容 5 P沟道增强型M0S管 6 NPN型三极管 7 稳压二极管 8 二极管 10 电压输出端 11 桥式整流电路 12 输入电源 13 极性电容 100 低压保护电路 【具体实施方式】 本领域技术人员理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现变 化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本专利技术的实质内容，在此不予赘述。 图1示出根据本专利技术的一个【具体实施方式】的，本专利技术的低压保护电路的电路图。 如图1所示，本专利技术的一种低压保护电路1〇〇,包括：低压取样电阻1、高压取样电阻2、第三 电阻3、滤波电容4、P沟道增强型M0S管5、NPN型三极管6、稳压二极管7以及二极管8。P 沟道增强型M0S管5的源极耦接输入电源12、低压取样电阻1的一端以及高压取样电阻2 的一端。P沟道增强型M0S管5的漏极耦接电压输出端10。P沟道增强型M0S管5的栅极 耦接NPN型三极管6的集电极以及高压取样电阻2的另一端。低压取样电阻1的另一端耦 接稳压二极管7的负极和滤波电容4的一端。滤波电容4的另一端接地。稳压二极管7的 正极耦接二极管8的正极。二极管8的负极耦接NPN型三极管6的基极以及第三电阻3的 一端。第三电阻3的另一端接地。NPN型三极管6的发射极接地。 滤波电容4的接地端和P沟道增强型M0S管5的源极之间还耦接一低压保护电路 100外部的极性电容13,其中，极性电容13的正极耦接P沟道增强型M0S管5的源极，负极 接地。 本专利技术的低压保护电路100可以针对输入电源12为直流电源的电路进行低压保 护，也可以针对输入电源12为交流电源的电路进行低压保护。当输入电源12为交流电源 时，可以在输入电源12与P沟道增强型M0S管5的源极之间串联一个桥式整流电路11。 低压取样电阻1的取样电压取自经过桥式整流电路11整流后的输入电源12,当取 样电压经低压取样电阻1、滤波电容4滤波后，取样电压小于稳压二极管7的击穿电压值加 上二极管8的导通电压和NPN型三极管的基极至发射极的压降的总和时，NPN型三极管截 止，则P沟道增强型M0S管也被截止。 本专利技术的低压保护电路的工作原理如下： 低压取样电阻1的输入电压取自整流后的输入电源，取样电压经低压取样电阻1、 滤波电容4滤波后，当电压小于稳压管的击穿电压值加上二极管的导通电压和NPN型三极 管6的基极至发射极的压降的总和时，NPN型三极管6将截止，P沟道增强型M0S管不能到 达的其导通的条件：VGS (th) < 0,从而实现低压保护。 如要设定电路的最低工作电压为14V，则稳压二极管7可以选击穿电压为12. 4V的 稳压二极管，二极管8选用IN4148型二极管，可以设置流过低压取样电阻1的电流为2mA， NPN型三极管6的基极lb也为2mA，可以使NPN型三极管6进入饱和导通状态，那么电阻值 为（14-12. 5-0. 7-0. 7) /2=50 Ω，这样可实现输入电源的电压大于14V时电路正常工作，低 于14V时进入低压保护状态。电阻低压取样电阻1上的压降决定了保护电压的精度，如上 电压取值的精度约为〇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压保护电路，其特征在于，包括：一低压取样电阻、一高压取样电阻、一第三电阻、一滤波电容、一P沟道增强型MOS管、一NPN型三极管、一稳压二极管以及一二极管；所述P沟道增强型MOS管的源极耦接输入电源、所述低压取样电阻的一端以及所述高压取样电阻的一端；所述P沟道增强型MOS管的漏极耦接电压输出端；所述P沟道增强型MOS管的栅极耦接所述NPN型三极管的集电极以及所述高压取样电阻的另一端；所述低压取样电阻的另一端耦接所述稳压二极管的负极和所述滤波电容的一端；所述滤波电容的另一端接地；所述稳压二极管的正极耦接所述二极管的正极；所述二极管的负极耦接所述NPN型三极管的基极以及所述第三电阻的一端；所述第三电阻的另一端接地，所述NPN型三极管的发射极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，管伟芳，
申请(专利权)人：深圳市海洋王照明工程有限公司，海洋王照明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44